森国科推出DFN33封装650V碳化硅二极管助力大年夜功率快充小型化

随着第三代半导体技能的发展，氮化镓和碳化硅都已广泛运用到快充上面。

利用氮化镓可以显著减小开关损耗，支持更高的开关频率。
通过高效率降落散热需求，以及高频开关缩小磁性元件体积来减小充电器的体积。

但传统快规复二极管在高频事情下，反向规复特性会带来严重的反向规复损耗，并且随着温度的上升，反向电流和规复韶光还会增加，进一步劣化性能。
而碳化硅二极管具有非常小的规复韶光和反向电流，同时具有优胜的温度稳定性，能够在更高的事情温度下保持性能稳定。

碳化硅二极管具有无反向规复的上风，利用在升压PFC电路中可以大幅降落反向电流，减小PFC开关管的开通和关断损耗，并减小电路中的峰值电流。
从而降落PFC级的损耗，提高电源转换效率，减小EMI滋扰。

森国科推出了一款PDFN33超小封装的650V耐压碳化硅二极管KS06065-F，具有极低热阻，支持200W以上快充运用，单颗即可知足USB PD3.1 240W快充电源设计哀求。

森国科于2013年11月成立，2016年11月得到国家高新科技企业称号，2020年3月量产出货1200V耐压，20A的碳化硅二极管，迈出第三代半导体功率器件国产替代的脚步。

森国科KS06065-F是一颗耐压650V的碳化硅二极管，支持-55~175℃事情温度，135℃时正向电流9A，154℃时正向电流为6A，结电荷为15nC，具有1.4C/W的极低热阻，可有效通过PCB铜箔散热，降落器件温升并简化散热设计。

森国科KS06065-F采取小体积PDFN33封装，比较DFN56封装显著减小体积，同时具有精良的散热能力，知足高功率密度运用需求。
碳化硅二极管具有正温度系数压降，方便直接并联利用。
可用于快充PFC升压整流，大功率开关电源、逆变器及电机驱动等运用。
知足高频运用需求，提高电源转换效率和功率密度，降落温升并提高整体可靠性。

森国科KS06065F碳化硅二极管与一元硬币尺寸比拟。

利用游标卡尺实测二极管长度为2.85mm。

利用游标卡尺实测二极管宽度为2.94mm。

利用游标卡尺实测二极管厚度为0.8mm。

充电头网总结

森国科推出的PDFN33封装的碳化硅二极管具有极小的体积和精良的散热能力，并支持高事情温度，非常适宜高功率密度的氮化镓快充运用。
小封装碳化硅二极管知足大功率氮化镓快充中PFC级整流需求，精良的高频事情特性，可减小升压电感体积，并简化散热需求，缩小充电器的体积，从而提升产品整体竞争力。

碳化硅材料作为第三代半导体，目前已有多家厂商投产，在诸多场合取代传统快规复二极管，提高了电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能和风力发电上的效率和可靠性。
如今引入大功率氮化镓适配器中，为大功率、高密度PD快充的遍及更增长一份力量。

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