维也纳大年夜学研发革命性的新型智能晶体管

为了实现这一目标，维也纳大学（TU Wien）的科学家们没有依赖常日的硅技能，而是依赖锗。
这取得了成功。
天下上最灵巧的晶体管现在已经用锗生产出来了。

干系研究成果已被刊登在ACS Nano杂志上。
锗的分外性能和专用程序门电极利用使我们有可能创造出一个新元件的原型，可能会首创芯片技能的新时期。

晶体管是每个当代电子设备的根本：它是一个眇小的元件，要么许可电流流动，要么阻挡电流流动，取决于是否向掌握电极施加电压。
这使得建立大略的逻辑电路成为可能，但也有可能建立影象存储。
电荷如何在晶体管中传输取决于所利用的材料。
要么有携带负电荷的自由移动的电子，要么个别原子中可能短缺一个电子，以是这个地方带正电。
这就被称为\"大众空穴\"大众，它们也可以在材料中移动。

在维也纳大学的新型晶体管中，电子和空穴都以一种非常分外的办法被同时操纵。
研究职员用一根极细的锗线，通过极其干净的高质量接口连接两个电极。
在锗段上方放置了一个像传统晶体管中的门电极。
这种晶体管还有一个掌握电极，它被放置在锗和金属的界面上。
它可以动态地对晶体管的功能进行编程。

这种设备构造使其有可能分别掌握电子和空穴，这是由于锗有一个非常分外的电子构造：当你施加电压时，电流最初会增加，正如你所期望的那样。
然而，在某个阈值之后，电流再次减少，这被称为负差分电阻。
在掌握电极的帮助下，研究职员可以调节这个阈值在哪个电压上。
这导致了新的自由度，可以用它来授予晶体管目前所须要的特性。

例如，通过这种办法，一个NAND门可以被切换成NOR门。
在未来，这种智能可以转移到新的晶体管本身的适应性上，以前须要160个晶体管的算术运算，由于这种适应性的提高，用24个晶体管就可以实现。
通过这种办法，电路的速率和能源效率也可以大幅提高。