一文看懂光刻胶

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光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的稠浊液体。
其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。
光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所须要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。
依据利用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。

据第三方机构智研咨询统计，2019年环球光刻胶市场规模估量近90亿美元，自 2010年至今CAGR约5.4%。
估量该市场未来3年仍将以年均5%的速率增长，至2022年环球光刻胶市场规模将超过100亿美元。
光刻胶按运用领域分类，可分为 PCB 光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。
环球市场上不同种类光刻胶的市场构造较为均衡，详细占比可以如下图所示。

（环球光刻胶市场构造）

智研咨询的数据还显示，受益于半导体、显示面板、PCB家当东移的趋势，自 2011年至今，光刻胶中国本土供应规模年华增长率达到11%，高于环球均匀 5%的增速。
2019年中国光刻胶市场本土企业发卖规模约70亿元，环球占比约 10%，发展空间巨大。
目前，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。
中国本土光刻胶企业生产构造可以如图所示。

（中国本土光刻胶企业生产构造）

光刻胶分类

在平板显示行业；紧张利用的光刻胶有彩色及玄色光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等。
在光刻和蚀刻生产环节中，光刻胶涂覆于晶体薄膜表面，经曝光、显影和蚀刻等工序将光罩（掩膜版）上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版对应的几何图形。

（光刻胶胶涂工艺）

在PCB行业；紧张利用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。
干膜是用分外的薄膜贴在处理后的敷铜板上，进行曝光显影；湿膜和光成像阻焊油墨则是涂布在敷铜板上，待其干燥后进行曝光显影。
干膜与湿膜各有上风，总体来说湿膜光刻胶分辨率高于干膜，价格更低廉，正在对干膜光刻胶的部分市场进行替代。

（液晶屏显彩色滤光膜制造有赖于彩色光刻胶）

在半导体集成电路制造行业；紧张利用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。
在大规模集成电路的制造过程中，一样平常要对硅片进行超过十次光刻。
在每次的光刻和刻蚀工艺中，光刻胶都要通过预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节，将光罩（掩膜版）上的图形转移到硅片上。

（感光阻焊油墨用于 PCB）

光刻胶是集成电路制造的主要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键成分。
光刻工艺的本钱约为全体芯片制造工艺的35%，并且耗费韶光约占全体芯片工艺的40%-50%。
光刻胶材料约占IC制造材料总本钱的4%，市场巨大。
因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。

（正性光刻胶显影示意图）

按显示效果分类；光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。
负性光刻胶显影时形成的图形与光罩（掩膜版）相反；正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同。
两者的生产工艺流程基本同等，差异在于紧张原材料不同。

（负性光刻胶显影示意图）

按照化学构造分类；光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。
光聚合型光刻胶采取烯类单体，在光浸染下天生自由基，进一步引发单体聚合，末了天生聚合物；

（光聚合反应示意图）

光分解型光刻胶，采取含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；光交联型光刻胶采取聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的浸染下，形成一种不溶性的网状构造，而起到抗蚀浸染，可以制成负性光刻胶。

（光分解反应示意图）

在半导体集成电路光刻技能开始利用深紫外（DUV）光源往后，化学放大（CAR）技能逐渐成为行业运用的主流。
在化学放大光刻胶技能中，树脂是具有化学基团保护因而难以溶解的聚乙烯。
化学放大光刻胶利用光致酸剂（PAG）作为光引发剂。

（光交联反应示意图）

当光刻胶曝光后，曝光区域的光致酸剂（PAG）将会产生一种酸。
这种酸在后热烘培工序期间作为催化剂，将会移除树脂的保护基团从而使得树脂变得易于溶解。
化学放大光刻胶曝光速递是DQN光刻胶的10倍，对深紫外光源具有良好的光学敏感性，同时具有高比拟度，对高分辨率等优点。

（化学放大光反应示意图）

按照曝光波长分类；光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。
不同曝光波长的光刻胶，实在用的光刻极限分辨率不同。
常日来说，在利用工艺方法同等的情形下，波长越短，加工分辨率越佳。

（光刻胶分类总结）

光刻胶是半导系统编制程技能进步的“燃料”

在集成电路制造领域，如果说光刻机是推动制程技能进步的“引擎”，光刻胶便是这部“引擎”的“燃料”。
下图展示了光刻胶如何在一个NMOS三极管的制造工艺中发挥浸染。
NMOS三级管是半导系统编制程工艺中最常用的集成电路构造之一。

（一种 NMOS 三极管集成电路构造的制造过程）

在这样一个范例例子中，步骤1中的绿色部分代表赤色部分多晶硅材料被涂上了一层光刻胶。
在步骤2的光刻曝光过程中，玄色的掩膜遮挡范围之外的光刻胶被都被光刻光源照射，发生了化学性子的改变，在步骤3中表现为变成了墨绿色。
在步骤4里，经由显影之后，赤色表征的多晶硅材料上方只有之前被光罩遮挡的地方留下了光刻胶材料。

于是，光罩（掩模版）上的图形就被转移到了多晶硅材料上，完成了“光刻”的过程。
在此后的步骤5到步骤7里，基于“光刻”过程在多晶硅材料上留下的光刻胶图形，“多晶硅层刻蚀”、“光刻胶洗濯”和“N+离子注入”工艺共同完成了一个NMOS 三极管的布局。

上图步骤1中的光刻胶涂胶过程也是一种主要的半导体工艺。
其目的便是在晶圆表面建立轻薄，均匀且没有缺陷的光刻胶膜。
一样平常来说，光刻胶膜厚度从0.5um到1.5um 不等，厚度的偏差须要在正负0.01um以内。
半导体光刻胶的涂敷方法紧张是旋转涂胶法，详细可以分为静态旋转法和动态喷洒法。

（静态旋转法涂胶过程示意图）

静态旋转法：首先把光刻胶通过滴胶头堆积在硅片的中央，然后低速旋转使得光刻胶铺开，再以高速旋转甩掉多余的光刻胶。
在高速旋转的过程中，光刻胶中的溶剂会挥发一部分。
这个过程可以如图表16中所示。
静态涂胶法中的光刻胶堆积量非常关键，量少了会导致光刻胶不能充分覆盖硅片，量大了会导致光刻胶在硅片边缘堆积乃至流到硅片的背面，影响工艺质量。

（合格与不合格的静态涂胶过程示意图）

动态喷洒法：随着硅片尺寸越来越大，静态涂胶已经不能知足最新的硅片加工需求。
相对静态旋转法而言，动态喷洒法在光刻胶对硅片进行浇注的时候就开始以低速旋转帮助光刻胶进行最初的扩散。
这种方法可以用较少量的光刻胶形成更均匀的光刻胶铺展，终极以高速旋转形成知足厚薄与均匀度哀求的光刻胶膜。

（动态喷洒法涂胶过程示意图）

随着IC集成度的提高，天下集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。
集成电路线宽不断缩小的趋势，对包括光刻在内的半导系统编制程工艺提出了新的寻衅。
在半导系统编制程的光刻工艺中，集成电路线宽的特色尺寸可以由如右所示的瑞利公式确定：CD= k1/NA

（瑞利公式中各个参数的意义）

CD (Critical Dimension)表示集成电路制程中的特色尺寸；k1是瑞利常数，是光刻系统中工艺和材料的一个干系系数；是曝光波长，而NA(Numerical Aperture)则代表了光刻机的孔径数值。
因此，光刻机须要通过降落瑞利常数和曝光波长，增大孔径尺寸来制造具有更小特色尺寸的集成电路。
个中降落曝光波长与光刻机利用的光源以及光刻胶材料高度干系。

历史上光刻机所利用的光源波长呈现出与集成电路关键尺寸同步缩小的趋势。
不同波长的光刻光源哀求截然不同的光刻设备和光刻胶材料。
在20世纪80年代，半导系统编制成的主流工艺尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之间。
那时候波长436nm的光刻光源被广泛利用。
在90年代前半期，随着半导系统编制程工艺尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演进，光刻开始采取365nm波长光源。

436nm和365nm光源分别是高压汞灯中能量最高，波长最短的两个谱线。
高压汞灯技能成熟，因此最早被用来当作光刻光源。
利用波是非，能量高的光源进行光刻工艺更随意马虎引发光化学反应、提高光刻分别率。
以研究光谱而有名的近代德国科学家约瑟夫弗劳恩霍夫将这两种波长的光谱分别命名为G线和I线。
这也是 g-line光刻和 i-line光刻技能命名的由来。

g-line与i-line光刻胶均利用线性酚醛身分作为树脂主体，重氮萘醌身分（DQN 体系）作为感光剂。
未经曝光的DQN身分作为抑制剂，可以十倍或者更大的倍数降落光刻胶在显影液中的溶解速率。

曝光后，重氮萘醌(DQN)基团转变为烯酮，与水打仗时，进一步转变为茚羟酸，从而得以在曝光区被稀碱水显影时撤除。
由此，曝光过的光刻胶会溶解于显影液而被去除，而未曝光的光刻胶部分则得以保留。
虽然g-line光刻胶和i-line 光刻胶利用的身分类似，但是其树脂和感光剂在微不雅观构造上均有变革，因而具有不同的分辨率。
G-line光刻胶适用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成电路制作，而i-line光刻胶利用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成电路制作。

此外，这两种光刻胶均可以用于液晶平板显示等较大面积电子产品的制作。

90年代后半期，屈服摩尔定律的指引，半导系统编制程工艺尺寸开始缩小到0.35um（350nm）以下，因而开始哀求更高分辨率的光刻技能。
深紫外光由于波长更短，衍射浸染小，以是可以用于更高分辨率的光刻光源。
随着 KrF、ArF等罕有气体卤化物准分子引发态激光光源研究的发展，248nm（KrF）、193nnm（ArF）的光刻光源技能开始成熟并投入实际利用。

然而,由于 DQN 体系光刻胶对深紫外光波段的强烈接管效应，KrF和ArF作为光刻气体产生的射光无法穿透DQN光刻胶，这意味着光刻分辨率会受到严重影响。
因此深紫外光刻胶采纳了与i-line和g-line光刻胶完备不同的技能体系，这种技能体系被称为化学放大光阻体系(Chemically Amplified Resist, CAR)。

在CAR技能体系中，光刻胶中的光引发剂经由曝光后并不直接改变光刻胶在显影液中的溶解度，而是产生酸。
在后续的热烘培流程的高温环境下，曝光产生的酸作为催化剂改变光刻胶在显影液中的溶解度。
因此CAR技能体系下的光引发剂又叫做光致酸剂。

由于CAR光刻胶的光致酸剂产生的酸本身并不会在曝光过程中花费而仅仅作为催化剂而存在，因此少量的酸就可以持续地起到有效浸染。
CAR光刻胶的光敏感性很强，所须要从深紫外辐命中接管的能量很少，大大加强了光刻的效率。
CAR 光刻胶曝光速递是 DQN 光刻胶的10倍旁边。

从 90 年代后半期开始，光刻光源就开始采取 248nm 的 KrF 激光；而从 2000 年代开始，光刻就进一步转向利用193nm 波长的 ArF 准分子激光作为光源。
在那之后一贯到本日的约 20 年里，193nm 波长的 ArF 准分子激光一贯是半导系统编制程领域性能最可靠，利用最广泛的光刻光源。

一样平常而言，KrF（248nm）光刻胶利用聚对羟基苯乙烯及其衍生物作为成膜树脂，利用磺酸碘鎓盐和硫鎓盐作为光致酸剂；而ArF（193nm）光刻胶则多利用聚甲基丙烯酸酯衍生物，环烯烃-马来酸酐共聚物，环形聚合物等作为成膜树脂；由于化学构造上的缘故原由，Arf(193nm)光刻胶须要比KrF（248nm）光刻胶更加敏感的光致酸剂。

虽然在2007年之后，一些波长更短的准分子光刻光源技能陆续涌现，但是这些波段的辐射都很随意马虎被光刻镜头等光学材料接管，使这些材料受热产生膨胀而无法正常事情。
少数可以和这些波段的辐射正常事情的光学材料，比如氟化钙（萤石）等，本钱长期居高不下。
再加上浸没光刻和多重曝光等新技能的涌现，193nm波长ArF光刻系统打破了此前 65nm 分辨率的瓶颈，以是在45nm 到10nm之间的半导系统编制程工艺中，ArF光刻技能仍旧得到了最广泛的运用。

（光刻用光源技能演进）

浸没光刻；在与浸没光刻相对的干法光刻中，光刻透镜与光刻胶之间是空气。
光刻胶直接接管光源发出的紫外辐射并发生光化学反应。
在浸没光刻中，光刻镜头与光刻胶之间是特定液体。
这些液体可以是纯水也可以是别的化合物液体。
光刻光源发出的辐射经由这些液体的时候发生了折射，波长变短。
这样，在不改变光源的条件条件下，更短波长的紫外光被投影光刻胶上，提高了光刻加工的分辨率。
下图左展示了一个范例的浸没光刻系统。

（范例的浸没光刻系统）

双重光刻；双重光刻的意思是通过两次光刻使得加工分辨率翻倍。
实现这个目的的一种方法是在第一次光刻过后平移同一个光罩进行第二次光刻，以提高加工分辨率。
下图右展示了这样一个过程。
下图右中双重光刻子进行了两次涂胶，两次光刻和两次刻蚀。
随着光刻胶技能的进步，仅须要一次涂胶，两次光刻和一次刻蚀的双重光刻工艺也成为可能。

（双重光刻使加工分辨率翻倍）

浸没光刻和双重光刻技能在不改变 193nm波长ArF光刻光源的条件下，将加工分辨率推向10nm的数量级。
与此同时，这两项技能对光刻胶也提出了新的哀求。
在浸没工艺中；光刻胶首先不能与浸没液体发生化学反应或浸出扩散，损伤光刻胶自身和光刻镜头；其次，光刻胶的折射率必须大于透镜，液体和顶部涂层。
因此光刻胶中主体树脂的折射率一样平常哀求达到1.9以上；接着，光刻胶不能在浸没液体的浸泡下和后续的烘烤过程中发生形变，影响加工精度；末了，当浸没工艺目标分辨率靠近10nm时，将对付光刻胶多个性能指标的权衡都提出了更加苛刻的寻衅。
浸没 ArF 光刻胶制备难度大于干性 ArF 光刻胶，是 ArF光刻加工分辨率打破 45nm 的关键之一。

（不合格的双重曝光）

在双重曝光工艺中，若光刻胶可以接管多次光刻曝光而不在光罩遮挡的区域发生光化学反应，就可以节省一次刻蚀，一次涂胶和一次光刻胶洗濯流程。
下图左展示了一次不合格的双重曝光过程。
由于在非曝光区域光刻胶仍旧会接管到相对少量的光刻辐射，在两次曝光过程后，非曝光区域接管到的辐射有可能超过光刻胶的曝光阈值E0，而发生缺点的光刻反应。
不才图右中，非曝光区域的光刻胶在两次曝光后接管到的辐射能量仍旧小于其曝光阈值E0，因此下图右是一次合格的双重曝光。
从这个例子可以看出，与单次曝光不同，双重曝光哀求光刻胶的曝光阈值和光刻光源的照射强度之间的权衡。

（合格的双重曝光）

EUV(极紫外光)光刻技能是20年来光刻领域的最新进展。
由于目前可供给用的光学材料无法很好支持波长13nm以下的辐射的反射和透射，因此 EUV 光刻技能利用波长为13.5nm的紫外光作为光刻光源。
EUV（极紫外光）光刻技能将半导系统编制程技能在10nm以下的区域连续推进。
在 EUV 光刻工艺的 13.5nm 波长尺度上，量子的不愿定性效应开始显现，为相应光源，光罩和光刻胶的设计和利用带来了前所未有的寻衅。
目前 EUV 光刻机只有荷兰 ASML 有能力制造，许多相应的技能细节尚不为外界所知。
在即将到来的 EUV 光刻时期，业界预期已经盛行长达 20 年之久的 KrF、ArF 光刻胶技能或将迎来全面技能变革。

光刻胶材料制备壁垒高

光刻胶所属的微电子化学品是电子行业与化工行业交叉的领域，是范例的技能密集行业。
从事微电子化学品业务须要具备与电子家当前沿发展相匹配的关键生产技能，如混配技能、分离技能、纯化技能以及与生产过程相配套的剖析考验技能、环境处理与监测技能等。
同时，下贱电子家当多样化的利用场景哀求微电子化学品生产企业有较强的配套能力，以及时研发和改进产品工艺来知足客户的个性化需求。

光刻胶的生产工艺紧张过程是将感光材料、树脂、溶剂等紧张质料在恒温恒湿 1000 级的黄光区清洁房进行稠浊，在氮气气体保护下充分搅拌，使其充分稠浊形成均相液体，经由多次过滤，并通过中间过程掌握和考验，使其达到工艺技能和质量哀求，末了做产品考验，合格后在氮气气体保护下包装、打标、入库。
全体工艺流程可以如下图所示：

（光刻胶的生产工艺简要流程）

光刻胶的技能壁垒包括配方技能，质量掌握技能和原材料技能。
配方技能是光刻胶实现功能的核心，质量掌握技能能够担保光刻胶性能的稳定性而高品质的原材料则是光刻胶性能的根本。

配方技能：由于光刻胶的下贱用户是IC芯片和FPD面板制造商，不同的客户会有不同的运用需求，同一个客户也有不同的光刻运用需求。
一样平常一块半导体芯片在制造过程中须要进行10-50道光刻过程，由于基板不同、分辨率哀求不同、蚀刻办法不同等，不同的光刻过程对光刻胶的详细哀求也不一样，纵然类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的哀求。
针对以上不同的运用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异紧张通过调度光刻胶的配方来实现。
因此，通过调度光刻胶的配方，知足差异化的运用需求，是光刻胶制造商最核心的技能。

质量掌握技能：由于用户对光刻胶的稳定性、同等性哀求高，包括不同批次间的同等性，常日希望对感光灵敏度、膜厚的同等性保持在较高水平，因此，光刻胶生产商不仅仅要配臵完好的测试仪器，还须要建立一套严格的QA体系以担保产品的质量稳定。

原材料技能：光刻胶是一种经由严格设计的繁芜、精密的配方产品，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂平分歧性子的质料，通过不同的排列组合，经由繁芜、精密的加工工艺而制成。
因此，光刻胶原材料的品质对光刻胶的质量起着关键浸染。
对付半导体化学化学试剂的纯度，际半导体设备和材料组织（SEMI）制订了国际统一标准，如下表中所示。

（SEMI 超净高纯试剂标准）

半导体集成电路用试剂材料的纯度哀求较高，基本集中在SEMI G3、G4水平，我国的研发水平与国际尚存在较大差距；半导体分立器件对超净高纯试剂纯度的哀求要低于集成电路，基本集中在 SEMI G2 级水平，海内企业的生产技能能够知足大部分的生产须要；平板显示和 LED 领域对付超净高纯试剂的等级哀求为 SEMI G2、G3 水平，海内企业的生产技能能够知足大部分的生产需求。

包括光刻胶在内的微电子化学品有技能哀求高、功能性强、产品更新快等特点，其产品品质对下贱电子产品的质量和效率有非常大的影响。
因此，下贱企业对微电子化学品供应商的质量和供货能力十分重视，常采取认证采购的模式，须要通过送样考验、技能研讨、信息回馈、技能改进、小批试做、大批量供货、售后做事评价等严格的筛选流程。

认证韶光久，哀求严苛；一样平常产品得到下贱客户的认证须要较长的韶光周期。
显示面板行业常日为 1-2 年，集成电路行业由于哀求较高，认证周期能达到 2-3 年韶光；认证阶段内，光刻胶供应商没有该客户的收入，这须要供应收有足够的资金实力。

光刻胶供应商与客户粘性大；一样平常情形下，为了保持光刻胶供应和效果的稳定，下贱客户与光刻胶供应商一旦建立供应关系后，不会轻易改换。
通过建立反馈机制，知足个性化需求，光刻胶供应商与客户的粘性不断增加。
后来者想要加入到供应商行列，每每须要知足比现有供应商更高的哀求。
以是光刻胶行业对新进入者壁垒较高。

常日光刻胶等微电子化学品不仅品质哀求高，而且须要多种不同的品类知足下贱客户多样化的需。
如果没有规模效益，供应商就无法承担知足高品质多样化需求带来的开销。
因此，品种规模构成了进入该行业的主要壁垒。

同时，一样平常微电子化学品具有一定的堕落性，对生产设备有较高的哀求，且生产环境须要进行无尘或微尘处理。
制备高端微电子化学品还须要全封闭、自动化的工艺流程，以避免污染，提高质量。
因此，光刻胶等微电子化学品生产在安全生产、环保设备、生产工艺系统、过程掌握体系以及研发投资等方面哀求较高。
如果没有强大的资金实力，企业就难以在设备、研发和技能做事上取得竞争上风，以提升可持续发展能力。
因此，光刻胶这样的微电子化学品行业具备较高的资金壁垒。

美国和题本把持的市场

光刻胶行业具有极高的行业壁垒，因此在环球范围其行业都呈现寡头垄断的局势。
光刻胶行业长年被日本和美国专业公司垄断。
目前前五大厂商就霸占了环球光刻胶市场 87%的份额，行业集中度高。
个中，日本 JSR、东京应化、日本信越与富士电子材料市占率加和达到72%。
并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半导体光刻胶核心技能亦基本被日本和美国企业所垄断，产品绝大多数出自日本和美国公司，如杜邦、JSR 株式会社、信越化学、东京应化工业、Fujifilm，以及韩国东进等企业。
全体光刻胶市场格局来看，日本是光刻胶行业的巨子聚拢地。

（环球光刻胶生产企业市场份额）

日韩材料摩擦：半导体材料国产化是一定趋势；2019年7月份，在日韩贸易争真个背景下，日本宣告对韩国履行三种半导体家当材料履行禁运，包含刻蚀气体，光刻胶和氟聚酰亚胺。
韩国是环球存储器生产基地，显示屏生产基地，也是环球晶圆代工基地，三星，海力士，东部高科等一大批晶圆代工厂和显示屏厂都须要日本的半导体材料。
这三种材料直接掐断了韩国存储器和显示屏的经济支柱。

在禁运之后，韩国半导体家当面临空前危急，一韶光，三星半导体，海力士等环球存储器龙头都处于时候停产危急，三星本身的材料存货只能支撑3个月的生产。
三星，海力士高管也是频频去日本交涉。
同为美国主要盟友的日韩之间尚且如此，尚在发展初期的中国科技家当更须要敲响警钟。

目前中国大陆对付电子材料，特殊是光刻胶方面对国外依赖较高。
以是在半导体材料方面的国产代替是一定趋势。

中美贸易摩擦：光刻胶国产代替是中国半导体家当的急迫须要；自从中美贸易摩擦依赖，中国大陆积极布局集成电路家当。
在半导体材料领域，光刻胶作为是集成电路制程技能进步的“燃料”，是国产代替主要环节，也是必将国产化的产品。

光刻是半导制程的核心工艺，对制造出更前辈，晶体管密度更大的集成电路起到决定性浸染。
每一代新的光刻工艺都须要新一代的光刻胶技能相匹配。
现在，一块半导体芯片在制造过程中一样平常须要进行10-50道光刻过程。
个中不同的光刻过程对付光刻胶也有不一样的详细需求。
光刻胶若性能不达标会对芯片成品率造成重大影响。

目前中国光刻胶国产化水平严重不敷，重点技能差距在半导体光刻胶领域，有 2-3 代差距，随着下贱半导体行业、LED及平板显示行业的快速发展，未来海内光刻胶产品国产化替代空间巨大。
当今，中国通过国家集成电路家当投资基金（大基金）撬动全社会资源对半导体家当进行投资和扶持。

同时，海内光刻胶企业积极捉住中国晶圆制造扩产的百年机遇，发展光刻胶业务，力争早日追上国际前辈水平，打进海内新建晶圆厂的供应链。
光刻胶的国产化公关正在全面展开，在面板屏显光刻胶领域，中国已经涌现了一批有竞争力的本土企业。

在半导体和面板光刻胶领域，只管国产光刻胶间隔国际前辈水平仍旧有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中国已经有一批光刻胶企业陆续实现了技能打破。

（海内光刻胶紧张生产企业及国产替代情形）

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