详解MEMS激光焊接

MEMS封装时可对芯片植球制作微凸点，并将芯片和基板之间进行焊接。
目前MEMS采取的工艺有回流焊和激光焊。
两者都是广泛用于半导体封装焊接的技能。

如下图所示，在MEMS倒装植球时，焊球通过激光发射器喷射并在芯片上形成微凸点。
比较于回流焊的缓慢热通报加热，激光焊可作为局部加热手段，针对特定焊接区域进行快速局部加热。
激光束经由透镜聚焦后带有高能量密度，照射在焊接区域形成局部高温将焊料溶解并将元件进行焊接。
激光焊接韶光每每只须要数秒便可完成。
激光焊接常日采取900-980nm波长的激光。
此外可通过改变激光发射角度从而实现空间的灵巧移动。
对付MEMS尺寸很小的元件，激光焊接有着明显的上风。

图1：激光焊接喷印

激光焊接步骤紧张包括对锡膏的预加热，然后用激光对锡膏加热熔化并润湿焊盘完成焊接。
MEMS的微机器构造随意马虎受到应力的危害，激光焊接能够精准且快速加热，带来的热冲击很小，有效担保了焊接的可靠性。
不同于IC元件，MEMS对环境高度敏感，运用环境中的杂质可能会对元件精确性造成影响。
激光焊接后残留物很少，大大减少了对元件精准性的危害。

在末了的MEMS封帽中，激光焊接可以在封帽区形成高热源并使被焊物形成稳定焊点和焊缝，使MEMS元件被密封在内部。
各种类型的封帽如陶瓷或金属都能够利用激光焊接。
天生的热应力很低，有效保护了内部的元件。