三星宣布BSPDN技能新打破：2纳米芯片尺寸缩小17%

【环球网科技综合宣布】8月23日，据韩国经济日报宣布，三星电子副总裁兼晶圆代工厂PDK开拓团队主管Sungjae Lee于当地韶光8月22日，先容了该公司在半导体技能领域的最新打破——BSPDN（背面供电网络）技能。
这项创新技能将使2纳米芯片的尺寸缩小17%，同时实现性能提升8%、功耗降落15%的显著优化。

Sungjae Lee表示，BSPDN技能是一项主要的技能改造，它通过在芯片的背面构建供电网络，有效地减小了芯片的尺寸，并提升了其性能和能效。

他还透露，三星操持从2027年起，将BSPDN技能运用于2纳米工艺的量产中。
这意味着，在未来几年内，我们将有望看到更小、更快、更节能的芯片产品问世，为电子设备的性能提升和功耗降落带来全新的可能。