编辑:[db:作者] 时间:2024-08-25 05:26:58
1. 按电路模块进行布局,实现同一功能的干系电路称为一个模块,电路模块中的元件应采取就近集中原则,同时数字电路和仿照电路分开;
2.定位孔、标准孔等非安装孔周围1.27mm 内不得贴装元、器件,螺钉等安装孔周围3.5mm(对付M2.5)、4mm(对付M3)内不得贴装元器件;
3. 卧装电阻、电感(插件)、电解电容等元件的下方避免布过孔,以免波峰焊后过孔与元件壳体短路;
4. 元器件的外侧距板边的间隔为5mm;
5. 贴装元件焊盘的外侧与相邻插装元件的外侧间隔大于2mm;
6. 金属壳体元器件和金属件(屏蔽盒等)不能与其它元器件相碰,不能紧贴印制线、焊盘,其间距应大于2mm。定位孔、紧固件安装孔、椭圆孔及板中其它方孔外侧距板边的尺寸大于3mm;
7. 发热元件不能紧邻导线和热敏元件;高热器件要均衡分布;
8. 电源插座要只管即便支配在印制板的四周,电源插座与其相连的汇流条接线端应支配在同侧。特殊应把稳不要把电源插座及其它焊接连接器支配在连接器之间,以利于这些插座、连接器的焊接及电源线缆设计和扎线。电源插座及焊接连接器的支配间距应考虑方便电源插头的插拔;
9. 其它元器件的支配:
所有IC元件单边对齐,有极性元件极性标示明确,同一印制板上极性标示不得多于两个方向,涌现两个方向时,两个方向相互垂直;
10、板面布线应疏密得当,当疏密差别太大时应以网状铜箔添补,网格大于8mil(或0.2mm);
11、贴片焊盘上不能有通孔,以免焊膏流失落造成元件虚焊。主要旗子暗记线不准从插座脚间穿过;
12、贴片单边对齐,字符方向同等,封装方向同等;
13、有极性的器件在以同一板上的极性标示方向只管即便保持同等。
二、元件布线规则
1、画定布线区域距PCB板边≤1mm的区域内,以及安装孔周围1mm内,禁止布线;
2、电源线尽可能的宽,不应低于18mil;旗子暗记线宽不应低于12mil;cpu入出线不应低于10mil(或8mil);线间距不低于10mil;
3、正常过孔不低于30mil;
4、 双列直插:焊盘60mil,孔径40mil;
1/4W电阻: 5155mil(0805表贴);直插时焊盘62mil,孔径42mil;
无极电容: 5155mil(0805表贴);直插时焊盘50mil,孔径28mil;
5、 把稳电源线与地线应尽可能呈放射状,以及旗子暗记线不能涌现回环走线。
在研制带处理器的电子产品时,如何提高抗滋扰能力和电磁兼容性?
1、下面的一些系统要特殊把稳抗电磁滋扰:
(1) 微掌握器时钟频率特殊高,总线周期特殊快的系统。
(2) 系统含有大功率,大电流驱动电路,如产生火花的继电器,大电流开关等。
(3) 含微弱仿照旗子暗记电路以及高精度A/D变换电路的系统。
2、为增加系统的抗电磁滋扰能力采纳如下方法:
(1) 选用频率低的微掌握器:
选用外时钟频率低的微掌握器可以有效降落噪声和提高系统的抗滋扰能力。同样频率的方波和正弦波,方波中的高频成份比正弦波多得多。虽然方波的高频成份的波的幅度,比基波小,但频率越高越随意马虎发射出成为噪声源,微掌握器产生的最有影响的高频噪声大约是时钟频率的3倍。
(2) 减小旗子暗记传输中的畸变
微掌握器紧张采取高速CMOS技能制造。旗子暗记输入端静态输入电流在1mA旁边,输入电容10PF旁边,输入阻抗相称高,高速CMOS电路的输出端都有相称的带载能力,即相称大的输出值,将一个门的输出端通过一段很长线引到输入阻抗相称高的输入端,反射问题就很严重,它会引起旗子暗记畸变,增加系统噪声。当Tpd>Tr时,就成了一个传输线问题,必须考虑旗子暗记反射,阻抗匹配等问题。
旗子暗记在印制板上的延迟韶光与引线的特性阻抗有关,即与印制线路板材料的介电常数有关。可以粗略地认为,旗子暗记在印制板引线的传输速率,约为光速的1/3到1/2之间。微掌握器构成的系统中常用逻辑电话元件的Tr(标准延迟韶光)为3到18ns之间。
在印制线路板上,旗子暗记通过一个7W的电阻和一段25cm长的引线,线上延迟韶光大致在4~20ns之间。也便是说,旗子暗记在印刷线路上的引线越短越好,最长不宜超过25cm。而且过孔数目也应只管即便少,最好不多于2个。
当旗子暗记的上升韶光快于旗子暗记延迟韶光,就要按照快电子学处理。此时要考虑传输线的阻抗匹配,对付一块印刷线路板上的集成块之间的旗子暗记传输,要避免涌现Td>Trd的情形,印刷线路板越大系统的速率就越不能太快。
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