MOS管被击穿的原因及解决筹划？

静电击穿有两种办法：

一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。

现在的mos管没有那么随意马虎被击穿，尤其是是大功率的vmos,紧张是不少都有二极管保护。
vmos栅极电容大，感应不出高压。
若是碰上3DO型的mos管冬天不带防静电环试试，基本上摸一个挂一个。
与干燥的北方不同，南方湿润不易产生静电。
还有便是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。
但用手直接打仗CMOS器件管脚不是好习气。
至少使管脚可焊性变差。
静电放电形成的是短时大电流，放电脉冲的韶光常数远小于器件散热的韶光常数。
因此，当静电放电电流利过面积很小的pn结或肖特基结时，将产生很大的瞬间功率密度，形成局部过热，有可能使局部结温达到乃至超过材料的本征温度(如硅的熔点1415℃)，使结区局部或多处熔化导致pn结短路，器件彻底失落效。
这种失落效的发生与否，紧张取决于器件内部区域的功率密度，功率密度越小，解释器件越不易受到损伤。
反偏pn结比正偏pn结更随意马虎发生热致失落效，在反偏条件下使结破坏所须要的能量只有正偏条件下的十分之一旁边。
这是由于反偏时，大部分功率花费在结区中央，而正偏时，则多花费在结区外的体电阻上。
对付双极器件，常日发射结的面积比其它结的面积都小，而且结面也比其它结更靠近表面，以是常常不雅观察到的是发射结的退化。
此外，击穿电压高于100V或泄电流小于1nA的pn结(如JFET的栅结)，比类似尺寸的常规pn结对静电放电更加敏感。
所有的东西是相对的，不是绝对的，MOS管只是相对其它的器件要敏感些，ESD有一个很大的特点便是随机性，并不是没有碰到MOS管都能够把它击穿。
其余，就算是产生ESD，也不一定会把管子击穿。

静电的基本物理特色为：

(1)有吸引或排斥的力量;

(2)有电场存在，与大地有电位差;

(3)会产生放电电流。

这三种环境即ESD一样平常会对电子元件造成以下三种环境的影响：

(1)元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命;

(2)因电场或电流毁坏元件绝缘层和导体，使元件不能事情(完备毁坏);

(3)因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能事情，但是寿命受损。
以是ESD对MOS管的破坏可能是一，三两种情形，并不一定每次都是第二种情形。
上述这三种情形中，如果元件完备毁坏，必能在生产及品质测试中被察觉而打消，影响较少。
如果元件轻微受损，在正常测试中不易被创造，在这种环境下，常会因经由多次加工，乃至已在利用时，才被创造毁坏，不但检讨不易，而且丢失亦难以预测。
静电对电子元件产生的危害不亚于严重失火和爆炸事件的丢失。
电子元件及产品在什么情形下会遭受静电毁坏?可以这么说：电子产品从生产到利用的全过程都遭受静电毁坏的威胁。
从器件制造到插件装焊、整机装联、包装运输直至产品运用，都在静电的威胁之下。
在全体电子产品生产过程中，每一个阶段中的每一个小步骤，静电敏感元件都可能遭受静电的影响或受到毁坏，而实际上最紧张而又随意马虎轻忽的一点却是在元件的传送与运输的过程。
在这个过程中，运输因移动随意马虎暴露在外界电场(如经由高压设备附近、工人移动频繁、车辆迅速移动等)产生静电而受到毁坏，以是传送与运输过程须要特殊把稳，以减少丢失，避免无所谓的轇轕。
防护的话加齐纳稳压管保护。
现在的mos管没有那么随意马虎被击穿，尤其是是大功率的vmos,紧张是不少都有二极管保护。
vmos栅极电容大，感应不出高压。
与干燥的北方不同，南方湿润不易产生静电。
还有便是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。
但用手直接打仗CMOS器件管脚不是好习气。
至少使管脚可焊性变差。

MOS管被击穿的缘故原由及办理方案

第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，以是极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相称高的电压 (U=Q/C)，将管子破坏。
虽然MOS输入端有抗静电的保护方法，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化人为料或化纤织物中。
组装、调试时，工具、仪表、事情台等均应良好接地。
要防止操作职员的静电滋扰造成的破坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在打仗集成块前最好先接一下地。
对器件引线矫直波折或人工焊接时，利用的设备必须良好接地。
第二、MOS电路输入真个保护二极管，其通时电流容限一样平常为1mA，在可能涌现过大瞬态输入电流(超过10mA)时，应串接输入保护电阻。
因此运用时可选择一个内部有保护电阻的MOS管应。
还有 由于保护电路接管的瞬间能量有限，太大的瞬间旗子暗记和过高的静电电压将使保护电路失落去浸染。
以是焊接时电烙铁必须可靠接地，以防泄电击穿器件输入端，一样平常利用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很随意马虎接管外部滋扰使MOS导通，外部滋扰旗子暗记对G-S结电容充电，这个眇小的电荷可以储存很永劫光。
在试验中G悬空很危险，很多就由于这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路滋扰旗子暗记就不会直通了，一样平常可以10~20K。
这个电阻称为栅极电阻，浸染1：为场效应管供应偏置电压;浸染2：起到泻放电阻的浸染(保护栅极G~源极S)。
第一个浸染好理解，这里阐明一下第二个浸染的事理：保护栅极G~源极S：场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，乃至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的浸染。

该内容是小编转载网络，仅供学习互换利用，如有侵权，请联系删除。
如果你还想理解更多关于电子元器件的干系知识及电子元器件行业实时市场信息，敬请关注微信公众年夜众号 【上海衡丽贸易有限公司】紧张以代理：铝电解电容、薄膜电容、MOSFET、压敏电阻、保险丝等国产有名品牌元器件。