消息称SK海力士测试东京电子低温蚀刻技能有望简化闪存分娩

目前，提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的紧张路子。
然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大，速率也随之降落。

厂商不得不考虑将整体 NAND 闪存分割为多个闪存堆栈制造，之后将各个堆栈键合为一体。
不过多堆栈构造在键合过程中引入了对齐等新问题，性能、能效也有所低落。

东京电子的新型低温蚀刻设备事情环境温度为-70℃，明显低于现有蚀刻设备的 0~30℃。

参考IT之家去年宣布，新设备可在 33 分钟内蚀刻 10 微米，比现有设备快 3 倍以上；

同时东京电子的低温蚀刻设备采取氟化氢（HF）气体，相较传统系统利用的氟碳化物气体拥有较低的温室效应，更为环保。

▲ 低温蚀刻效果。
图源东京电子新闻稿

SK 海力士官宣的最新一代 321 层 NAND 闪存采取了三堆栈构造。
业内人士估量，如果东京电子的低温蚀刻设备效果良好，未来 400 + 层闪存产品有望将堆栈数量降落到 2 乃至 1。

在另一方面，SK 海力士的紧张竞争对手之一三星电子则是导入该工具的演示版本对低温蚀刻进行评估。