为国产芯再立功！对标台积电7nm中芯国际首款N+1工艺芯片迎打破

被外界称为对标台积电7nm工艺的中芯国际N+1工艺近期再获新打破。
据IT之家10月11日宣布，我国一站式IP定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）发布称，该公司已完玉成球首个基于中芯国际FinFET N+1前辈工艺的流片和测试，所有IP全自主国产，且功能测试一次通过。

所谓完成芯片流片，也就意味着该制程工艺已经具备故意义的“良品率”，并且可以考试测验进行批量生产。
截至发稿，中芯国际港股涨超10%，成交额超9亿港元。

这次成功流片是芯动科技与中芯国际“强强互助”，打破N+1工艺瓶颈的成果。
自2019年开始，芯动科技就在中芯国际N+1工艺尚待成熟的情形下，投入数千万进行优化设计，并投入技能团队全程攻坚克难，成功助力中芯国际打破N+1工艺良率瓶颈。

在今年3月尾，中芯国际也表示，前辈工艺正是中芯国际今年发展的重点，接下来该公司会转向下一代工艺——N+1及N+2代FinFET工艺的研发。

N+1工艺是中芯国际再第一代前辈工艺14nm量产后，第二代前辈工艺的代号。
据透露，与14nm比较，N+1工艺有了更大的打破——性能提升20%、功耗降落57%以及逻辑面积缩小63%等；而在N＋1之后，中芯国际还将动手研发性能更高的N+2。

总的来说，这次环球第一款基于中芯国际N+1工艺芯片流片成功，为实现大规模量产迈出了坚实一步，也为国产芯片的发展增长了力度。

文 | 林妙琼 题 | 曾云梓 图|饶建宁 审 |廖力思