华羿微电申请高机能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利降低功率器件制造成本

专利择要显示，本发明公开了一种高性能 MOSFET 功率器件外延设计构造、制作方法及运用，其外延设计构造包括：以高浓度掺杂成型在衬底上的第一外延层，且该第一外延层阻挡衬底扩散；以负斜率阶梯式掺杂浓度经离子注入成型在所述第一外延层上的第二外延层。
个中，高浓度掺杂为砷掺杂，且第一外延层的 Rdson 占比小于 MOSFET 功率器件总 Rdson 的 5%。
本发明采取砷成型第一外延层和精准的负斜率阶梯掺杂浓度成型的第二外延层，使得功率 MOSFET 在 BV 增加的同时降落导通电阻，提升 DC‑DC 能量转换效率，同时降落功率器件的制造本钱，且公开的负斜率阶梯式掺杂浓度的第二外延层制作方法与功率器件制造工艺兼容，能够运用于沟槽型和屏蔽栅型 MOSFET 功率器件当中。

本文源自金融界