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关于半导体封装“除胶”工序的详解

编辑:[db:作者] 时间:2024-08-25 08:48:56

一、 除胶的目的

为了去除不须要的(非设计产生)在钉脚上和钉脚阁下的树脂溢出和黑胶溢出,为了下一步的电镀工序准备好一个“干净”的金属表面。

关于半导体封装“除胶”工序的详解

二、 除胶的分类

现在市场上成熟的除胶方法有:

1、 研磨

2、 激光

3、化学反应

3.1 电解除胶+高压射水/吹沙

3.2 化学浸泡+高压射水/吹沙现在ATGD利用的除胶方法是电解除胶+高压射水或吹沙,化学浸泡+高压射水。

三、 电镀除胶

产品作为阴极,通电后在产品的金属表面产生很多氢气泡,这些气泡会毁坏溢胶和金属底材之间的结合力,导致溢胶变得疏松,再利用高压射水或者吹沙冲击疏松后的溢胶,将溢胶撤除。

电解除胶药水由水,电解液,表面活性剂/添加剂,缓冲液组成各个身分的紧张浸染如下:

电解除胶会在产品金属表面产生氢气泡,这些氢气泡降落溢胶结合力的同时,也会降落产品胶身和底材的结合力,造身分层问题。

四、 化学除胶

化学除胶是可以代替电解除胶办理分层问题的一种除胶方法。
化学除胶的事理紧张是通过膨胀,将溢胶的紧密构造变得疏松,同时具有一定的底切浸染,然后通过高压射术将溢胶撤除。

化学除胶药水紧张由碱,有机溶剂,表面活性剂/添加剂组成每种身分的紧张浸染如下:

通过比拟同一个产品在电解除胶和化学除胶工艺下的分层情形,能清楚看到化学除胶相对电解除胶对分层的明显改进。

五、 化学除胶设备

目前,较为前沿化的封测厂利用的化学除胶设备一样平常都是分离式的,化学浸泡和高压射水是两台分开的设备。

六、 除胶的品质

化学除胶紧张通过严格掌握化学品的浓度/PH,化学浸泡的温度/韶光,高压射水的压力/速率等参数以取得期望和良好的除胶效果。

当除胶药水的PH大于12.6的时候,可能会导致SOT23AB(CEL9240)产品胶身表面产生小孔问题。
当化学浸泡温度/韶光不敷,或者高压射水的压力太低,可能会脚边胶无法去除干净。

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