第三代半导体：全球22家公司优势比拟

CREE 公司成立于 1987 年，是集化合物半导体材料、功率器件、微波射频器件、LED 照明办理方案于一体的著名制造商，专业从事碳化硅、氮化镓等第三代半导体衬底与器件的技能研究与生产制造。

4、6 英寸 SiC 晶圆量产，8 寸晶圆成功投建。

CREE 在碳化硅晶片制造家傍边拥有尺寸的代际上风，已成功研制并投资培植 8 英寸晶片产线。
公司已具备成熟的 6 英寸晶片制备技能并实现规模化。

图：Cree（Wolfspeed）GaN on SiC MMIC 产品

公司财务状况良好，本钱逐渐低落，第三代半导体板块营收占比逐年上升。
Cree 公司的业务收入分为两个部分：Wolfspeed 和 LED 芯片。
Wolfspeed 部分的产品紧张有碳化硅和氮化镓材料、电力设备以及射频设备。
2018-2020 年，Wolfspeed 收入占总业务收入的比例分别为 36%，50%，52%，呈逐年上升的趋势。
2020 年毛利率相较于 2019 年有所低落，紧张缘故原由是客户和产品构造的变革，工厂和技能转型导致本钱上升。

2、英飞凌：SiC 领域领军人，GaN 已投入量产

英飞凌 1992 年开始研发 SiC 功率器件，1998 年建立 2 英寸的生产线，2001 年推出第一个 SiC 产品。
20 年来公司的碳化硅技能在不断进步，2006 年发布采取 MPS 技能的二极管，办理耐冲击电流的痛点；2013 年推出第五代薄晶圆技能二极管，2014 年——2017 年先后发布 SiC JFET，第五代 1200V 二极管，6 英寸技能和 SiC 沟槽栅 MOSFET。
2019 年以来，英飞凌推出 CoolSiC™ MOSFET 系列，CoolSiC™单管产品采取 TO 和 SMD 封装，电压等级为 650 V、1200 V 和 1700 V，额定导通电阻为27 mΩ-1000 mΩ，适用于硬开关和谐振开关拓扑，纵然桥接拓扑中关断电压为零时，出色的寄生导通抗扰度也可在低动态损耗方面树立基准，优化了开关性能。

电源管理及射频技能助英飞凌抢占新兴市场先机。
英飞凌作为环球领先的半导体科技公司，在电源管理及射频领域不断改造，开拓高性能产品来知足市场对高能效的需求。
在全体功率器件（Power Device）市场，目前公司的硅产品包括低压 MOS、高压 MOS，以及 IGBT 等。
英飞凌产品的上风包括：具备更高功率密度，可实现更加小巧、轻便的设计，从而降落系统总本钱和运行本钱，以及减少成本支出。

图：英飞凌为充电桩系统供应“一站式”办理方案

进一步扩大自身上风，不断推出新产品，抢占市场份额。
2018 年英飞凌收购了位于德累斯顿的初创公司 Siltectra。
该公司的冷切割创新技能可高效处理晶体材料，最大限度减少材料损耗。
英飞凌利用这一冷切割技能切割碳化硅晶圆，可使单片晶圆产出的芯片数量翻倍，从而有效降落 SiC 本钱。
在中低功率 SiC 器件方面，2020 年英飞凌在 1200V 系列根本上，发布了 TO-247 封装的 650V CoolSiC™ MOSFET，进一步完善了产品组合。

利用成熟的模块技能、低寄生电感、低热阻的封装技能等，针对不同的运用开拓相应产品。
比如，低寄生电感封装可以让 SiC 器件更好发挥高速性能，低热阻的封装技能虽然本钱略高，但可以有效提高器件电流输出能力，从而实际上降落了单位功率密度的本钱。
目前贴片封装的 650V 产品系列正在开拓当中。
在高压方面，碳化硅产品会连续朝着发挥其紧张特性的方向发展，耐压更高，2-3kV 等级的产品会相继面世。

图：英飞凌采取高性能 ALN 陶瓷的新 EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET 功率模块

英飞凌 GaN 办理方案已投入量产。
英飞凌推出的 GaN 办理方案 CoolGaN600V 增强型HEMT 和 GaN 开关管专用驱动 IC（GaN EiceDRIVER IC）产品具有优胜性。
CoolGaN600V增强型 HEMT 采取可靠的常闭观点，经由专门优化，可实现快速开通和关断。
它们可在开关模式电源（SMPS）中实现高能效和高功率密度，其优值系数（FOM）在当前市场上的所有 600Ｖ器件中压倒一切。
CoolGaN 开关的栅极电荷极低，且具有极少输出电容，可在反引导通状态下供应精良的动态性能，进而大幅提高事情频率，从而通过缩小被动元器件的总体尺寸，提高功率密度。
英飞凌供应专为哀求超高能效的高性能设备而优化的增强模式 GaN 平台，非常适用于做事器和电信设备中利用的开关电源产品。
它可以通过提升做事器效率节省系统本钱，从而大幅度节省耗电用度，迎合了具有成千上万做事器的数据中央的需求。

图：英飞凌氮化镓开关管驱动芯片 EiceDRIVERIC

公司经营状况良好，第三代半导体干系业务收入占比较稳定。
2016-2020 年公司在工业电源掌握以及电源&传感器系统这两部分的业务收入大体呈上升的趋势 。
2020 年工业电源掌握部分业务收入较 2019 年有所下滑，紧张缘故原由为一些领域市场需求的低落导致公司部分制造领域的产能利用率不敷，一些闲置本钱与上一财年比较增加，但公司今年采纳的本钱节约方法会填补这一影响。

3、意法半导体：与终端运用企业形成强绑定，完善家当布局

2019 年12 月 2 日，意法半导体完成对瑞典碳化硅晶圆制造商 Norstel AB 的整体收购。
这次并购后，Norstel 将被完备整合到意法半导体的环球研发和制造业务中，连续发展 150mm 碳化硅裸片和外延片生产业务研发200mm 晶圆以及更广泛的宽禁带材料。
在环球碳化硅产能受限的大环境下，整体并购 Norstel 将有助于增强 ST 内部的 SiC 生态系统，提高生产灵巧性，使 ST 能够更好地掌握晶片的良率和质量改进，并为碳化硅长远方案和业务发展供应支持。
总目标是担保晶圆供给量，知足汽车和工业客户未来几年增长的 MOSFET 和二极管需求。

首批 200mm 碳化硅晶圆落地，意法半导体霸占 8 寸 SiC 晶圆领先地位。
2021 年 7 月 27日，意法半导体宣告，ST 瑞典北雪平工厂制造出首批 200mm (8 寸)碳化硅晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。
SiC 晶圆升级到 200mm 标志着 ST 面向汽车和工业客户的扩产操持取得主要的阶段性成功，巩固了 ST 在这一首创性技能领域的领导地位，提高了电力电子芯片的轻量化和能效。

与龙头企业签订 SiC 衬底长期供应协议，补充内部产能缺口。
2020 年 1 月 16 日，意法半导体与罗姆集团旗下的 SiCrystal 公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议。

SiCrystal 为一家在欧洲 SiC 晶圆市场霸占率领先的龙头企业。
协议规定， SiCrystal 将向意法半导体供应总价超过 1.2 亿美元的前辈的 150mm 碳化硅晶片，知足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。

终端运用企业互助趋势明显，完善家当布局。
2019 年 9 月 10 日，意法半导体被雷诺-日产-三菱同盟指定为高能效碳化硅技能互助伙伴，为同盟即将推出的新一代电动汽车的前辈车载充电器（OBC）供应功率电子器件。
通过在 OBC 中利用 ST 的 SiC 技能实现小尺寸、轻重量和高能效，再加上电池效率的提高，同盟将能够缩短充电韶光，延长电动汽车的续航里程，从而加快电动汽车的运用遍及。
含故意法半导体碳化硅的车载充电器操持于2021 年投入量产。

推出高性能 GaN 系列 面向汽车运用、可靠性更高。
2021 年 5 月，意法半导体宣告推出其新系列、智能集成的氮化镓（GaN）办理方案 STi2GaN。
随着汽车行业不断转向电气化平台，STi2GaN 将采取创新独特办法将电力与智能相结合，推出汽车行业所需的紧凑、高性能办理方案。
该 STi2GaN 系列将单片功率级、GaN 技能的驱动器和保护器以及用于特定运用程序 IC（集成电路）与附加的处理和掌握电路相结合。
此外，该办理方案还利用ST 的新型无粘结封装技能供应高鲁棒性、可靠性和性能。

公司近三年业务收入保持平稳，受均匀发卖价格和产品构造的影响，ADG 部分收入有小幅颠簸。
意法半导体公司的业务收入构成分为三部分：汽车和分立器件部门(ADG)；仿照器件、MEMS 和传感器部门(AMS)；微掌握器和数字 IC 部门 (MDG) 。
SiC 和 GaN 功率器件包含于 ADG 中，因此公司并未表露第三代半导体家当干系的详细数据。
2020 年，由于均匀发卖价格低落了 8%，受产品构造和发卖价格的负面影响。
ADG 收入同比低落了 8.9%。

4、住友电工：环球第三代半导体射频领域引领者

通过开拓独占技能和对新业务的寻衅，确立了 5 大奇迹领域。
以铜电线（裸铜线）的制造技能为根本，开拓出以“电力用电缆”、“通信用电缆”为首的“电子线缆产品”等多种新产品。
铜电线的导体技能又衍生出“化合物半导体”、“柔性印刷电路”等，绝缘技能则衍生出“电子束照射产品”、“橡胶产品”和“稠浊物产品”的开拓。
利用电线制造干系的掌握技能和传输技能，将业务扩大到了“系统产品”等领域，现已确认了“汽车”、“信息通信”、“电子”、“环境能源”和“家当原材料”这 5 大奇迹领域。

图：住友电工商业发展

在第三代半导体射频领域具有压倒性占市率。
公司也这天本海内唯一 GaAs 晶圆制造业者，目前除了已在美国据点展开量产之外，估量今年内在千叶县建立量产系统编制，以因应日渐发展的需求。
目前子公司 SCIOCS 已整备 GaN 晶圆的增产系统编制，生产能力提高了 3～4 倍，且为了应对即将到来的 5G 遍及化时期，更操持在今后 3 年将生产能力予以倍增。

具有稳定的古迹发展，操持强化并扩展现有五大领域。
住友电工近年保持较稳定的业务收入和高投入的研发用度。
其发展蓝图提出的目标是促进现有“移动”、“能源”、“信息通信”以及支撑这些奇迹的原材料、产品和解决方案群的各个奇迹领域不断发展、力求强化盈利根本并提高成本效率。
目标 2022 年实现业务额达到 3.6 万亿日元，业务利润2300 亿日元，ROIC 达到 9%以上，ROE 达到 8%以上。

5、三菱电机：第二代 SiC 功率模块上风显著，积极探索 GaN-HEMT

SiC 功率器件领域根本实力雄厚，申请大量干系专利。
从表中可以看到，环球申请主体前10 位中，日本申请主体由住友、三菱、电装、富士、NIIT、 日立霸占 6 席且经办前 4 名，美国老牌龙头克里（CREE）排名第 5，德国的英飞凌霸占第 10 位。
日本显示出其在半导体器件领域的卓越实力，目前可以说引领着 SiC 功率器件的技能发展。

图：截至 2017 年环球申请主体排名前十位

2020 年新推出第二代 SiC 功率模块产品，与传统产品比较显著降落了 80%的耗电量。
新产品采取了 JFET 掺杂技能，它与第一代比较导通电阻降落了约 15%，在降落导通电阻的同时，还能实现更低的开关损耗，与传统产品比较显著降落了 80%的耗电量，紧张运用于各种电力电子产品，如：空调、光伏发电、充电根本举动步伐、车载充电器等的电源系统。
它通过减少功率损耗和高频动作，电抗器和散热板等部件能够做到小型化。

图：第二代 SiC 功率模块产品与传统产品的比较

发布环球首款多单元构造金刚石基 GaN HEMT，持续开拓知足多样化需求。
2019 年三菱电机 与 美国 国 家先 进 工 业科 学 与技 术 研究 所 （ AIST）MEMS 和 微工 程 研 究中央（UMEMSME）互助，首次实现多单元 GaN-HEMT 直接键合到单晶金刚石衬底上，这种新型金刚石基 GaN HEMT 旨在提高移动通信基站和卫星通信系统中高功率放大器的功率附加效率，从而帮助降落功耗。
目前，公司也在积极研发各个系列的 GaN-HEMT 产品，以知足小蜂窝基站、卫星通信地面站等多样化需求。

图：GaN-HEMT 部分正在开拓中的新产品

公司财务整体呈现下滑趋势，但在半导体板块坚持增长态势。
2020 年 3 月 31 日至 2021年 3 月 31 日，公司实现营收 2496.17 亿元，同比低落 6.07%；归母净利润 115.02 亿元，同比低落 12.94%。
虽然公司近五年内业务收入有所下滑，但 2020 财年在电子设备板块的营收略有增长，净利润显著提高。

6、纳微半导体：GaN 功率芯片设计领军者，推动下一代氮化镓技能发展

纳微半导体是 GaN 行业的领军者，推动下一代氮化镓的技能发展。
纳微半导体成立于2014 年，开拓超高效氮化镓（GaN）半导体，在效率、性能、尺寸、本钱和可持续性方面正在彻底改变电力电子领域。
纳微半导体是唯一一家将 GaN 电源与驱动器、掌握和保护集成到单芯片集成电路 （IC） 中的 GaN 公司。
纳微半导体 GaNFast IC 是易于利用的"数字化、断电"构建基块，可加快高达一百倍的切换速率，同时可节省高达 40% 的能源。
纳微半导体正在积极推动下一代半导体氮化镓的技能发展，实现氮化镓在移动设备快充、消费电子行业、数据中央、可再生能源、电动汽车等领域的大规模运用，加速氮化镓在功率半导体领域替代传统硅的历史性拐点的到来。

率先打造业内首款集成半桥氮化镓功率 IC，成为快充市场 GaN 功率芯片头部供应商。
第一个半桥氮化镓(GaN)功率 IC 产品为 650V 的 NV6250，采取 6x8mm QFN 封装，具有高下管驱动器，电平转换器，两个 560mohm 功率 FET，自举电路和多种保护功能。
集成了所有半桥功能，供应高达 2MHz 开关速率，在供应更快充电的同时，大大减少尺寸、本钱和重量。
大略数字 PWM 输入旗子暗记在所有频率下能轻松驱动半桥，为电源系统设计职员供应了极大的易用性和布局灵巧性。
纳微半导体还操持推出 65W ACF 半桥氮化镓(GaN) IC，可用在 200WLLC 拓扑中。
与同类中 Si 基转换器比较具有较大上风。

7、三安光电: 化合物半导体业务多轮驱动, 加速替代外洋供应商

三安光电通过设立厦门三安光电全资子公司发力化合物半导体市场，项目总方案用地281 亩，总投资额 30 亿元。
三安光电电路是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导系统编制造平台；具备衬底材料、外延成长、以及芯片制造的家当整合能力，拥有大规模、前辈制程能力的 MOCVD 外延成长制造线。

三安光电覆盖多种化合物半导体，积极开拓干系客户得到高度认可。
三安光电作为致力成为化合物半导体专业制造的领导公司，紧张从事生产砷化镓半导体芯片及氮化镓高功率半导体芯片产品，包含第二代（砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP））、第三代（碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN））。
碳化硅二极管开拓客户 182 家，送样客户 92 家，转量产客户 35 家，超过 30 种产品已进入批量量产阶段。
二极管产品已有 2 款产品通过车载认证，送样客户 4 家，目前封装测试中。
在硅基氮化镓功率器件方面，完成约 40 家客户工程送样及系统验证，已拿到 12 家客户设计方案，4 家进入量产阶段。
三安光电产品性能得到客户高度认可，客户寻求代工意愿强烈，每块业务产能均在大力扩充，订购的设备也在陆续到位，随着产能的逐步开释，营收规模将会持续增大，盈利能力也将会逐步表示。

三安集成 2021H1 实现收入 10.16 亿元，半年度收入实现对去年整年收入超越。
包含泉州三安滤波器在内，则实现收入 10.28 亿元。
随着公司 H2 产能逐步开释，我们看好公司整年集成电路板块收入持续保持高增长。
在客户进展方面，2021 上半年滤波器开拓 41家客户（个中 17 家海内手机和通信模块客户），砷化镓射频累计客户近 100 家，光技能量产客户 104 家，碳化硅二极管上半年新开拓客户 518 家，出货客户超过 180 家，并有2 款碳化硅二极管产品通过车载认证并送样行业标杆客户，个中，碳化硅 Mos 工业级产品送样验证，车规级正合营多家车企做流片设计及测试。

砷化镓射频上半年扩产设备已逐步到位，产能达到 8,000 片/月，出货产品全面覆盖 2G-5G 手机 PA、WIFI 等运用领域，国内外客户累计近 100 家，已成为海内领先射频设计公司的主力供应商。
随着后续扩产设备的逐步到位，产能不断提升，加上产品技能工艺不断成熟，高阶工艺导入及客户新流片增加，客户粘性将不断加强。
滤波器 SAW 和 TCSAW 产品已开拓客户 41 家，个中 17 家为海内手机和通信模块紧张客户，产品已成功导入手机模块家当供应链。
公司开拓的自主知识产权温度补偿型滤波器，产品已经与国际厂商的同类产品性能相称，高品质、高性能的产品能快速导入客户端，目前已有多家手机终端厂商与公司接洽，随着手机终端厂商的直接导入以及公司产能的提升，未来在该领域的市场份额将进一步提升。

首条碳化硅 IDM 生产线投产，集成电路业务多轮驱动。
今年 6 月 23 日，公司投资 160亿元的一座百口当链超级工厂正式投产，月产量可达 30,000 片 6 寸碳化硅晶圆。
公司长沙工厂具备由上游衬底至下贱器件的能力，当下拥有碳化硅晶圆制造能力的工厂数量也屈指可数。
公司建成了海内首条碳化硅垂直整合家当链，对下贱企业的议价能力较强，在新能源汽车快速提高渗透率的浪潮中，碳化硅市场将快速发展，公司估量将显著受益。

8、闻泰科技：持续高质量研发，新型化合物半导体迎来广阔空间

积极布局第三代半导体，氮化镓已通过车规认证测试并实现量产。
随着汽车电气化、5G通信、工业互联网市场的不断增长，GaN、SiC 的第三代半导体技能运用正越来越广泛。
安世半导体在行业推出领先性能的第三代半导体氮化镓功率器件 (GaN FET)，目标市场包括电动汽车、数据中央、电信设备、工业自动化和高端电源，特殊是在插电式稠浊动力汽车或纯电动汽车中，氮化镓技能是其利用的牵引逆变器的首选技能。
目前公司的 650V氮化镓（GaN）技能，已经通过车规级测试，2021 年将开始交付给汽车客户。
碳化硅（SiC）产品目前已经交付了第一批晶圆和样品。
目前氮化镓已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET)，已通过车规认证测试并实现量产，碳化硅技能研发也进展顺利，碳化硅二极管产品已经出样。

与联合汽车电子有限公司就氮化镓领域达成深度互助绑定，为客户供应更为前辈和高效的新能源汽车电源系统办理方案。
据安世半导体的高层表示：新能源汽车电源系统有望在未来主导半导体器件持续增长的市场需求，硅基氮化镓场效应晶体管的功率密度和效率将在汽车电气化运用中发挥关键浸染。
2021 年 3 月 11 日，闻泰科技全资子公司、环球功率半导体领先企业安世半导体宣告与海内汽车行业龙头企业联合汽车电子有限公司(简称 UAES)在功率半导体氮化镓(GaN)领域展开深度互助，旨在知足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技能需求，并共同致力于推动 GaN 工艺技能在中国汽车市场的研发和运用。

子公司安世半导体在 GaN 产品运用和生产制造方面都领先行业。
2019 年 11 月安世半导体发布首款 GaNFET，如今安世半导体的 GaN 功率器件已达到行业领先水平，未来有望持续布局新型化合物领域，供应更多高性能产品。

加码 GaN 产品研发，联合行业伙伴全力推动汽车领域增长。
2020 年安世宣告与 Ricardo建立互助伙伴关系，为基于氮化镓技能制成的电动汽车逆变器研发技能验证机，2021 年 4 月，安世半导体推出符合汽车 AEC-Q101 标准的新一代 GaN 产品，更好的应对高温、高湿、高效率、高振动环境及高功率密度的需求；2021 年 3 月，安世宣告与联合汽车电子（UAES）就氮化镓半导体达成全面互助伙伴关系，将共同开拓利用 GaN 技能的电动汽车电源系统办理方案，打造基于 GaN 工艺的联合实验室。

图：安世半导体 GaN FET 系列产品

2021 半年度实现业务收入 247.69 亿元，同比增长 3.91%，实现归母净利润 12.32 亿元，同比减少 27.56%。
个中，半导体业务 2021 年 H1 实现营收 67.73 亿元，毛利率 35.06%，实现净利润 13.10 亿元，同比增长 234.52%。
盈利能力达到历史最高水平，半导体业务仍旧保持快速增长态势。
经营整合的协同效应推动安世集团进入了发展的历史新阶段。
2021 上半年以来，面对环球疫情的反复，公司进一步加快经营管理效率的提升。
并在产品普遍涨价的背景下加大研发优化产品构造，加强高毛利率产品包括逻辑、仿照、功率Mos 等的产能和料号扩充，目前 100V 以上的 Mosfet 料号已经超过 100 种，进一步弱化了价格成分对公司业务的影响，保障长期增长的根本。
在产品价格方面，公司一方面积极强化同汽车客户、工业客户、消费电子客户更紧密的互助关系，同时因应市场供需紧张的局势，向紧张 MassMarket 经销商的发卖价格在 2020 年四季度价格相对稳定的根本上，在 2021 年以来履行了分批次涨价，紧张涨价产品包括标准逻辑与仿照、小型号二极管/三极管，功率二极管/三极管、Mosfet 等。
公司将连续抓好生产，保障客户稳定供应。

图 104：闻泰科技毛利率、净利率情形

9、斯达半导：加码布局碳化硅功率芯片，加速国产替代提升核心竞争力

斯达半导将以 IGBT 技能为根本，不断打破和积累下一代以 SiC、GaN 器件为代表的宽禁带功率半导体器件的关键技能，大力发展车规级功率器件。
2021 年 8 月公司宣告投资 5亿元在 SiC 芯片研发及家当化项目；2021 年 3 月公司宣告投资 20 亿元与高压特色工艺功率芯片和 SiC 芯片研发及家当化项目。

斯达半导近期多次加码布局碳化硅功率芯片，布局发达发展的新能源汽车市场，加速国产替代提升核心竞争力。
斯达微电子依托母公司在功率半导体的技能积累，向碳化硅芯片研发及家当化领域拓展，目前在 600V/650V、1200V、1700V 等中低压 IGBT 芯片已经实现国产化，但是 SiC 芯片仍依赖入口，急需国产化以提高公司的竞争力。
为此，公司拟采取前辈技能和设备，履行 SiC 芯片研发及家当化项目，产品由企业自主研发，具有完备自主知识产权，各项指标均达到国外同类产品技能哀求，部分指标优于入口产品。

图 107：斯达半导毛利率、净利润率稳步上升

公司 2021 年上半年实现业务收入 7.19 亿元，同比增长 72.62%，实现归母净利润 1.54 亿元，同比增长 90.88%。
公司财务情形良好，净利润及营收逐年提升，同时毛利率与净利润也稳步上升，2021H1 再创新高，达到 34.42%的毛利率及 21.47%的净利润率。

公司将持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场，为高端车型供应成熟的车规级SiC 模块。
2020 年，公司连续布局宽禁带功率半导体器件。
在机车牵引赞助供电系统、新能源汽车行业掌握器、光伏行业推出的各种 SiC 模块得到进一步的推广运用。
公司运用于新能源汽车的车规级 SiC 模块得到国内外多家著名车企和 Tier1 客户的项目定点，将对公司 2022 年-2028 年车规级 SiC 模块发卖增长供应持续推动力。
未来公司将持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场，在新能源汽车用驱动掌握器领域为客户供应全功率段的车规级 IGBT 模块，并为高端车型供应成熟的车规级 SiC 模块，完善赞助驱动和车用电源市场的产品布局；在燃油车用汽车电子市场，依托 48V BSG 功率组件，开拓更多的燃油车用车规级功率器件。

10、华润微：旗下海内首条 6 英寸商用 SiC 晶圆生产线量产

旗下海内首条 6 英寸商用 SiC 晶圆生产线量产，充分利用 IDM 模式上风和在功率器件领域雄厚的技能积累开展 SiC 功率器件研发，向市场发布第一代 SiC 工业级肖特基二极管(1200V、650V)系列产品，海内首条 6 英寸商用 SiC 晶圆生产线正式量产。
公司中低压功率 SGTMOSFET 产品实现关键核心技能打破，器件性能达到对标产品的国际前辈水平。
公司完成光电高压可控硅成品平台研发，推出过零触发和随机相位触发等多颗产品。
MEMS 硅麦克风工艺平台从 6 英寸升级到 8 英寸，首颗代表产品参数达标。

积极布局和拓展碳化硅业务及供应链，公司通过华润微电子控股有限公司与海内领先的碳化硅外延晶片企业-瀚每天成电子科技（厦门）有限公司达成《增资扩股协议》，增资后公司持有瀚每天成 3.2418%的股权，通过成本互助和业务互助积极带动 SiC 业务的发展和布局。

华润微营收快速增长，毛利率大幅提升。
公司上半年实现营收 44.5 亿元，同比增长45%，归母净利润 10.7 亿元，同比增长 165%。
个中二季度单季实现营收 24.1 亿元，归母净利润 6.7 亿元。
受益于产能利用率和价格提升，上半年毛利率 34.1%，同比增长 6.8 个百分点。

11、立昂微: GaN 芯片产能爬坡，规模化生产正当时

杭州立昂东芯是专业从事砷化镓/氮化镓微波射频芯片研发与制造的公司，在海内较早建成了商业化射频芯片生产线，目前客户群已经具备，技能已经打破，正处于产能和销量爬升的阶段。

投资子公司，布局年产 36 万片 6 英寸砷化镓/氮化镓微波射频集成电路芯片。
2021.1 月立昂微子公司立昂东芯项目总投资约 43 亿元，个中设备投资 36.05 亿，地皮及生产、动力、环境等各种厂房投资 3.8 亿， 流动资金和其他配套投资 3.15 亿。
建成后估量年产 36万片 6 英寸砷化镓/氮化镓微波射频集成电路芯片。
个中包括年产 18 万片砷化镓 HBT 和pHEMT 芯片，年产 12 万片垂直腔面发射激光器 VCSEL 芯片，年产 6 万片氮化镓 HEMT芯片。
该项目由海宁公司在五年内分阶段履行，个中第一阶段工程 18 万片/年，第二阶段工程 18 万片/ 年。

公司盈利能力稳步提升，公司 2021H1 净利润估量为 21,728.18 万元，同比增长 152.54%。
公司 2021H1 实现业务收入 10.28 亿元，同比增长 58.57%，实现归母净利润 2.09 亿元，同比增长 174.21%。
公司整体营收及净利润稳步上升。
器件产品的运用端光伏新能源行业、新能源汽车行业市场景气度有显著提升，对公司生产的高端器件产品的需求持续增加，虽然产能有较大提升，但仍难以知足市场的兴旺需求，供不应求态势明显。
公司依据市场供需状况对半导体硅片、半导体功率器件芯片履行了涨价，直接增加了公司上半年的经营古迹。

12、士兰微：IGBT 产品营收再创新高，SiC 中试线实现通线

产品线不断丰富，IGBT 产品营收再创新高。
公司建立了可持续发展的产品和技能研发体系，个中包括以 IGBT 等为代表的功率半导体产品。
在工艺技能平台研发方面，公司依托于已稳定运行的 5、6、8 英寸芯片生产线和正在培植的 12 英寸芯片生产线和前辈化合物芯片生产线，建立了新产品和新工艺技能研发团队，完成了海内领先的超薄片槽栅 IGBT工艺研发。
2020 年，基于公司自主研发的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的电动汽车主电机驱动模块，已通过部分客户测试并开始小批量供货。
2020 年，公司 IGBT 产品（包括器件和PIM 模块） 业务收入打破 2.6 亿元，较上年同期增长 60%以上。

GaN 研发持续推进，SiC 中试线实现通线：2021 年上半年，公司硅基 GaN 化合物功率半导体器件的研发在持续推进中，公司 SiC 功率器件的中试线已在二季度实现通线。
未来士兰微将在化合物功率半导体器件的研发上连续加大投入，尽快推出硅基 GaN 功率器件以及完全的运用系统；同时加快 SiC MOSFET 功率器件的研发，尽快推出自产芯片的车用SiC 功率模块。

士兰微上半年收入 33 亿元，同比增长 94%。
归母净利润创历史新高达 4.3 亿元，同比增加 1306%。
公司业务利润和利润总额均扭亏为盈，（1）2021 年上半年公司子公司士兰集昕公司 8 英寸芯片生产线保持较高水平的产出，芯片产量较去年同期有较大幅度的增长，产品综合毛利率提高至 18.35%，亏损大幅度减少；（2）公司子公司士兰明芯公司 LED 芯片生产线基本处于满负荷生产状态，LED 芯片产量较去年同期有较大幅度的增长，产品综合毛利率提高至 6.87%，亏损大幅度减少；（3）士兰微（母公司）集成电路和分立器件产品销量较去年同期大幅度增长，产品毛利率提高至 23.94%，业务利润大幅度增长。

13、华虹半导体：IGBT 在 12 英寸实现规模量产

华虹半导体在 IGBT 制造领域拥有深厚履历，技能前辈、量产产品种类繁多，前瞻布局新技能以适应增长性需求。
华虹半导体作为环球首家供应场截止型（FS, Field Stop）IGBT量产技能的 8 英寸晶圆代工企业，在 IGBT 制造领域具有深厚履历，无论是导通压降、关断损耗还是事情安全区、可靠性等目前均达到了国际领先水平。
公司拥有前辈的全套IGBT 薄晶圆背面加工工艺。
华虹半导体量产的 IGBT 产品系列浩瀚，电压涵盖 600V 至1700V，电流从 10A 到 400A，产品线逐渐从民生消费类跨入工业商用、新能源汽车等领域。
除了追求高压功率器件所需的更高功率密度和更低损耗，公司正在开拓片上集成传感器的智能化 IGBT 工艺技能与更高可靠性的新型散热 IGBT 技能，以更好地做事环球市场对 IGBT 产品的增长性需求。

华虹半导体是环球首家同时在 8 英寸与 12 英寸生产线量产前辈型沟槽栅电场截止型IGBT 的纯晶圆代工企业.。
2019 年公司在无锡顺利投产的 12 英寸厂在 2021 年上半年统统进展顺利，产能利用率保持高位。
在担保现有产能持续稳定供应并不断扩增产能的情形下，仍旧保持做事质量的不断精进，IGBT 在 12 英寸实现规模量产，更好地支持客户产能需求。
公司分立器件 2021 上半年纪迹同比增长 40%，个中 IGBT 表现亮眼，出货量同比增长 121%。

2021 年 H1 古迹表现亮眼。
2021 年 1-6 月，公司实现业务收入 6.59 亿元，同比增长51.55%；扣除非常常性损益后归属于母公司所有者的净利润 7622.20 万元，同比增长193.52%。

14、新洁能：海内 IGBT 等半导体功率器件市占率排名前列

2021 年 H1，公司 IGBT 业务实现一系列进展，IGBT 产品营收强劲增长。
2021 年上半年，12 寸的 1200V IGBT 目前有五个系列的不同特性的 IGBT 产品量产；针对工业变频和工业逆变的 1200V IGBT 功率集成模块（PIM）陆续产出，并形成批量发卖；专门针对光伏储能市场的开拓的低损耗高频 IGBT 系列产品已经通过多家行业代表客户测试，并接到客户批量订单。
借助于公司核心供应商华虹宏力的 8+12 英寸前辈的特色工艺，公司上半年IGBT 取得了长足发展，目前在光伏逆变、储能逆变（UPS）、工控、电动工具马达驱动、家电变频掌握等行业都得到打破性进展，与干系行业头部企业都展开了紧密互助。
此外公司的 IGBT 模块自二季度推出干系产品后，已经取得了部分客户的订单。
2021 年上半年，公司 IGBT 产品实现发卖收入 2,642.22 万元，比较去年同期增长了 1114.60%。

第三代半导体功率器件平台：目前 1200V 新能源汽车用 SiC MOSFET 和 650V PD 电源用GaN HEMT 在境内外芯片代工厂的处于流片验证阶段，进展顺利。
驱动 IC 产品平台：为了更好的知足终端客户对功率器件及整体办理方案的需求，公司已立项研发用于掌握和驱动功率开关器件（MOSFET/IGBT/SiC MOSFET/GaN HEMT）的 IC 系列产品，目前已完成 IC 研发团队的组建，并与多家芯片代工厂建立了互助关系，已开拓数款 IC 产品，干系产品处于客户验证阶段，估量该类产品将成为公司新的古迹增长点。

新洁能上半年业务收入 6.77 亿元，同比增长 76.21%。
归母净利润 1.74 亿元，同比增加215.29%。
2021 上半年，（1）受到疫情影响、电子元器件国产化加快、新兴运用领域兴起等成分的持续影响，功率半导体行业景气度日趋升高。
（2）环绕市场需求、客户需求以及行业发展趋势，公司积极进行研发升级与产品技能迭代；（3）持续开拓与掩护供应链资源，争取更多的产能支持；（4）优化市场构造、客户构造及产品构造，开拓新兴市场与开拓重点客户，终极实现经营规模和经济效益的较好增长。

15、扬杰科技：瞄准 SiC 行业发展趋势，加强 SiC 功率器件等研发力度

瞄准第三代半导体材料行业发展趋势，在碳化硅功率器件等产品研发方面加大力度，以进一步知足公司后续计策发展需求，现已成功开拓并向市场推出碳化硅模块及 650V 碳化硅 SBD 全系列产品，1200V 系列碳化硅 SBD 及碳化硅 MOS 已取得关键性进展，为实现半导体功率器件全系列产品的一站式供应奠定坚实的根本。

图 125：扬杰科技毛利率、净利率情形

公司 2021H1 实现归母净利润 3.44 亿元，同比增长 138.57%。
公司整体营收及净利润稳步上升。
同时公司前期在研发上的大力投入逐步开释效益，新产品古迹突出。
MOS、小旗子暗记、IGBT 及模块等产品的古迹同比增长均在 100%以上。

16、赛微电子：节制古迹领先 SiC、GaN 外延技能，GaN 业务产能爬升迅猛

以研发为根本，赛微电子节制业界领先的 8 英寸硅基 GaN 外延与 6 英寸碳化硅基 GaN外延生产技能，由小规模试产转向量产。
赛微电子自主节制了 GaN 外延材料成长的工艺诀窍并积累了丰富的 GaN 功率及微波器件设计履历。
目前，公司已经就 GaN 外延材料产品签订了千万级发卖条约，并根据商业条款安排生产及交付。
截至目前，公司 GaN 外延晶圆和功率器件的订单金额合计已超过 3,000 万元公民币。

赛微电子通过投资设立全资子公司和参股联营等办法，在与地方政府积极互助的根本上，推动产能培植和家当链布局。
公司半年报表明，在 GaN 外延片方面，公司已经建成 6-8英寸的 GaN 外延材料制造项目（一期）的产能为 10000 片/年。
目前在生产中碰着的困难紧张来自产能供应端受限，存在产能瓶颈问题。
一方面，公司通过签订批量流片条约以缓解产能瓶颈问题，另一方面，公司 GaN 业务子公司聚能创芯参股投资设立青州聚能国际。
目标在 2021 年内建成 GaN 产线并做好投产准备，以尽快推动产能培植，完善 IDM布局。

赛微电子与政府达成密切互助，以推动其干系家当布局的实现，助力公司进一步完善GaN 业务的百口当链 IDM 布局。
赛微电子与青州市公民政府于 2020 年 4 月签订的《互助协议》中，青州市政府承诺于青州经济开拓区供应租赁厂房，支持新产线培植等等，并供应税费优惠。
项目一期建成后将形成 6-8 英寸晶圆月产 5000 片的生产能力，二期建成后产量将达 12,000 片/月。
项目估量 2021 年底前做好投产前准备，2022 年上半年投入生产，一期产能投产达效后估量可新增年发卖收入 5 亿元。

2021 年上半年，公司实现营收 3.95 亿元，同比增长 9.74%；归母净利润 0.72 亿元，同比增长 515.57%。

赛微电子上半年业务收入收入 3.95 亿元，同比增长 9.74%。
归母净利润 0.72 亿元，同比增加 515.57%。
紧张古迹驱出发分为 MEMS 业务。
公司子公司瑞典 Silex 是环球领先的纯MEMS 代工企业且产能持续扩充，子公司赛莱克斯北京已建成规模化 MEMS 代工能力并正式投产。

17、捷捷微电：与研究所互助研发第三代半导体干系技能

公司已与中科院微电子研究所、西安电子科大互助研发以 SiC、GaN 为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降落电能变换中的能量丢失，大幅减小和减轻电力电子变换装置，是当前新型电力电子器件的研发主流，其干系技能与产品在工业传动、军工、铁路、智能电网柔性输变电、消费电子、无线电力传输等领域，以及智能汽车及充电桩、太阳能发电、风力发电等新能源领域具有广阔的市场，宽禁带电力电子器件产品将是未来电力电子技能的主要代价增长点。

图 131：捷捷微电毛利率、净利率情形

捷捷微电上半年业务收入 8.52 亿元，同比增长 109.03%。
归母净利润 2.4 亿元，同比增加 105.21%。
2021 年上半年，公司拥有的核心技能与研发能力、产品质量掌握能力以及全行业覆盖的市场与发卖体系仍是公司立足行业领先地位的核心竞争力。

18、华微电子：积极布局第三代半导体器件技能

公司正在积极布局以 SiC 和 GaN 为代表的第三代半导体器件技能，重点推进 SiC SBD 产品和 650V GaN 的开拓。
作为首家海内功率半导体器件领域上市公司，华微公司坚持生产一代、储备一代、研发一代的技能开拓计策，早已积极布局以 SiC 和 GaN 为代表的第三代半导体器件的研发、制造。
目前 SiC 产品已经可以供应二极管产品、GaN 器件可以供应快充利用的 FET。
华微电子表示，下一步，将进一步发挥公司的 IDM 模式的上风，集中精力研究三代半导体的关键技能和运用技能，完善干系生产线开拓和制造能力，为消费类、工业类和汽车电子领域供应精良的三代半导体电力电子器件。

19、时期电气：IGBT 技能达国际前辈水平，运用于轨道交通和电网

打破 IGBT 关键核心技能，冲破轨道交通和特高压输电关键器件由国外企业垄断的局势。
公司一贯以来致力于功率半导体技能的自主研究，目前已发展为我国功率半导体领域集器件开拓、生产与运用于一体的代表企业，紧张产品覆盖双极器件、 IGBT 和 SiC 等。
在功率半导体器件领域，公司建有6 英寸双极器件、 8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的家当化基地，拥有芯片、模块、组件及运用的全套自主技能。
公司生产的全系列高可靠性IGBT 产品冲破了轨道交通核心器件和特高压输电工程关键器件由国外企业垄断的局势，目前正在办理我国新能源汽车核心器件自主化问题。

IGBT 技能达到国家前辈水平，产品广泛运用于轨道交通、电网和新能源汽车行业。
公司在 IGBT 领域的技能经湖南省科技厅及组织的专家评审团评估，成果总体技能达到国际领先水平。
在轨道交通畅业，公司的高压 IGBT 产品大量运用于我国轨道交通核心器件领域；在输配电行业，公司生产的3300V 等系列 IGBT 批量运用于柔性直流输电、百兆级大容量电力系统，为我国柔性输配电工程的培植供应核心技能保障；在新能源汽车行业，公司最新一代产品已向海内多家龙头汽车整车厂送样测试验证，有助于构建我国新能源汽车核心器件自主技能及家当化体系。

部分 SiC SBD、 MOSFET 产品已得到运用。
公司建有 6 英寸双极器件、 8 英寸 IGBT和 6 英寸碳化硅的家当化基地，拥有芯片、模块、组件及运用的全套自主技能，除双极器件和 IGBT 器件在输配电、轨道交通、新能源等领域得到广泛运用外，公司的“高性能 SiC SBD、 MOSFET 电力电子器件产品研制与运用验证” 项目已通过科技成果鉴定，实现了高性能 SiC SBD 五个代表品种和 SiC MOSFET 三个代表品种，部分产品已得到运用。

20、天岳前辈：海内领先第三代半导体碳化硅衬底材料制造商

天岳前辈紧张从事宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和发卖，产品可运用于微波电子、电力电子等领域。
目前，公司紧张产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。
公司已节制涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体成长、衬底加工等环节的核心技能，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技能。
截至2020 年末，公司拥有授权专利 286 项，个中境内发明专利 66 项，境外发明专利 1 项。
通过数千次的研发及工程化试验，公司核心技能不断创新，所制产品已达到海内领先、国际前辈水平。

21、凤凰光学：拟收购国盛电子和普兴电子，布局 SiC 外延材料

凤凰光学宣告将收购两家 SiC 外延干系企业。
公告称公司拟方案以发行 A 股股份的办法，100%购买南京国盛电子有限公司和河北普兴电子科技株式会社股权。

普兴电子是海内最大的硅基外延材料供应商，碳化硅外延材料已具备量产能力。
2018 年普兴电子就搭建了碳化硅外延生产和测试平台，2019 年率先在河北省实现 6 英寸碳化硅外延片家当化，2020 年开拓了快速碳化硅外延成长工艺，单台设备产能提高 20%以上。
2021 年 8 月，普兴电子正在培植“6 英寸碳化硅外延以及 8 英寸硅外延生产基地”，总建筑面积约为 63915.23 ㎡，投资总额 1.8 亿元，项目已由河北石家庄鹿泉经开区批准培植。
招标信息显示，普兴的 6 英寸碳化硅外延片批量生产线年产能为 6 万片。

国盛电子是中电材料的控股子公司，海内精良的硅外延、碳化硅外延生产做事供应商，主营产品包括碳化硅外延片（4 英寸至 6 英寸）。
9 月 27 日，中电材料的“外延材料家当基地项目”签约落户江宁开拓区，而履行单位正是国盛电子。
该项目占地面积约 10 万平方米，分两期履行，个中一期将培植成立第三代化合物（SiC 等）外延材料基地。

22、宏微科技：自主设计研发 IGBT 芯片，参与制订国家干系标准

自主设计研发 IGBT 芯片，参与制订国家干系标准。
宏微科技紧张从事以 IGBT、 FRED 为主的功率半导体芯片、 单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和发卖， IGBT、FRED 单管和模块的核心是 IGBT 芯片和 FRED 芯片，公司拥有自主研发设计市场主流IGBT 和 FRED 芯片的能力。
公司积极组织或参与国家 IGBT 干系标准的制订，以及承担国家和省部级科技重大项目等。
公司作为紧张起草单位之一，制订了已履行的 1 项国家标准和 10 项团体标准， 以及已发布即将履行的 2 项国家标准和尚未发布的 5 项 IGBT 干系行业标准。

~全篇完~

本周新增报告：