Entegris 宣告针对前辈半导系统编制造的新型化学机械研磨后清洗解决筹划

“多年来，Entegris 一贯是 CMP 后洗濯方面的行业领导者。
我们的 PlanarClean 系列产品已广泛用于环球的晶圆厂。

由于许多新材料(如钴和钨)的添加，前辈节点处的晶圆生产变得更加繁芜，为理解决这个问题，我们仔细重制了PlanarClean 办理方案，既能供应卓越的洗濯能力，同时不毁坏前辈薄膜或新材料”，Entegris CMP 后洗濯办理方案总监 Cuong Tran 表示。
“PlanarClean AG 知足前辈工艺的需求，同时还符合我们客户制订的新安全指南。
”

硅晶圆生产中的 CMP 工艺包含机器研磨步骤，该步骤利用化学研磨液配方将多余的导电或绝缘材料从集成设备表面上去除，实现平整、光滑的表面，用于构建多层集成电路。
CMP 后洗濯步骤去除纳米级颗粒，减少潜在的晶圆毛病，同时保持已经放置到位的材料层的完全性。

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在高等工艺中，打仗洗濯过程的薄膜和材料的数量和类型发生了变革，凸显了对特殊配方洗濯办理方案的需求。
此外，研磨液中所利用的微粒也有所改变，使得许多传统 CMP 后清洁剂在领先技能中显得无效和低效，特殊是在前段 (FEOL) 流程中。
如今这些寻衅迫使半导系统编制造商考虑利用配方洗濯办理方案代替商品洗濯办理方案。

PlanarClean AG 配方办理方案能够知足这些需求，在包含铜、钴和钨的高等工艺中供应一步式的卓越洗濯，同时保护底层的薄膜和材料。
其专有配方可以提高可靠性和产量、实现极低乃至零堕落和毛病并增加待机韶光，进而带来更高的性能。
此外，PlanarClean AG 可降落洗濯步骤中所需的化学品量，供应利用本钱上风，并知足晶圆厂化学品的最新 EHS 安全哀求。
干系产品已在多家领先晶圆厂成功经由评估，目前可供所有客户购买。

如想理解更多信息，请联系您当地的 Entegris 代表或访问 www.entegris.com。

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