最常用的电子元器件及运用常识

电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。
电阻在电路中的紧张浸染为分流、限流、分压、偏置等。

1、参数识别：电阻的单位为欧姆（），倍率单位有：千欧（K），兆欧（M）等。
换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。

a、数标法紧张用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47100（即4.7K）； 104则表示100K

b、色环标注法利用最多，现举例如下：四色环电阻 五色环电阻（精密电阻）

2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：

颜色 有效数字 倍率 许可偏差（%）

银色 / x0.01 10

金色 / x0.1 5

玄色 0 +0 /

棕色 1 x10 1

赤色 2 x100 2

橙色 3 x1000 /

黄色 4 x10000 /

绿色 5 x100000 0.5

蓝色 6 x1000000 0.2

紫色 7 x10000000 0.1

灰色 8 x100000000 /

白色 9 x1000000000 /

电容

1、电容在电路中一样平常用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。
电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。
电容的特性 紧张是隔直流利互换。
电容容量的大小便是表示能贮存电能的大小，电容对互换旗子暗记的阻碍浸染称为容抗，它与互换旗子暗记的频率和电容量有关。
容抗XC= 1/2f c (f表示互换旗子暗记的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。

2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法 （mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。
个中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法.容量大的电容其容量值在电容上直 接标明，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一样平常用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
如：102表示10102PF=1000PF 224表示22104PF=0.22 uF

3、电容容量偏差

如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、偏差为5%。

晶体二极管

晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。

1、 浸染：二极管的紧张特性是单引导电性，也便是在正向电压的浸染下，导通电阻很小；而在反向电压浸染下导通电阻极大或无穷大。
正由于二极管具有上述特性，无 绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码掌握、调频调制和静噪等电路中。
电话机里利用的晶体二极管按浸染可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。

2、识别方法：二极管的识别很大略，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采取一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极 （正极）或N极（负极），也有采取符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚是非来识别，长脚为正，短脚为负。

3、测试把稳事变：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正引导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

稳压二极管

稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。

1、稳压二极管的稳压事理：稳压二极管的特点便是击穿后，其两端的电压基本保持不变。
这样，当把稳压管接入电路往后，若由于电源电压发生颠簸，或其它缘故原由造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

2、故障特点：稳压二极管的故障紧张表现在开路、短路和稳压值不稳定。
在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。

常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761

稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V

电感

电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的 电感。
电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。
直流可通过线圈，直流电阻便是导线本身的电阻，压降很小；当互换旗子暗记通过线圈时，线圈两端 将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍互换的通过，以是电感的特性是通直流阻互换，频率越高，线圈阻抗越大。
电感在电路中可与 电容组成振荡电路。

电感一样平常有直标法和色标法，色标法与电阻类似。
如：棕、黑、金、金表示1uH（偏差5%）的电感。

电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=103mH=106uH。

变容二极管

变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变革而变革这一事理专门设计出来的一种分外二极管。
变容二极管在无绳电话机中紧张用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频旗子暗记调制到高频旗子暗记上，并发射出去。
在事情状态，变容二极管调制电压一样平常加到负极上，使变容二极管

的内部结电容容量随调制电压的变革而变革。
变容二极管发生故障，紧张表现为泄电或性能变差：

（1）发生泄电征象时，高频调制电路将不事情或调制性能变差。

（2）变容性能变差时，高频调制电路的事情不稳定，使调制后的高频旗子暗记发送到对方被对方吸收后产生失落真。
涌现上述情形之一时，就该当改换同型号的变容二极管。

晶体三极管

晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。

1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的分外器件。
它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工 作特性上可相互填补，所谓OTL电路中的对管便是由PNP型和NPN型配对利用。
电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9012、9015等型号； NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013等型号。

2、晶体三极管紧张用于放大电路中起放大浸染，在常见电路中有三种接法。
为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。

场效应晶体管放大器

1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛运用于各种电子设备中。
尤其用场效管做全体电子设备的输入级，可以得到一样平常晶体管很难达到的性能。

2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其掌握事理都是一样的。
如图1-1-1是两种型号的表示符号：

3、场效应管与晶体管的比较：

（1）场效应管是电压掌握元件，而晶体管是电流掌握元件。
在只许可从旗子暗记源取较少电流的情形下，应选用场效应管；而在旗子暗记电压较低，又许可从旗子暗记源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

（2）场效应管是利用多数载流子导电，以是称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。

（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换利用，栅压也可正可负，灵巧性比晶体管好。

（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下事情，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的运用。

最常用的电子元件型号

整流二极管：

1N4001~1N4007 50V~1000~/1。
0A 1N5391~1N5399 50V~1000V/1。
5A 1N5400~1N5408 50V~1000V/3。
0A

开关二极管：

1N4148 1N4150 1N4448

肖特基二极管：

1N5817~1N5819 20V~40V/1。
0A 1N5820~1N5822 20V~40V/3。
0A 1N60 1N60P小电流低压降

光电耦合器：

4N35 4N36 4N37

晶体三极管：

PNP：8550 9012 9015 A92

NPN：8050 9013 9014 9018

D/A转换器：

AD7520 AD7521 AF7530 AD7521

8位：DAC0830 DAC0832 （D/A ）12位：AD7541 （D/A）

8位：ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838（A/D）

跨导运算变压器：

CA3080 CA3080A OTA

BiMOS运算变压器：

CA3140 CA3140A

DB3 双向触发二极管

快规复二极管：

FR101~FR107 50V~1000/1。
0A

三位半A/D转换器：

ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117

载波稳零运算放大器：

ICL7650

CMOS电源电压变换器：

ICL7660/MAX1044

单片函数发生器：

ICL8038

通用计数器：

ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz

带BCD输出10MZ通用计数器：

ICM7226A ICM7226B

单/双通用定时器：

ICM7555 ICM7555

DTMF 收发器：

ISO2-CMOS MT8880C

JFET输入运算放大器：

LF351

FJET输入宽带高速双运算放大器：

LF353

三端可调电源：

LM117 LM317A LM317

低功耗四运算放大器：

LM124 LM124 LM324 LM2920

三端可调负电压调度器：

LM137 LM337

低功耗四电压比较器：

LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302

可关断开关电源：

LM1575-3.3、LM2575-3.3、LM2575HV-3.3、LM1575- 5.0、LM2575-5.0、LM2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、 LM2575HV-12、LM1575-15, LM2575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJ LM2576-3.3、LM2576HV-3.3、LM2576-5.0、LM2576HV- 5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM2576-15、LM2576HV-15、 LM2576-ADJ

低功耗双运算放大器：

LM158 LM258 LM358 LM2904

低功耗双电压比较器：

LM193 LM293 LM393 LM2903

通用运算放大器：

LM201 LM301 LM741

精密电压 频率转换器：

LM231A LM231 LM331A LM331

微功耗基准电压二极管：

LM285 LM358

精密运算放大器：

LM308A

低压音频小功率放大器：

LM386

带温度稳定器精密电压基准电路：

LM299 LM399 LM3999

可调电压基准电路：

LM431

锁相环音频译码器：

LM657 LM657C

双低噪声音频功率放大器：

LM831 LM833

双定时LED电子钟电路：

LM8365

单片函数发生器；

MAX038 0。
1~20MZ

5V电源多通道RS232驱动器/吸收器：

MAX232

七路达林顿驱动器：

MC1413 MC1416

编码器/译码器：

MC145026 MC145027 MC145028

MC145023-5/8 RS232驱动器：

MC145403 MC145404 MC145405 MC145408

RS232驱动器/吸收器：

MC145406 MC145407

四施密特可控线路驱动器：

MC1489 MC1489A SN55189 SN55189A SN75189 SN75189A

低功率调频发射系统：

MC2833

低功率调频窄频带吸收器：

MC3362

双运算放大器：

MC4558

MC7800系列 1。
0A三端正电压稳压器：

MC7805（5.0V）、LM340-5（5.0V）、MC7806（6.0V）、MC7808 （8.0V）、MC7809（9.0V）、MC7812（12V）、LM340-12（12V）、 MC7815（15V）、LM340-15（15V）、MC7818（18V）、MC7824 （24V）

MC78L00系列 0。
5A三端正电压稳压器：

MC78M05（5.0V）、MC78M06（6.0V）、MC78M08（8.0V）、MC78M09 （9.0V）、MC78M12（12V）、MC78M15（15V）、MC78M18（18V）、 MC78M20（20V）、MC78M24（24V）

MC78T00系列 3。
0A正电压稳压器：

MC78T05（5.0V）、MC78T08（8.0V）、MC78T12（12V）、MC78T15 （15V）

MC7900系列 1。
0三端负电压稳压器：

MC7905（5.0V）、MC7905.2（5.2V）、MC7906（6.0V）、MC7908 （8.0V）、MC7912（12V）、MC7915（15V）、MC7918（18V）、 MC7924（24V）

MC79L00系列 0。
1A 三端负电压稳压器：

MC79L05（5.0V）、MC79L12（12V）、MC79L15（15V）、MC79L18 （18V）、MC79L24（24V）

MC79M00系列 0。
5A 三端负电压稳压器：

MC79M05（5.0V）、MC79M08（8.0V）、MC79M12（12V）、MC79M15 （15V）

Microchip PIC 系列单片机RS232通讯运用：

579545MHZ--60HZ 17级分频振荡器：

MM5369

双向可控硅输出光电耦合器：

MOC3009 MOC3012 （250V） MOC3020 MOC3023 （400V）

DTMF双音频吸收器：

MT8870C MT8870C-1

DTMF 收发器：

MT8888C

单时基电路：

NE555 NE555Y SA555 SE555

双时基电路：

NE556 SA556 SE556

音频压缩扩展器：

NE570 NE571 SA571

低电压飘移运算放大器：

OP07 OP77

低噪音精密运算放大器：

OP27

低噪音高精密运算放大器：

OP37

精密低电压微功耗运算放大器：

OP90

高效光电耦合器：

PC817 PC827 PC837 PC847

无线遥控发射编码器芯片：

PT2262

无线遥控吸收解码器芯片：

PT2272

脉宽市制PWM：

SG2524 SG3524

电力线调制解诘器电路：

ST7537

音频功率放大器：

TDA1521/TDA1521Q 212W Hi-Fi

TDA2030 14W Hi-fi

TDA2616/TDA2616Q 212W Hi-Fi

FM 单片调频吸收电路：

TDA7000T TDA7010T

FM MTS 单片调节器频吸收电路：

TDA7021T

低电压锁相环立体解码器：

TDA7040T

低电压单/双声道功率放大器：

TDA7050

低功耗JFET输入运算放大器：

TL062 TL064

低噪声JFET输入运算放大器：

TL071 TL072 TL074

JFET输入宽带高速运算放大器：

TL081 TL082 TL084

脉宽调制PWM：

TL494

精密开关模式脉宽调制掌握：

TL594

光电耦合器：

TLP521-1/TLP521-2/TLP521-4

PWM Switch：

TOP100/TOP101/TOP102/TOP103/TOP104 TOP200/TOP201/TOP202/TOP203/TOP204/TOP214 TOP209/TOP210

线性八外围驱动器阵列：

ULN2803 ULN2804

（八路NPN达林顿连接晶体管阵系列特殊适用于低逻辑电平数字电路（诸如TTL, CMOS或PMOS/NMOS）和较高的电流/电压哀求之间的接口，广泛运用于打算机，工业用和消费类产品中的灯、继电器、打印锤或其它类似负载中。
所有器件具有集电极开路输出和续流箝位二极管，用于抑制跃变。
ULN2803的设计与标准TTL系列兼容，而ULN2804 最适于6至15伏高电平CMOS或PMOS。

二级管的分类及特性

一、根据布局分类

半导体二极管紧张是依赖PN结而事情的。
与PN结不可分割的点打仗型和肖特基型，也被列入一样平常的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN构造造面的特点，把晶体二极管分类如下：

1、点打仗型二极管

点打仗型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型比较较，点打仗型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能利用于大电流和整流。
由于布局大略，以是价格便宜。
对付小旗子暗记的检波、整流、调制、混频和限幅等一样平常用场而言，它是运用范围较广的类型。

2、键型二极管

键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点打仗型二极管和合金型二极管之间。
与点打仗型比较较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特殊优秀。
多作开关用，有时也被运用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

3、合金型二极管

在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，以是不适于高频检波和高频整流。

4、扩散型二极管

在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，利用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

5、台面型二极管

PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品堕落掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料利用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对付这一类型来说，彷佛大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

6、平面型二极管

在半导体单晶片（紧张地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽浸染，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
因此，不须要为调度PN结面积的药品堕落浸染。
由于半导体表面被制作得平整，故而得名。
并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，以是公认为是稳定性好和寿命长的类型。
最初，对付被利用的半导体材料是采取外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。
对平面型二极管而言，彷佛利用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

7、合金扩散型二极管

它是合金型的一种。
合金材料是随意马虎被扩散的材料。
把难以制作的材料通过奥妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中得到杂质的恰当的浓度分布。
此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。

8、外延型二极管

用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。
制造时须要非常高超的技能。
因能随意地掌握杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。

9、肖特基二极管

基本事理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的打仗面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流浸染事理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V旁边。
其特长是：开关速率非常快：反向规复韶光trr特殊地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

二、根据用场分类

1、检波用二极管

就事理而言，从输入旗子暗记中取出调制旗子暗记是检波，以整流电流的大小（100mA）作为边界常日把输出电流小于100mA的叫检波。
锗材料点打仗型、事情频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。
类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。
也有为调频检波专用的特性同等性好的两只二极管组合件。

2、整流用二极管

就事理而言，从输入互换中得到输出的直流是整流。
以整流电流的大小（100mA）作为边界常日把输出电流大于100mA的叫整流。
面结型，事情频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。
分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆事情频率近100KHz的2CLG型。

3、限幅用二极管

大多数二极管能作为限幅利用。
也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。
为了使这些二极管具有特殊强的限定尖锐振幅的浸染，常日利用硅材料制造的二极管。
也有这样的组件出售：依据限定电压须要，把多少个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。

4、调制用二极管

常日指的是环形调制专用的二极管。
便是正向特性同等性好的四个二极管的组合件。
纵然其它变容二极管也有调制用场，但它们常日是直接作为调频用。

5、混频用二极管

利用二极管混频办法时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采取肖特基型和点打仗型二极管。

6、放大用二极管

用二极管放大，大致有依赖隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。
因此，放大用二极管常日是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。

7、开关用二极管

有在小电流下（10mA程度）利用的逻辑运算和在数百毫安下利用的磁芯勉励用开关二极管。
小电流的开关二极管常日有点打仗型和键型等二极管，也有在高温下还可能事情的硅扩散型、台面型和平面型二极管。
开关二极管的特长是开关速率快。
而肖特基型二极管的开关韶光特短，因而是空想的开关二极管。
2AK型点打仗为中速开关电路用；2CK型平面打仗为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速率快、效率高。

8、变容二极管

用于自动频率掌握（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。
日本厂商方面也有其它许多叫法。
通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变革。
因此，被利用于自动频率掌握、扫描振荡、调频和调谐等用场。
常日，虽然是采取硅的扩散型二极管，但是也可采取合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等分外制作的二极管，由于这些二极管对付电压而言，其静电容量的变革率特殊大。
结电容随反向电压VR变革，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。

9、频率倍增用二极管

对二极管的频率倍增浸染而言，有依赖变容二极管的频率倍增和依赖阶跃（即急变）二极管的频率倍增。
频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率掌握用的变容二极管的事情事理相同，但电抗器的布局却能承受大功率。
阶跃二极管又被称为阶跃规复二极管，从导通切换到关闭时的反向规复韶光trr短，因此，其特长是连忙地变成关闭的转移韶光显著地短。
如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移韶光）短，以是输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。

10、稳压二极管

是代替稳压电子二极管的产品。
被制作成为硅的扩散型或合金型。
是反向击穿特性曲线急骤变革的二极管。
作为掌握电压和标准电压利用而制作的。
二极监工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V旁边到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。
在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。
事情在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一样平常为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。

11、PIN型二极管（PIN Diode）

这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）布局的晶体二极管。
PIN中的I是\"大众本征\"大众意义的英文略语。
当其事情频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和\"大众本征\"大众层中的渡越韶光效应，其二极管失落去整流浸染而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。
在零偏置或直流反向偏置时，\"大众本征\"大众区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入\"大众本征\公众区，而使\公众本征\公众区呈现出低阻抗状态。
因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件利用。
它常被运用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。

12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)

它是在外加电压浸染下可以产生高频振荡的晶体管。
产生高频振荡的事情事理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片须要一定的韶光，以是其电流滞后于电压，涌现延迟韶光，若适当地掌握渡越韶光，那么，在电流和电压关系上就会涌现负阻效应，从而产生高频振荡。
它常被运用于微波领域的振荡电路中。

13、江崎二极管 （Tunnel Diode）

它因此隧道效应电流为紧张电流分量的晶体二极管。
其基底材料是砷化镓和锗。
其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。
隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。
发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。
江崎二极管为双端子有源器件。
其紧张参数有峰谷电流比（IP／PV），个中，下标\"大众P\公众代表\"大众峰\"大众；而下标\"大众V\"大众代表\公众谷\公众。
江崎二极管可以被运用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其事情频率可达毫米波段），也可以被运用于高速开关电路中。

14、快速关断（阶跃规复）二极管 (Step Recovary Diode)

它也是一种具有PN结的二极管。
其构造上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成\公众自助电场\"大众。
由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流须要经历一个\"大众存贮韶光\公众后才能降至最小值（反向饱和电流值）。
阶跃规复二极管的\公众自助电场\公众缩短了存贮韶光，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。
利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。
快速关断（阶跃规复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。

15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）

它是具有肖特基特性的\"大众金属半导体结\"大众的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除材料外，还可以采取金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采取硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，以是，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，以是其频率响仅为RC韶光常数限定，因而，它是高频和快速开关的空想器件。
其事情频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

16、阻尼二极管

具有较高的反向事情电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。

17、瞬变电压抑制二极管

TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。

18、双基极二极管（单结晶体管）

两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。

19、发光二极管

用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。
事情电压低，事情电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。

三、根据特性分类

点打仗型二极管，按正向和反向特性分类如下。

1、一样平常用点打仗型二极管

这种二极管正如标题所说的那样，常日被利用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特殊好，也不特殊坏的中间产品。
如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。

2、高反向耐压点打仗型二极管

是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。
利用于高压电路的检波和整流。
这种型号的二极管一样平常正向特性不太好或一样平常。
在点打仗型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。
这种锗材料二极管，其耐压受到限定。
哀求更高时有硅合金和扩散型。

3、高反向电阻点打仗型二极管

正向电压特性和一样平常用二极管相同。
虽然其反方向耐压也是特殊地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。
利用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。

4、高传导点打仗型二极管

它与高反向电阻型相反。
其反向特性只管很差，但使正向电阻变得足够小。
对高传导点打仗型二极管而言，有SD56、1N56A等等。
对高传导键型二极管而言，能够得到更优秀的特性。
这类二极管，在负荷电阻特殊低的情形下，整流效率较高。

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