上海华力微申请改进 FDSOI 外延成长的方法及 FDSOI 器件制造方法专利避免后续外延电阻升高

专利择要显示，本发明供应了一种改进 FDSOI 外延成长的方法及 FDSOI 器件制造方法，属于半导体技能领域。
该改进 FDSOI 外延成长的方法包括供应一半导体构造；在 NMOS 区域和 PMOS 区域成长第一层侧壁；将 PMOS 区域中的周边区域覆盖的第一层侧壁去除，并在 PMOS 区域中的周边区域成长一层第一掺杂的外延层；在第一掺杂的外延层表面成长第二层侧壁；将 NMOS 区域中的周边区域覆盖的第一层侧壁去除，并在 NMOS 区域中的周边区域成长一层第二掺杂的外延层；在所述第二掺杂的外延层表面成长一层捐躯层；将所述第二层侧壁去除。

本发明通过在 NMOS 区域成长完第二掺杂的外延层之后，再在第二掺杂的外延层的表面成长一层捐躯层，从而通过采取目标区域全面刻蚀（Blank Etch）的办法去除掩膜层时，能够避免导致 NMOS 区域外延掺杂成长被破坏，也能够确保掺杂的厚度保持不变，从而能够避免后续外延电阻升高。

本文源自金融界