一分钟看懂芯片制造全过程！传统IC封装的主要分娩过程

作为芯片生产过程中最关键设备的光刻机，有着极高的技能壁垒，有“半导体工业皇冠上的明珠”之称，代表着人类文明的聪慧结晶。
在芯片这样一个争分夺秒的行业里，韶光便是金钱。

据ASML官方先容，ASML也一贯在追求光刻机极致的速率，目前最前辈的DUV光刻机，每小时可以完成300片晶圆的光刻生产。
换算一下，完成一整片晶圆只须要12秒，这还得扣除掉晶圆交流和定位的韶光，实际光刻韶光要更短。

而一片晶圆的光刻过程，须要在晶圆上近100个不同的位置成像电路图案，以是完成1个影像单元（Field）的曝光成像也就约0.1秒。
要实现这个成像速率，晶圆平台在以高达7g的加速度高速移动。
F1赛车从0到100km/h加速约须要2.5秒，而晶圆平台的7g加速度，若从0加速到100km/h只要约0.4秒。

DUV是深紫外线，EUV是极深紫外线。
从制程工艺来看，DUV只能用于生产7nm及以上制程芯片。
而只有EUV能知足7nm晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm连续延伸。

芯片制造是一层层向上叠加的，最高可达上百次叠加。
每一次的叠加，都必须和前一次完美重叠，重叠偏差哀求是1~2纳米。
而晶圆从传送模组放置在晶圆平台上，会产生一定的机器偏差，而精密机器的偏差是微米等级（1微米=1,000纳米）。
每次曝光之前，必须针对每片晶圆做精密的量测，截取到晶圆每一个区块纳米等级的眇小偏差。
在曝光阶段实时校正，达到纳米等级的准度。

光刻机以极高的加速度进行扫描曝光，在不到0.1秒的韶光，又要急停并转头往反方向扫描，这么大的力量如果不做掌握，会让整机产生振动，是不可能达到完美成像的。
ASML光刻机利用所谓的balance mass来接管平衡晶圆平台所施加于机座的反浸染力，使整座机台完备静止。

我们国产自主研发也打破了光刻机设备上非常多的核心零部件，包括双工件台、物镜系统、浸没系统和光源系统等等。
双工件台由华卓精科卖力，上海微电子也能供应整机装备，光源系统有望通过中科院的高能同步辐射光源设备来办理。

在国产光刻机领域，先是中科院的高能同步辐射光源设备，然后是中科科美的两大镀膜装置，分别可以办理国产光刻机在光源以及光学镜头的需求。

由中科院高能物理研究所参与承建的高能同步辐射光源设备，已经实现安装。
这项高能同步辐射光源也被央视公开“点名”，用了较长篇幅进行宣布。

中科科美分别研制了直线式劳埃透镜镀膜装置和纳米聚焦镜镀膜装置。
这两项装置紧张面向光刻机的镜头配备，有了这些镀膜装置，可以很大程度提高国产光刻机在光学镜头上的水准。

虽然我们制造出整台EUV光刻机还有一段间隔，但是随着每一项技能的进步，都在奠定国产光刻机的未来，加速国产光刻机的发展。
而且推动了国产光刻机从成熟工艺到高端工艺的迈进。

一旦成功节制，中国可能会生产出更便宜，本钱更低的光刻机设备。
事实证明，外界的限定成分只会让国产科技发展得更快，没有什么力量是可以阻挡国产科技崛起的。

对国产光刻机你有什么意见呢？

传统IC封装的紧张生产过程

传统集成电路（IC）封装的紧张生产过程

IC的封装工艺流程可分为晶元切割、晶元粘贴、金线键合、塑封、激光打印、切筋打弯、考验检测等步骤。

传统半导体封装的七道工序

晶圆切割

首先将晶片用薄膜固定在支架环上，这是为了确保晶片在切割时被固定住，然后把晶元根据已有的单元格式被切割成一个一个很眇小的颗粒，切割时须要用去离子水冷却切割所产生的温度，而本身是防静电的。

晶圆粘贴

晶圆粘贴的目的将切割好的晶元颗粒用银膏粘贴在引线框架的晶元庙上，用粘合剂将已切下来的芯片贴装到引线框架的中间燥盘上。
常日是环氧（或聚酰亚胺）用作为添补物以增加粘合剂的导热性。

金线键合

金线键合的目的是将晶元上的键合压点用及细的金线连接到引线框架上的内引脚上，使得晶圆的电路连接到引脚。
常日利用的金线的一端烧成小球，再将小球键合在第一焊点。
然后按照设置好的程序拉金线，将金线键合在第二焊点上。

塑封

将完成引线键合的芯片与引线框架置于模腔中，再注入塑封化合物环氧树脂用于包裹住晶元和引线框架上的金线。
这是为了保护晶元元件和金线。
塑封的过程分为加热注塑，成型二个阶段。
塑封的目的紧张是：保护元件不受破坏；防止气体氧化内部芯片；担保产品利用安全和稳定。

激光打印

激光打印是用激光射线的办法在塑封胶表面打印标识和数码。
包括制造商的信息，器件代码，封装日期，可以作为识别和可追溯性。

切筋打弯

将原来连接在一起的引线框架外管脚割断分离，并将其波折成设计的形状，但不能毁坏环氧树脂密封状态，并避免引脚扭曲变形，将切割好的产品装入料管或托盘便于转运。

考验

考验检讨产品的外不雅观是否能符合设计和标准。
常见的的测试项目包括：打印字符是否清晰、精确，引脚平整性、共面行，引脚间的脚距，塑封体是否损伤、电性能及其它功能测试等。

来源：半导体材料与工艺设备

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