华为公司申请半导体器件、制备方法以及电子设备专利经由进程设置保护层形成轮廓和界面较无缺的沟道区
编辑：[db:作者] 时间：2024-08-25 05:08:14
专利择要显示，本申请供应了半导体器件、制备方法以及电子设备，在衬底上形成多个相互间隔排列的堆叠构造，使堆叠构造包括交替堆叠的捐躯层和沟道层，在相邻两个堆叠构造之间的衬底中形成隔离构造；形成横跨各堆叠构造的假栅构造，在假栅构造的两侧依次形成栅侧墙、源漏区以及层间绝缘层，去除假栅构造形成栅极开口，从处于栅极开口中的捐躯层袒露表面开始向内刻蚀捐躯层，将各沟道层的沟道区的部分区域凸出于捐躯层，在处于栅极开口中袒露出的沟道区表面包覆保护层，去除处于栅极开口中的捐躯层，去除保护层，将所有沟道区暴露，在栅极开口中，形成环抱每一个沟道区的栅极构造。通过设置保护层，形成轮廓和界面较无缺的沟道区。
本文源自金融界
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