长飞前辈第三代半导体功率器件 研发生产基地落户光谷

该项目总投资估量超过200亿元，个中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

长飞前辈半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有海内一流的产线设备和前辈的配套系统，具备从外延成长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技能研发能力。

当前，东湖高新区重点布局化合物半导体家当，九峰山科技园将构培植备、材料、设计、芯片、器件、模块、制造、封装、检测的百口当链体系，聚力打造天下级化合物半导体家当高地。

作为全国四大集成电路家当基地之一，目前光谷已聚拢一批集成电路家当龙头企业，形成了存储芯片、化合物半导体芯片为两大家当方向，涵盖设计、制造、装备、材料及分销、模组等家当链关键环节的家当集群。

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