进一步扩展氮化镓700V范围内应用英飞凌宣告新一代CoolGaN

2024年7月9日，英飞凌在慕尼黑电子展（Electronica）期间召开媒体发布会，重磅发布了多款CoolGaN™系列新品。
英飞凌科技大中华区消费、打算与通讯业务市场总监程文涛（图左）、高等首席工程师宋清亮（图右）出席了本次媒体会，为与会高朋带来新产品的详细先容并回答了干系提问。

英飞凌最新推出的CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列晶体管，进一步扩展了氮化镓（GaN）在40 V至700 V电压范围内的运用。
这些新一代中压CoolGaN™ G3系列和高压CoolGaN™ G5系列晶体管，均采取英飞凌自主研发的高性能8英寸晶圆工艺制造，展示了其优胜的技能上风和广泛的运用前景。

CoolGaN™ G3中压晶体管覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的电压等级，以及40 V的双向开关（BDS）器件，紧张运用于电机驱动、电信、数据中央、太阳能和消费领域。

新一代650 V G5系列高压产品基于GIT技能，适用于消费、数据中央、工业和太阳能等领域。
这些晶体管不仅具备出色的软开关和硬开关性能，还供应40 V、650 V和850 V电压的CoolGaN™双向开关（BDS），显著提升了运用效率和可靠性。

CoolGaN™ BDS 650 V和850 V采取真正的常闭单片双向开关，具备四种事情模式。
通过利用一个BDS代替传统的四个晶体管，可以显著提高系统的效率、密度和可靠性，极大地降落了本钱。
CoolGaN™ BDS 40 V基于英飞凌肖特基栅极氮化镓技能的常闭单片双向开关，能够阻断两个方向的电压，并通过单栅极共源极设计进行了优化，以替代电池供电消费产品中的背对背MOSFET。
与传统的背对背硅FET比较，利用40 V GaN BDS可以节省50%-75%的PCB面积，降落50%以上的功率损耗，并减少本钱。

这些新型CoolGaN™晶体管目标运用和市场涵盖了移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。
CoolGaN™ 智能感应（Smart Sense）技能具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降落了功率损耗，具备2kV的静电放电耐受能力，可以连接到掌握器电流感应以实现峰值电流掌握和过流保护。
其电流检测相应韶光约为200 ns，小于即是普通掌握器的消隐韶光，具有极高的兼容性。

英飞凌最新推出的CoolGaN™ G3和G5系列晶体管标志着其氮化镓（GaN）技能在中压和高压领域再进一步。
通过采取自主研发的高性能8英寸晶圆工艺，这些晶体管不仅供应了更高的效率和可靠性，还显著降落了功率损耗和本钱，极大地优化了电机驱动、电信、数据中央、太阳能等领域的运用性能。

CoolGaN™ G3和G5系列的引入使消费电子设备、移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等领域的设计和运用变得更加高效和简化。
随着这些新一代晶体管的广泛运用，相信英飞凌在氮化镓技能领域的领先地位将进一步巩固，同时也将为客户带来更多优质的办理方案，知足市场的多样化需求。