美光第九代NAND闪存：276层堆叠3600MT/s接口写入速度提升88%

在眼花缭乱的数字背后我们创造了一些有趣的征象。
首先是第九代NAND的叫法，实际上它是美光推出的第七代3D NAND闪存，为何利用第九代的名称？PCEVA

然后再来看3600MT/s闪存接口。

为了迎合PCIe 5.0接口提速的需求，闪存正朝着更高接口带宽迈进，三星第九代V-NAND的闪存接口速率为3200MT/s，而美光则提出了3600 MT/s这样的数字。
不过首个采取该闪存的美光2650固态硬盘的顺序读取速率仅有7000 MB/s，也便是说闪存接口速率实际只有2400 MT/s。
显然，美光重复了上代232层堆叠3D NAND闪存的老路：先画饼，后面逐步再实现。

至于读取性能提升99%，写入性能提升88%，这些数字源于美光针对SK海力士、Solidigm、铠侠、西数和三星的竞品对照，详细测试方法美光没有在小字中透露。
不过

存储密度提升73%也是相对未明确的竞品型号而言，Block & Files向美光提问后得到的答案是：比较上一代（232层堆叠）提升44%。
空间效率提升28%指的是它采取的11.5 x 13.5毫米封装，比较普通的12 x 18毫米小28%。
较小的封装尺寸在E1.S和E3.S规格企业级SSD中有一定上风，而对付M.2规格消费级SSD的影响不是非常明显。

38%的运用性能提升源自PCMark 10存储性能评分，比拟美光2650与SK海力士BC901、铠侠BG6、西部数据SN740和三星PM9B1后得出的结论。
由于比拟的型号都比较老，美光2650的上风有相称一部分来源于主控和固件SLC算法的定向优化，而不全是新闪存的功劳。
由于PCMark 10存储测试过程全程跑在SLC缓存内，实际利用性能的提升肯定没有宣扬中的数字那么亮眼。

美光在回答Blocks & Files提问时，还涌现了顾旁边而言他的一幕。
Blocks & Files问新闪存利用双堆栈还是三堆栈构造，美光的回答是我们采取了单芯片和六平面构造。
在被问到新闪存的芯片面积时，美光回答的是封装后的尺寸。
对付官方不打算公布的信息，以这种办法回避也是正常的。