迎接新成员北京中电科电子装备有限公司

北京中电科公司是国家科技部02专项、863操持、重点研发操持等多个重点项目的承担单位，目前拥有核心发明专利60余项，取得科技成果10项，个中国际领先水平1项，国际前辈水平9项。

公司核心产品先容

WG-1261全自动减薄机

运用产品：

适用于6-8英寸SiC晶片及晶圆量产的全自动减薄机

产品参数：

1、磨轮直径：300mm；

2、磨削主轴：数量2个，额定功率7.5kW，转速1000-4000rpm；

3、Z轴分辨率：0.1m

4、最高减薄速率：0.9m/s；

5、单片磨削韶光：＜5分钟；

6、加工精度：TTV≤2m;WTW≤士2m（SiC晶片）；Ra≤3nm（#30000 Wheel，SiC）

7、最大可加工厚度：1800m

性能解释：

可实现 6、8 英寸 SiC 衬底段的晶片减薄及芯片段的晶圆背减。
配置高功率高扭矩主轴，可实现高效率、高精度、无损伤镜面加工。
双主轴三工位设计担保加工效率，配有实时在线丈量单元（丈量范围 0-1800m），精确掌握减薄厚度；具备 SECS/GEM 联网功能。
配置 SMIF（选配），保持高清洁度的同时进行稳定减薄磨削。

WG-1250自动减薄机

运用产品：

适用于6-8英寸SiC晶锭和晶片量产的自动减薄机

产品参数：

1、磨轮直径：300mm；

2、磨削主轴：数量2个，额定功率7.5kW，转速1000-4000rpm；

3、Z轴分辨率：0.1m

4、最高减薄速率：0.9m/s；

5、单片磨削韶光：＜5分钟；

6、加工精度：TTV≤2m;WTW≤士2m；Ra≤3nm（#30000 Wheel，SiC）

性能解释：

聚焦6、8 英寸 SiC激光剥离晶锭/晶片及砂浆线切割晶片的薄化磨削，可实现不同厚度晶锭/晶片同台同时加工。
可加工标准6/8寸晶锭/晶片、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片。
根据晶锭/晶片的厚度，实时在线丈量（丈量范围0-1800m）/ 大量程在线丈量（丈量范围 0-50000m）两种办法可选；设备通过手动进行装卸片操作并利用油石手动洗濯承片台。

双主轴三工位设计，粗精两次磨削同工位完成，减少取放片次数，有效担保单片晶片/晶锭内的厚度偏差和良品率。

WG-1230自动减薄机

运用产品：

适用于6-8英寸SiC晶锭、晶片及晶圆量产的可定制化的多功能自动减薄机

产品参数：

1、磨轮直径：300mm；

2、磨削主轴：数量1个，额定功率7.5kW，转速1000-4000rpm；

3、Z轴分辨率：0.1m

4、最高减薄速率：0.9m/s；

5、单片磨削韶光：＜5分钟；

6、加工精度：TTV≤2m;WTW≤士2m（SiC晶片）；Ra≤3nm（#30000 Wheel，SiC）

7、最大可加工厚度：50mm

性能解释：

大略紧凑型可定制化的多功能自动减薄机，可实现 6、8 英寸 SiC 衬底段晶锭、晶片的减薄及芯片段晶圆背减。
可加工SiC晶锭/晶片/晶圆、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片。
根据晶锭/晶片/晶圆厚度，实时在线丈量（丈量范围0-1800m）/ 大量程在线丈量（丈量范围 0-50000m）两种办法可选；设备通过手动进行装卸片操作并利用油石手动洗濯承片台。

单主轴单工位设计，构造紧凑，占地空间小，适用于小批量生产。

北京中电科电子装备有限公司

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18332569033张国强

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