电子元器件科普：内存的事理以及缺点

DRAM的上风在于其构造大略，面积小，以是在同样面积内可以塞入更多存储单元，存储密度高，现在内存条的容量都顶得上多年前的硬盘了。

大家可以自己算算一根2Gb的内存里面有多少这样的单元。
缺陷则是：DRAM的上风在于其构造大略，面积小，以是在同样面积内可以塞入更多存储单元，存储密度高，现在内存条的容量都顶得上多年前的硬盘了。
大家可以自己算算一根2Gb的内存里面有多少这样的单元。

缺陷

1. 每次读取都是毁坏性的，电容放电后电荷就尼玛没有了啊，以是还要重新写入一遍啊！

2. 电容还尼玛会泄电啊，一样平常写入后几十个微秒之后就漏得没法检测了（现在的电容一样平常是25pF），全体阵列都要一直的刷新，便是把已经存储的内容读一次再写进去，期间什么都不能做啊！

3. 电容太小导致很多问题，比如速率不能太快啊，会被宇宙粒子打到然后就尼玛中和了啊（ Soft error ） ！

4. 没有电的时候存储的内容就丧失落了，这直接导致大量停电导致的文档丢失等杯具。
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（使得存储器能够在无电时保留信息，台湾人施敏大师和一个韩国人发明了闪存Flash memory。
半导体业已经贡献过两个诺贝尔物理学奖：晶体管和集成电路，施敏怕是这个行业中仅存的还有机会拿奖的人，他的互助者早早挂了乃至连专利费都没拿多少。
当年我居然傻乎乎的放弃了施大师亲自授的半导体器件课，亏去世了）。
（还有很多恶心的槽，不一一吐了）为了准确快速读写内存阵列中大量的单元，大量外围电路自然是少不了的（DRAM设计运用中的难点实在是这些外围电路），下图是一张最最简化的概括：

要先容便是如此，想深入理解的同学可以看下简要先容便是如此，想深入理解的同学可以看下(https://en.wikipedia.org/wiki/Dynamic_random-access_memory)当然去学校里修这门课更好，或者干脆进一家半导体公司。