国产EEPROM与欧美EEPROM的具体参数比拟

小编国产EEPROM与欧美EEPROM的详细参数比拟

为了更详细地比较国产EEPROM与欧美EEPROM的差距，下面以益华存储（EVASH）与欧美有名品牌如Microchip、STMicroelectronics和ON Semiconductor为例。
我们将从制程技能、存储密度、速率、功耗等参数进行详细比拟。

1. 制程技能欧美公司Microchip：最小制程技能达到90nmSTMicroelectronics：最小制程技能达到90nmON Semiconductor：最小制程技能达到90nm海内公司益华存储（EVASH）：0.35m ~ 90nm eEEPROM，0.13m ~ 90nm SONOS技能2. 存储密度欧美公司Microchip：2Kbit ~ 512KbitSTMicroelectronics：2Kbit ~ 512KbitON Semiconductor：2Kbit ~ 512Kbit海内公司益华存储（EVASH）：2Kbit ~ 512Kbit3. 速率欧美公司Microchip：EEPROM速率高达 1MHzSTMicroelectronics：EEPROM速率高达 1MHzON Semiconductor：EEPROM速率高达 1MHz海内公司益华存储（EVASH）：EEPROM速率高达 1MHz4. 功耗欧美公司Microchip：读操作：范例电流 0.15mA (400kHz)写操作：范例电流 0.30mA (400kHz)待机模式：范例电流 0.10ASTMicroelectronics：读操作：范例电流 0.16mA (400kHz)写操作：范例电流 0.32mA (400kHz)待机模式：范例电流 0.10AON Semiconductor：读操作：范例电流 0.14mA (400kHz)写操作：范例电流 0.28mA (400kHz)待机模式：范例电流 0.05A海内公司益华存储（EVASH）：读操作：范例电流 0.14mA (400kHz)写操作：范例电流 0.28mA (400kHz)待机模式：范例电流 0.03A5. 可靠性（续）欧美公司Microchip：数据保持韶光100年，耐久性1百万次写入STMicroelectronics：数据保持韶光100年，耐久性1百万次写入ON Semiconductor：数据保持韶光100年，耐久性1百万次写入海内公司益华存储（EVASH）：数据保持韶光200年，耐久性4百万次写入6. 安全性与加密欧美公司Microchip：供应高等加密算法和数据保护功能STMicroelectronics：支持安全存储和数据加密ON Semiconductor：安全存储和加密办理方案海内公司益华存储（EVASH）：供应定制的高等加密算法，保障数据安全性7. 运用领域欧美公司Microchip：广泛运用于消费电子、工业掌握、医疗设备等领域STMicroelectronics：工业掌握、汽车电子、智能设备ON Semiconductor：消费电子、工业自动化、医疗和汽车电子海内公司益华存储（EVASH）：工业掌握、智能设备、医疗设备、消费电子等多个领域总结：

从以上比拟可以看出，欧美有名公司如Microchip、STMicroelectronics和ON Semiconductor在EEPROM制程技能、存储密度、速率、功耗以及可靠性方面拥有前辈的技能和成熟的产品。
比较之下，益华存储（EVASH）虽然在制程技能和性能参数上与其竞争对手附近，但在数据保持韶光和写入耐久性方面表现更出色，适宜对数据安全性有高哀求的运用处景。
随着技能的进步和市场竞争的加剧，国产存储芯片在性能和运用领域的扩展也在逐步增强，展示出了强大的竞争实力和潜力。