编辑:[db:作者] 时间:2024-08-25 06:04:00
编译 | 林卓玮
编辑 | 江心白
芯东西1月1日,博士生Jin Xue领导的麻省理工研究团队采取正偏方法,设计出一款实用性较强的硅基LED,这款产品相较于其他用正偏法制成的硅基LED亮10倍。该团队还将新型硅基LED集成到CMOS芯片之中,并交由格罗方德(GlobalFoundries)在新加坡生产。
长久以来,硅只管资源丰富、价格低廉、干系制造工艺成熟,而且是人类利用和理解最广泛的一种材料,但由于LED的电能转换效率较低,大多数人并不看好硅在LED上的运用前景。
麻省理工研究团队采取正偏方法,并创造性地改变了LED中PN结的组合办法,成功提高了硅材料光电能量转换效率,提高了硅基LED的亮度,降落了LED的制备本钱。
近期,Jin Xue研究团队在IEEE国际电子器件大会上展示了这项成果,该技能在近程传感方面有广阔运用前景。
一、硅材料上风:本钱低、工艺成熟
硅资源丰富、价格低廉、性子稳定,是目前人类利用最广泛的材料之一,紧张用来制造半导体器件和集成电路,但始终缺席光学领域。
过去几十年里,科学家一贯在努力研制一款能真正投入利用的硅基LED,并将其集成在芯片之中。一旦成功,硅基LED作为一种廉价的红外线光源,能让许多现阶段难以实现的手机运用成为现实,并降落许多现有运用的制造本钱。
硅基LED紧张发射红外线,这样的特性使其格外适用于相机自动对焦和测距。只管现有移动设备大多都具备上述功能,但利用的材料相较于硅要昂贵许多。
撇去硅的各类上风不谈,硅基LED的研制之路事实上却并不顺利。
二、“能隙问题”限定硅基LED发展
科学家屡屡碰钉子的缘故原由实在很大略,那便是硅作为LED材料来讲,并不十分空想。
发光二极管(LED)由一个PN布局成,包括一个N区和一个P区。个中,N区充斥着受激的自由电子,P区则有许多带正电荷的空穴,吸引着P区的电子。随着电子突入空穴,电子能级骤降,开释出能量差。
不同半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同,因此电子和空穴复合时开释出的能量也会有差异。
氮化镓、砷化镓等常见LED材料属于直接带隙材料,其导带最小值和价带最大值具有同一电子动量,导带底的电子与价带顶的空穴可以通过辐射复合而发光,复合几率大,发光效率高。
然而,硅是一种间接带隙半导体材料,其导带最小值和价带最大值的动量值不同。因此,硅材料中的电子方向于将能量转化为热,而不是光,使得硅基LED的能量转换速率和效率均低于其同类产品。
因此,只有打破能隙问题,硅基LED才有可能真正投入利用。
三、能隙问题的两大对策:硅锗合金、正偏/反偏方法
针对能隙问题,目前的办理方案紧张有两种,一种是制造硅锗合金,另一种是采取正偏/反偏方法。
第一种方法即制造硅锗合金。通过改变硅晶格的形状,使其从立方构造变为六方构造,再将硅锗两种材料按一定比例组合起来,可以得到直接带隙的合金。
今年早些时候,荷兰埃因霍芬理工大学Erik Bakkers领导的研究团队采取VLS成长纳米硅线成功制备出一种新型硅锗合金发光材料,并研制出一款能够集成到现有芯片中的硅基激光器。该团队表示,这款小小的激光器或许能在未来大幅降落数据传输的本钱,并提高效率。
这不乏是一种好方法,不过制备六方构造硅材料并非易事,其晶像也难以掌握。
第二种方法即正偏/反偏方法。个中反偏技能至今已有50余年的历史。
什么是反偏呢?其全称是反向偏置,即给PN结加反向电压,P区接电源负极,N区接电源正极。这样一来,电子无法立马和空穴复合,当电场达到临界强度后,电子加速运动,电流倍增,形成“电雪崩”。LED可以利用“雪崩”的能量发出通亮的光。不过反偏所需电压常日比标准电压赶过好几倍。
与反偏相对的便是正偏。在正向偏置模式下,电子可以尽情涌流。21世纪以来,一些研究职员也对正偏技能进行了完善,让硅基LED能在1伏特电压下发光。只管所需电压已经达到常规CMOS芯片中晶体管的水平,但这种硅基LED的亮度尚不能知足日常所需。
四、研究创新点:一种N区和P区的新型连接方法
麻省理工团队则采取了正偏的方法,并提出了一种N区和P区的新型连接方法。
传统做法是将N区和P区并列排放,而麻省理工团队选择将两个分区垂直叠放。这样做能让电子及空穴阔别表面和边缘区域,防止电子将电能转换为热量,从而提高发光效率。
该团队的研究职员之一——拉杰夫拉姆(Rajeev Ram)称,采取这种新型设计制成的硅基LED比其他用正偏法制成的同类产品亮十倍。只管还不敷以运用到智好手机上,但Ram相信未来还会有更多进步。
美国国家标准与技能研究院(NIST)的研究员Sonia Buckley作为第三方,对这款新型硅基LED作出了如下评价:“如果你须要低效率、高能耗的光学器件,那么这款新型硅基LED很适宜你。这款LED相较于市场现有产品,制造本钱要低很多,更何况现有LED产品尚未集成到芯片上。”
Ram认为,硅基LED的特性非常符合近程传感的需求,并透露团队将针对智好手机平台研发一个用于近间隔测距的全硅基LED系统。他说道:“这可能是该技能近期的运用方向之一,通过这个项目,我们和格罗方德的互助关系也会得以深化。”
结语:硅基光新时期或将到来
在漫漫几十年的韶光里,科学家一贯试图将硅这样一个既划算又好用的材料运用到光学领域,然而苦于硅材料固有特性的限定,迟迟没有实现重大打破。
今年,埃因霍芬理工大学研究团队成功制成硅锗合金,办理了困扰硅材料已久的能隙问题。麻省理工的这项新发明又创造性地改进了半导体材料中P区和N区的排列方法,大大提高了硅基光材料的发光效率。
只管这些技能尚在发展中,离大规模商用还有一定间隔,但今年接连取得打破,或许预示着硅基光新时期已经在地平线处。
来源:IEEE Spectrum,中国科学报
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