电子元器件低气压试验

电子元器件的低气压试验的目的

1）确定产品在常温条件下能否耐受低气压环境，在低气压环境下正常事情。

以及耐受空气压力快速变革的能力。
2）确定常温条件下元件和材料在低气压下耐电击穿的能力，确定密封元件耐受气压差不被毁坏的能力，确定低气压对元件事情特性的影响。
3）确定元器件和材料在气压减小时，由于空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱抗电击穿失落效的能力。
电子元器件的低气压试验标准

1） GJB 150．2A-2009《军工装备实验室环境试验方法第2部分低气压( 高度） 试验》;2） GJB 360B-2009《电子及电气元件试验方法方法105低气压试验》( 等效美军标M IL—STD-202F） ;3） GJB 548B-2005《微电子器件试验方法和程序方法1001低气压( 高空作业）》标M IL—STD-883D）;4） GB2421—2008《电工电子产品基本环境试验总则》;5）GB/T 2423．25—2008《电工电子产品基本环境试验规程试验Z/AM 低温/低气压综合试验方法;6） GB/T 2423，21—2008《电工电子产品基本环境试验规程试验M 低气压试验方法》；7）GB 2423．27—2005《电工电子产品基本环境试验规程试验Z/AM D 高温/低气压综合试验方法》；8） GB/T 2423、26—2008《电工电子产品基本环境试验规程试验Z/BM 高温/低气压综合试验方法》；9） GB/T 2424．15—2008《电工电子产品基本环境试验规程》。

Temak低气压试验箱

电子元器件的低气压试验条件

1）试验气压GJB 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7个不同条件下的高度气压值，并且所给出的试验条件有一定的规律性，随着翱翔高度由低到高，气压值由大变小；GJB 360 给出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10 个不同条件下的高度气压值，并且所列的高度-气压表中的试验条件由A到试验条件E有一定的规律性，随着翱翔高度由低到高，气压值由大变小，而由试验条件F到试验条件J没有呈现规律性。
与GJB 548 所列的试验条件比拟，GJB 360 试验条件增加了条件H到试验条件J，对应的气压高度条件分别为：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7、6kPa；K：25 000m， 2、5 kPa。

2）试验韶光GJB 360B-2009规定： 若无其他规定，试验样品在低气压条件下的试验韶光，可从下列数值中选取：5min、30min、1h、2h、4h 和 16h。

3）升降压速率常日不大于10kPa/min。