长鑫存储申请半导体结构的制作方法及半导体结构专利能够减小处理工序、削减处理时长、节约分娩成本

专利择要显示，本公开供应一种半导体构造的制作方法及半导体构造，涉及半导体技能领域，半导体构造的制作方法包括，供应待刻蚀构造，待刻蚀构造包括第一区域和第二区域，第一区域的待刻蚀构造的顶面高于第二区域的待刻蚀构造的顶面；形成介质层，介质层覆盖第二区域的待刻蚀构造的顶面；刻蚀待刻蚀构造，去除位于第一区域的部分待刻蚀构造；研磨待刻蚀构造和介质层，去除介质层和部分待刻蚀构造，被保留的待刻蚀构造的顶面的高度为第一目标高度。
在本公开中，以介质层作为掩膜刻蚀待刻蚀构造减小第一区域和第二区域的高度差，无需采取光刻工艺，能够减小处理工序、减少处理时长、节约生产本钱。

本文源自金融界