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专利择要显示,本申请供应一种三维芯片及其制备方法、电子设备,三维芯片包括第一功能层以及与第一功能层三维连接的第二功能层;个中,第一功能层具有 M 个第一极限曝光区域;第二功能层具有 N 个第二极限曝光区域;个中,M、N 均为大于或即是 2 的整数。详细的,本申请供应的三维芯片中,第一功能层具有 M 个第一极限曝光区域,第二功能层具有 N 个第二极限曝光区域,由于每个极限曝光区域均通过一光刻母版图案化形成,以此,本申请供应的三维芯片的尺寸更大,能够设置更多的功能单元,且第一功能层和第二功能层三维连接在一起,第一功能层和第二功能层的互联高度很低,使得旗子暗记传输通道数据延迟降落,极大的提高了数据传输速率,从而有利于提高产品性能。
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