晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制作方法及其结构”

专利择要：本申请涉及一种半导体构造的制作方法及其构造，包括：供应衬底，衬底内形成有多个间隔排列的浅沟槽隔离构造，且浅沟槽隔离构造的顶面与衬底的第一表面齐平；于衬底的第二表面上形成保护层；于衬底和保护层内形成多个与浅沟槽隔离构造相对应的隔离构造；隔离构造外凸于保护层，且外凸于保护层的部分隔离构造为复合格栅，位于保护层及衬底内的部分隔离构造为深沟槽隔离构造；去除保护层以及部分衬底，以露出各深沟槽隔离构造；于各深沟槽隔离构造之间的衬底上形成多层功能层，各多层功能层的材料不同；个中，复合格栅外凸于多层功能层。
本申请先形成隔离构造再采取回刻衬底并依次沉积功能层以形成感光区的制作方法，提高了图像传感器的感光性能。

今年以来晶合集成新得到专利授权113个，较去年同期增加了145.65%。
结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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