编辑:[db:作者] 时间:2024-08-25 01:24:34
正文
要理解MIT最近的这一打破,我们得先从晶体管提及。晶体管,作为当代电子设备的心脏,一贯以来都是科技发展的关键。但长久以来,随着摩尔定律逐渐走向极限,科学家们一贯在探索更高效、更眇小的替代方案。
MIT的这项新研究,便是在这样的背景下出身的。他们发明的铁电场效应晶体管,采取了一种全新的设计理念:利用单层石墨烯作为沟道层,并与超薄铁电体双层氮化硼结合。这种构造的奇妙之处在于,当电场施加时,各层间的物理位置会发生奇妙的滑动,导致硼和氮原子的位置发生变革,这种改变直接影响到材料的电子特性。
什么意思呢?实际上便是这种晶体管能够实现极速的电荲切换,这对付数据处理和高性能打算来说,是一个巨大的好。想象一下,打算机和其他电子设备能够以前所未有的速率处理信息。
此外,这种新型晶体管的耐久性也非常出色。在经历了高达1000亿次的开关测试后,这种材料显示出险些没有任何性能退化。这种耐久性意味着它们有潜力成为更为可靠的存储和处理设备,远超传统的闪存设备。
更令人愉快的是,这种晶体管的构造非常薄,厚度仅为十亿分之一米。这样的超薄设计不仅能让未来的设备更加轻便,还能在相同的空间内实现更高的性能和更低的能耗。
当然,这项技能目前还处于早期阶段,其繁芜的制造过程还不适宜大规模生产。研究团队目前只制造了单个晶体管进行演示。但他们正致力于探索更高效的批量生产方法,希望未来能在晶圆级规模上进行制造。
科学家们还在探索用光脉冲来触发铁电性,这一研究方向可能会进一步提高晶体管的性能。通过这些努力,希望能够在不远的将来,看到这种新型晶体管广泛运用于各种高科技领域。
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