光敏电阻Flash锂电池充电曲线以及辐射发射测试技能文章分享

一、光敏电阻是什么？

光敏电阻，又称光导管，是一种利用光敏材料制成的电阻器件。

它的阻值会随着光照强度的变革而变革。
当光芒照射到光敏电阻上时，电阻值会变小；反之，光芒减弱时，电阻值会变大。
这种特性使得光敏电阻在许多领域都有广泛的运用。

二、光敏电阻的事情事理

光敏电阻的事情事理紧张基于光生电效应。
当光芒照射到光敏材料上时，材料内部的电子会接管光子能量，从而跃迁到导带中。
这些跃迁的电子使得材料中的载流子数量增加，导致电阻值降落。
因此，光照越强，电阻值越小；光照越弱，电阻值越大。

三、光敏电阻的运用处景

智能家居：光敏电阻在智能家居领域发挥着重要浸染。
例如，智能照明系统可以根据室内光芒强弱自动调节灯光亮度，实现节能环保。
这背后离不开光敏电阻对光照强度的实时监测和调控。
自动门控：许多公共场所的自动门都配备了光敏电阻。
当有人或物体靠近时，光敏电阻感知到光芒变革，触发自动门的开启和关闭，提高通畅效率。
摄像头曝光调节：在拍照或录像时，摄像头须要根据环境光芒调度曝光度，以确保画面清晰。
光敏电阻在这里起到了关键浸染，帮助摄像头实时感知光照强度，实现自动曝光调节。
路灯掌握系统：在城市道路照明中，光敏电阻被广泛运用于路灯掌握系统。
通过感知昼夜光芒变革，光敏电阻可以自动掌握路灯的开关，实现节能环保。

四、光敏电阻的上风与不敷

上风：

灵敏度高：光敏电阻对光照强度的变革非常敏感，能够快速相应。
稳定性好：光敏电阻在长期利用中，性能稳定，不易涌现漂移征象。
价格实惠：光敏电阻的制造成本相对较低，使得它在各个领域得到广泛运用。

不敷：

受温度影响：光敏电阻的性能可能受到环境温度的影响，导致丈量偏差。
受其他光源滋扰：在某些情形下，光敏电阻可能受到其他光源（如红外线、紫外线等）的滋扰，影响丈量精度。

五、结语

光敏电阻作为一种主要的电子元件，在各个领域都有着广泛的运用。
从智能家居到自动门控，再到摄像头曝光调节和路灯掌握系统，光敏电阻都在默默地发挥着浸染。
虽然它也有一些不敷之处，但随着科技的进步，我们相信光敏电阻的性能将得到进一步提升，为我们的生活带来更多便利。

光敏电阻有了更深入的理解。
如果你对光敏电阻还有其他疑问或想要理解更多信息，欢迎在评论区留言，我们将竭诚为你解答。

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如何让超级下载算法适用市情上类型互异的Flash？

文接上篇 《超级下载算法(RT-UFL)开拓条记（3） - 统一FlexSPI驱动访问》，现在超级下载算法中已经集成了BootROM版本的统一FlexSPI驱动，原则上BootROM能支持启动的所有串行NOR Flash型号，超级下载算法都可以对其进行擦写操作。
BootROM虽然可以支持很多种不同的Flash，但其须要依赖用户供应一个名为FDCB的配置构造体放置在Flash固定偏移处，BootROM先配置FlexSPI为1bit SDR低速模式去访问Flash获取到FDCB，然后从FDCB中得到当前Flash的全部属性再去重新初始化FlexSPI外设。
然而超级下载算法没法从用户处获取到Flash的信息，只能独立重生，利用轮询的方法去不断考试测验，直到试出得当的配置参数。

本篇是开拓条记第四篇，咱们就重点聊聊如何让超级下载算法适用不同厂商生产的不同属性串行NOR Flash。

一、BootROM对Flash的支持（FDCB）

序言里讲了BootROM对Flash的支持是靠不同的FDCB构造体配置值来实现的，这个FDCB一共512bytes，原型及各byte定义在i.MXRT1xxx参考手册System Boot章节里 Serial NOR configuration block (512 bytes) 一小节有详细先容。
这个FDCB紧张是用于配置FlexSPI外设的，咱们超级下载算法的 flexspi_nor_flash_init() 函数的一个紧张参数 flexspi_nor_config_t 实在便是FDCB。

status_t flexspi_nor_flash_init(uint32_t instance, flexspi_nor_config_t config);

关于这个FDCB详细如何赋值，恩智浦官网有一些运用条记，这些运用条记先容了一些范例的Flash型号该当匹配什么样的FDCB值，从这些运用条记里我们可以大概理解FDCB用法。

上面的运用条记里列举了一些BootROM支持的Flash型号，这些型号仅仅是恩智浦工程师验证过的型号，而客户在实际项目中用到的Flash型号远远不止这些。
从Flash型号本身角度来看，不同厂商的不同型号是独特且唯一的，但从FDCB角度而言，很多同类型Flash型号实在是一样的配置值。

二、快速天生FDCB的方法（config option）

那么我们现在是不是直接在超级下载算法中穷举不同的FDCB值去轮询呢？要知道FDCB有512bytes，这是个不小的构造体，轮询一遍太费时且低效了。
我们须要进一步提炼FDCB，将其精简一下，只轮询那些跟Flash类型紧密干系的参数。
这个事情实在也不须要我们做了，恩智浦ROM研发小组已经做好了，那便是8bytes的config option配置构造体，这个配置构造体也是超级下载算法的 flexspi_nor_get_config() 函数的一个紧张参数 serial_nor_config_option_t。

status_t flexspi_nor_get_config(uint32_t instance, flexspi_nor_config_t config, serial_nor_config_option_t option);

实在这个神奇的8bytes的config option配置构造体不止一次地涌现过痞子衡之前的文章里：《导致串行NOR Flash在i.MXRT下无法正常下载/启动的常见成分之SFDP》、《导致串行NOR Flash在i.MXRT下无法正常下载/启动的常见成分之QE bit》、《FlexSPI NOR启动韶光(RT1170)》、《MCUBootUtility v2.3发布，这次不再放过任何一款Flash》，它非常精髓精辟地概括了市情上紧张的串行NOR Flash特性（都要符合JESD216规范），只要你供应config option，经由 flexspi_nor_get_config() 函数实行后便可以自动天生相对应的完全FDCB。

在i.MXRTxxx参考手册Non-Secure Boot ROM章节里你可以找到如下范例Flash型号对应的参考config option值：

三、利用config option来做轮询

直策应用512bytes的FDCB去轮询太难，但利用8bytes的config option去轮询就大略多了。
我们顺着上文中提及的ufl_target_desc_t构造体，在个中新增几个成员（FlexSPI外设编号/基址/映射地址，config option），个中轮询紧张跟config option有关。

typedef struct _target_desc{ uint32_t imxrtChipId; uint32_t flexspiInstance; // 新增 uint32_t flexspiBaseAddr; // 新增 uint32_t flashBaseAddr; // 新增 serial_nor_config_option_t configOption; // 新增 flexspi_nor_flash_driver_t flashDriver; flexspi_bsp_driver_t flexspiBsp;} ufl_target_desc_t;

然后我们定义一个config option型的数组 s_flashConfigOpt[]，里面存放一些经典的config option值。
当前痞子衡的设计是仅轮询这些经典的config option值，并没有穷举config option，这也是从超级下载算法的实行效率角度考虑，这些经典的config option值足以覆盖80%以上的Flash型号了（后期如果要提高Flash覆盖率，会考虑转到穷举法的）。

static const serial_nor_config_option_t s_flashConfigOpt[] = { // For Normal Quad, eg. IS25LP064A, GD25LB256E {.option0.U = 0xc0000001, .option1.U = 0x00000000}, // For Normal Octal, eg. MX25UM51345G {.option0.U = 0xc0403001, .option1.U = 0x00000000}, {.option0.U = 0xc1503051, .option1.U = 0x20000014}, // For Normal HyperBus, eg. S26KS512S, IS26KS512S {.option0.U = (0xc0233000 + kSerialNorCfgOption_MaxFreq), .option1.U = 0x00000000}, // For Normal Octal, eg. MX25UM51245G {.option0.U = 0xc0403031, .option1.U = 0x00000000}, // For Normal Octal, eg. MT35X {.option0.U = 0xc0603001, .option1.U = 0x00000000}, // For Normal Octal, eg. ATXP032 {.option0.U = 0xc0803001, .option1.U = 0x00000000}, // For Normal 1-bit SDR {.option0.U = FLASH_CONFIG_OPT_1BIT_SDR, .option1.U = 0x00000000},};

关于详细轮询操作，源码在 RT-UFL 项目中的ufl_auto_probe_flash.c 文件里，痞子衡就不再贴出了，只讲一下几个要点……

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锂电池充电曲线 – 为什么锂电池充电须要专用充电芯片

锂电池在日常生活中可以说是非常常见了，在给锂电池充电的时候，须要用专用的锂电池充电芯片，这是为什么？能不能用电源直接给锂电池充电？这个问题须要通过锂电池的充电曲线来阐明。

一、锂电池充电曲线

一样平常来说，锂电池的充电过程分为四步：预充电、恒流充电、恒压充电、停滞充电。
接下来，

通过一节3S锂电池的充电过程来理解一下这四个步骤。

预充电：若电池电压小于3V，要前辈行预充电，充电电流为一样平常为0.05C；

恒流充电：当电池电压在3V-4.2V时，进行恒流充电，充电电流一样平常为0.2C-1C；

恒流充电

恒压充电：当电池电压达到4.2V时，进行恒压充电，充电电压为4.2V，充电电流缓慢降落；

恒压充电

停滞充电：为防止电池过充，电池终极必须要停滞充电，掌握充电停滞的办法一样平常有计时器终止和C/10终止两种。

计时器终止是判断充电韶光，当充电韶光达到设定值之后停滞充电。

计时器终止

C/10终止是判断充电电流，当充电电流降落到设定值之后停滞充电，这个设定值可以是恒流充电电流的1/10。

C/10终止

把稳：上述电压为单节锂电池电压，3S锂电池为三节锂电池串联，其电压为单节锂电池电压的三倍……

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辐射发射测试园地先容

为担保电磁兼容测试的可靠性和准确性，电磁兼容测试对测试环境有严格的哀求，一样平常在电磁兼容测试标准中对测试园地的各种参数都有明确的规定。
下面简要先容电磁兼容测试园地。

一、开阔场：

开阔场是指受试设备（EUT）在露天测试现场（OATS）中进行丈量，是国际CISPR规定的方法。
它哀求开阔场应是一个平坦、空旷、电导率均匀且良好，无反射物的椭圆形园地，详细哀求请参考ANSI C63.7 CISPR16标准。

上海电器设备考验所标准EMC开阔场（OATS）

1.1、开阔场丈量事理:

利用开阔场进行辐射发射与吸收丈量，因此空间直射波与地面反射波在吸收点的矢量迭加理论为根本。
测试场在上方、旁边、前后都不存在反射的条件下，吸收天线收到的场为直射波与反射波的矢量和。
由于相位关系，直射波可能会被反射波抵消一部分，以是不一定能吸收到EUT发射的最大场强。
对付不同的测试频率，能得到最大场强的吸收天线的是不同的，例如3米法是4米范围，10米法是6米范围扫描。

1.2、开阔场的运用处所：

有些设备有分外的空间哀求，暗室的性能都因此开阔场为参考的，开阔场是测试数据比拟最原始的参考场地，很多天线校准必须在开阔场。

1.3、开阔场面临的寻衅：

只管开阔场一贯被国际公认为最科学的、合理的、最空想的测试园地，并被规定为末了剖断依据。
然而要建造一个符合标准哀求的开阔场是非常困难的，紧张是由于开阔场受景象的影响较大，其次是随着信息技能的发展，空间电磁环境越来越恶劣，很难找到纯净的开阔场。
因此，国内外电磁兼容已很少利用开阔场进行试验。

二、电波暗室：

由于随着环境电磁噪声强度和密度的不断增强，一样平常很难找到符合标准哀求的开阔场。
目前电波暗室（Anecholc Chamber）广泛地用来仿照开阔场进行辐射发射和辐射敏感度测试。
电波暗室又称电波消声室，或电波无反射室。
电波暗室有两种构造形式：电磁屏蔽半电波暗室和全电波暗室。

2.1、半电波暗室：

电磁屏蔽半电波暗室由电磁屏蔽室加射频吸波材料组合而成，侧面和室顶敷设射频吸波材料，地板采取金属地板的导电面，仿照开阔试验场，这种屏蔽室称为半电波暗室。

电磁屏蔽半电波暗室中的测试环境是仿照开阔试验场的传播条件，因此暗室尺寸应以开阔试验场的哀求为依据。
其测试间隔R为3m、10m。
吸波材料的选择直接关系到暗室的性能，常用的吸波材料有单层铁氧体片、角锥形含碳海棉复合吸波材料和角锥形含碳苯板复合吸波材料。

2.2、全电波暗室：

电波暗室的六个表里面全部敷设射频吸波材料的称为全电波暗室，仿照自由空间。
紧张运用于1GHZ以上的高频辐射测试，以及辐射抗扰度测试。

2.3、电波暗室的布局图：

2.4、电波暗室的尺寸：

标准10米法电波暗室

标准966 3米法电波暗室

10米电波暗室与3米法电波暗室的差异：

天线中央到EUT的间隔不同标准限值不同测试效率不同建造本钱差异较大EUT内发射天线与丈量天线产生共振不同，某频点丈量结果可能存在较大异。

2.5、电波暗室的技能指标哀求：

电波暗室的紧张性能指标：屏蔽效能、园地均匀性（FU）、归一化园地衰减（NSA）、 传输损耗（TL）、静区尺寸、谐振频率、接地阻抗、驻波比（VSWR）等。

归一化园地衰减（NSA）：

园地衰减是丈量用场地的一个固有参数，园地衰减与地面的不平度、地面的电参数、周围环境、收发天线之间的间隔、天线类型和极化方向、收发天线端口的阻抗等息息相关。
园地衰减定义为：输入到发射天线上的功率与吸收天线负载上所得到的功率之比。
CISPR16-1、EN50147-2、ANSI C63.4、GJB2926标准哀求：在30MHz~18GHz频率范围内，当丈量的垂直与水平的N S A 值在归一化园地衰减理论值的4dB之内，则测试园地被认为是合格的。
归一化园地衰减只用来表明测试园地的性能，与天线或丈量仪器并没有多大的关系，是衡量测试园地性能的主要指标之一。

园地均均性（FU）：

该指标是为在暗室中进行电磁辐射敏感度丈量而制订的。
敏感度丈量需在被测设备（EUT）处产生规定的场强（3～10V/m），稽核是否会引起EUT事情性能低落。
由于（EUT）表面有一定范围，以是在静区地板上方0.8m高度规定了一个1.5m1.5m的假想垂直平面，即均匀区，在这个平面中场的变革非常小，在26MHz～18GHz频率范围内，哀求该区域内75%的表面上的幅值偏差应在标称值的0～＋6dB范围之内。

屏蔽效能：

电波暗室的屏蔽性能用屏蔽效能来衡量。
屏蔽效能是仿照滋扰源置于屏蔽壳体外时，屏蔽体安装前后的电场强度、磁场强度或功率的比值。
暗室屏蔽效果不仅与屏蔽材料性能有关，也与壳体上可能存在的各种不连续的形状和孔洞有关，例如屏蔽材料间的焊接缝隙、屏蔽门、暗室的透风窗。

为了提高屏蔽效能，在对屏蔽钢板焊接时，可最大限度的减少钢板的变形，保持钢板表面的平整度，保持全体壳体的电连续性。
暗室的透风窗采取截止波导式透风窗，可以防止电磁能量的透露，在安装时必须与暗室墙壁有良好的、连续的电打仗。
屏蔽门是暗室的紧张进出口，须要常常开启，以是门缝是影响屏蔽效能的主要部位。
现在一样平常采取指形弹片来改进门与门框的电气打仗。
两层以上的簧片构造，可以使门缝处的透露达到较高屏蔽效能哀求的状态。
要达到较高的屏蔽效能，对焊缝、屏蔽门、透风截止波导窗设计和制造都要严格哀求。

EN50147-1、GB12190对电波暗室屏蔽效能哀求如下：

10KHz~150KHz（磁场）≧70dB

150KHz~1MHz≧100dB

1MHz~1000MHz≧110dB

1GHz~18GHz≧100dB

传输损耗（TL）：

它是描述电波暗室在高频段特性的紧张参数，实际上便是在1GHz以上的园地衰减，在测试传输损耗时金属地板也应铺设吸波材料，这时暗室可以仿照自由空间。
标准CISPR16-1、EN50147-2、ANSI C63.4哀求1GHz~18GHz传输损耗知足4dB。

电波暗室性能指标与评价标准：

2.6、电磁屏蔽室：

电磁屏蔽室是对电磁场起隔离浸染的设备，按标准哀求许多试验项目必须在屏蔽室内完成。
它是一个由低电阻金属材料制成的封闭室体，利用电磁波在金属体表面产生反射和涡流而起到屏蔽浸染。
当它与大地连接后，同时起到静电屏蔽浸染。

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