编辑:[db:作者] 时间:2024-08-25 01:28:21
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在AI的发达发展下,数据中央对电力的需求呈倍数增长,激增的用电量不仅对运营效率造成压力,更成为数据中央达成净零排放目标的阻碍。当前数据中央所采取的电力转换及分配技能,已难以知足来自云打算及机器学习的运算需求,面对须要能耗更弘大的天生式AI运用,数据中央运营商正急迫地探求创新电力办理方案。
氮化镓凭借着禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、饱和电子漂移速率高档特点成为了数据中央优化能源效率的关键技能之一。
氮化镓:第三代半导体的范例代表
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的“双雄”,是一种氮和镓的无机化合物,常日情形下为白色或者微黄色的固体。
图片来源:中镓半导体
氮化镓紧张运用于光电子、射频电子、电子电子三大领域。自1990年起,氮化镓开始在发光二极管中运用,产生405nm紫激光;2008年,美国Cree公司推出首个氮化镓射频器件;2009年,EPC公司推出第一款商用增强型氮化镓(eGaN)晶体管;2010年,IR公司推出商用GaN集成功率器件。
图表1 氮化镓紧张运用领域
图片来源:晶湛半导体、Patsnap
环球氮化镓家当规模呈爆发式增长。据市场调研机构Yole发布的数据,环球GaN射频器件市场规模从2020年的8.91亿美元增长至2023年的11亿美元;GaN功率器件从2020年的0.46亿美元增长至2022年的1.85亿美元,估量到2028年打破20亿美元。
图表2 环球氮化镓功率器件市场规模预测
图片来源:Yole
国家和各省市出台系列政策支持和推动氮化镓发展
为推动半导体家当发展,增强家当创新能力和国际竞争力,我国出台了多项政策对碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体家当进行支持和鼓励。
图表3 “十四五”期间我国氮化镓干系家当政策
资料来源:DT芯材整理
“十四五”期间,国家哀求推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展,并提出实现650V电压等级国产氮化镓材料和功率器件的规模化生产;申请发明专利≥10件,指定国家或行业标准≥2项的详细哀求。
此外,江苏、陕西、河北、浙江、河南等省份也相继发布了与氮化镓密切干系的第三代半导体家当或未来材料家当政策,对氮化镓的衬底和外延材料研制、芯片及器件制造、封测、运用等多个环节供应政策支持。
图表4 “十四五”期间各省市氮化镓干系家当政策
资料来源:DT芯材整理
海内氮化镓家当链基本形成,家当构造相对聚焦中游
从氮化镓家当链企业来看,国外公司在技能实力以及产能上保持较大的领先。GaN龙头企业以IDM模式为主,个中Qorvo拥有自身的晶圆代工厂以及封测厂,在国防以及5G射频芯片领域具备较大上风;Infineon则是专注于功率半导体领域,公司是市场上唯一可以供应氮化镓等全系列功率产品的公司。海内厂商包括苏州能华、华功半导体以及英诺赛科等,个中英诺赛科建成中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线,公司产品在氮化镓快充领域具备国际领先的技能实力。
图表5 环球氮化镓家当图谱
资料来源:CASA Research、Patsnap
从海内氮化镓公司资源分布来看,紧张集中在江苏、广东、安徽、浙江、山东等省份。详细包括氮化镓衬底厂商苏州纳维以及东莞中镓;氮化镓外延厂商苏州晶湛半导体、陕西宇腾科技、苏州能华以及江苏华功半导体等。
图表6 中国氮化镓企业及代表性业务
资料来源:CASA Research、Patsnap
随着人工智能、新能源、5G等发展提速,氮化镓在更多领域的运用渗透率将进一步加深。
第2届第三代半导体及前辈封装技能创新大会特设了氮化镓半导体论坛,设置了数据中央氮化镓功率器件设计和制造、氮化镓衬底&外延、氮化镓器件特色封装、功率氮化镓器件多元运用及其可靠性验证四大专场。深入磋商技能瓶颈,全面阐发技能趋势,探求氮化镓及第三代半导体发展的中国方案。
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