一文看懂静电放电（ESD）防护器件参数

单向 ESD 防护器件是非对称的（图2），一样平常只用于单极性旗子暗记线 (0 ≤ Vsignal ≤ VWM)。
实际中，类似于齐纳二极管，它们反向用在电路中。

行业的老例是将电压和电流的方向 指定为正方向，例如运用中的电压。

ESD二极管特性种别

一样平常将ESD二极管根据其Vc的表现分为三类器件，详细参考以下表格。

I-V 特性类型

特点和好处

最佳适用于

类似二极管型

特性大略，易于利用良好的防护性能低电压过冲，相应快速须要快速相应的运用多用场和低速率的运用：按键、开关、音频接口、GPIO、触摸屏……

适度回扫型

改进了的防护性能（Vcl）可实现低电容（CL）VWM与Vcl之间的极好平衡

除了与类似二极管型相同的运用，还适用于

高速率I/O和射频运用

超强回扫型

最佳的防护性能（Vcl）可实现低电容（CL）具有极其严格Vcl哀求的运用：高数据传输速率的运用，LVDS

采取纳米级别芯片技能的超精密构造SoC 的I/O

ESD电性参数解释

以下是TVS二极管的各种参数表示息争释，分为静态参数和动态参数。

静态参数

CL – 寄生电容 – 对高速和射频运用非常主要，对通用和低速运用而言较为次要。

Vrwm – 最高事情电压– 必须大于或即是被保护导线上的旗子暗记在指定的操作期间的最高电压（拜会图6）。
常见防护器件的VrWM一样平常与系统标准以及I/O电压（VIO、Vbus）相匹配，例如2.1 V、3.3 V、5 V。

Vbr – 击穿电压 – 在指定的测试电流It下丈量得到。

Vtr – 触发电压 – 在器件开启（触发）并回摆到Vh的最大电压。
对付回摆型器件，Vtr比Vbr略高。
Vtr是通过设计验证的。

IL – 泄电流 – 器件事情在VrWM时，流经器件的电流。

Rdyn – 动态电阻 – 描述器件在传导ESD时I-V特性的陡度 3)。
Rdyn的值越低，相对应的防护性能越好，也可以用来预测器件手册中未给出的在不同冲击级别（ITLP）时的Vcl值。

动态参数

Vcl – 嵌位电压 – 对防护性能最为主要的指标。
对付给定的冲击级别（ITLP 、IPP）)，

Vcl 必须低于IC的失落效电压（规格书），否则越低越好。

Ipp 最大瞬间电流-是防护能力的主要指标，也称浪涌电流，参考IEC61000-4-5，该值越大，器件的鲁棒性更好。

Vesd 静电防护能力-器件按照标准IEC61000-4-2设定条件下，可以承受的静电能力。

动态指标须要在动态测试中得到。

几个范例的静电保护设计电路USB2.0保护电路

HDMI2.0保护电路

RS485浪涌保护电路

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