清华团队芯片打破：全新光电架构180nm比7nm还强

但大家也才都清楚，在当前摩尔定律已经见顶，台积电、三星等领先很多，而芯片制造技能离不开EUV光刻机，ASML的EUV光刻机又不准卖，并且连浸润式光刻机都受限了，在这样严厉的情形之下，打破本钱越来越高，难度越来越大。

正如张忠谋所言，半导体的环球化已去世，我们冲要破，就得重修全体供应链，这个难度确实很大，同时须要漫长的韶光，非一朝一夕之功。

以是很多研究团队，就想着换道超车，或者弯道超车，这样绕开被专利、技能封锁的方向，找出一条新的道路来。

比如之前的碳基芯片、光芯片、量子芯片等，便是这样，绕开目前的硅基芯片、EUV光刻机等被高度垄断的方向。

而近日，清华大学有研究团队，就找到了一个新的方向，那便是光电仿照芯片。

这个方向由清华大学自动化系（戴琼海院士、吴嘉敏助理教授）与电子工程系（方璐副教授、乔飞副研究员）联合占领。

这种技能基于光电深度领悟打算框架，将光芯片与电芯片结合，在一枚芯片上打破大规模打算单元集成、高效非线性、高速光电接口三个国际难题。

它到底有多强？先说性能方面，算力达到目前高性能商用芯片的三千余倍，实验中，电路部分仅采取180nm CMOS工艺，已取得比7纳米制程的高性能芯片多个数量级的性能提升。

再说功耗部分，原来供现有芯片事情一小时的电量，可供它事情五百多年，系统级能效是现有高性能芯片的四百万余倍。

在本钱方面，其所利用的材料大略易得，造价仅为普通硅基芯片的几十分之一。

这种芯片，一经量产，肯定便是王炸，将彻底颠覆现有的半导体行业，而其干系成果，已揭橥在《自然》期刊上。

不过大家都清楚，任何技能从提出到量产，末了运用于实际场景之中，会是一个比较漫长的过程，而现在这项技能还只是在实验室，更多的还是研究阶段，至于落地运用要多久，还不清楚。

接下来希望这一技能赶紧落地利用，那么芯片家当将彻底被颠覆，我们也不用怕被卡脖子了，乃至当我们领先后，都有可能去卡美国脖子。