GE-IS210AEDBH4AGD可控硅是可控硅整流元件的简称

可控硅从形状上区分紧张有螺旋式、平板式和平底式三种。

可控硅事情事理解析

可控硅构造原件

可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和掌握极(G)，管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层构造，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流二极管在构造上迥然不同。
可控硅的四层构造和掌握极的引入，为其发挥“以小控大”的精良掌握特性奠定了根本。
可控硅运用时，只要在掌握极加上很小的电流或电压，就能掌握很大的阳极电流或电压。
目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。
一样平常把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。
个中第二、第三层为两管交迭共用。
可画出图1的等效电路图。
当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E，又在掌握极G和阴极C之间(相称BG2的基一射间)输入一个正的触发旗子暗记，BG2将产生基极电流Ib2，经放大，BG2将有一个放大了2 倍的集电极电流IC2 。
由于BG2集电极与BG1基极相连，IC2又是BG1 的基极电流Ib1 。
BG1又把Ib1(Ib2)放大了1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。
如此循环放大，直到BG1、BG2完备导通。
事实上这一过程是“一触即发”的，对可控硅来说，触发旗子暗记加到掌握极，可控硅立即导通。
导通的韶光紧张决定于可控硅的性能。

可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的缘故原由，流入BG2基极的电流已不但是初始的Ib2 ，而是经由BG1、BG2放大后的电流(12Ib2)，这一电流远大于Ib2，足以保持BG2的持续导通。
此时触发旗子暗记纵然消逝，可控硅仍保持导通状态，只有断开电源E或降落E的输出电压，使BG1、BG2 的集电极电流小于坚持导通的最小值时，可控硅方可关断。
当然，如果E极性反接，BG1、BG2受到反向电压浸染将处于截止状态。
这时，纵然输入触发旗子暗记，可控硅也不能事情。
反过来，E接成正向，而触动发旗子暗记是负的，可控硅也不能导通。
其余，如果不加触发旗子暗记，而正旭日极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常事情情形了。

可控硅这种通过触发旗子暗记(小触发电流)来掌握导通(可控硅中通过大电流)的可控特性，正是它差异于普通硅整流二极管的主要特色。

由于可控硅只有导通和关断两种事情状态，以是它具有开关特性，这种特性须要一定的条件才能转化，此条件见表1