编辑:[db:作者] 时间:2024-08-24 23:48:22
公告显示,公司控股子公司株洲中车时期半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技能能力提升培植项目,项目培植工期24个月。项目建成达产后,将现有平面栅SiCMOSFET芯片技能能力提升到知足沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力,将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。
据市场研究和计策咨询公司Yole新近发布的Power SiC 2022报告指出,到2027年SiC器件市场估量将超过70亿美元,比2021年的10亿美元增长60亿美元。这项代价数十亿美元的业务将吸引更多厂商加入个中,未来将迎来新一轮的产能扩展和供应链整合。
时期电气表示,本项目的培植是基于公司发展计策和市场需求的主要举措,符合国家政策发展方向,通过该项目的履行,有利于进一步扩大和增强企业竞争力,为公司碳化硅家当的发展带来新的发展机遇。同时,项目完成后,公司工艺平台能力、产品研发能力及生产制造能力进一步提升。从长远来看,对公司的业务布局和经营古迹均有积极浸染。
全面提升第三代半导体关键芯片自主化
公开资料显示,时期电气紧张从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、发卖并供应干系做事,具有“器件+系统+整机”的家当构造。同时,公司在功率半导体器件、工业变流产品、新能源汽车电驱系统、传感器件、海工装备等领域开展业务。
为相应国家哀求及公司整体发展计策,公司半导体家当致力于打造前辈的功率半导体器件自主核心技能,依托强大的运用及家当平台,强化“芯片-模块组件-装置-系统”完百口当链,形成器件技能推动装置进步、装置技能拉动器件技能的良性循环。
在功率半导体器件领域,公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的家当化基地,拥有芯片、模块、组件及运用的全套自主技能。个中,公司生产的全系列高可靠性IGBT产品冲破了轨道交通核心器件和特高压输电工程关键器件由国外企业垄断的局势,目前正在办理我国新能源汽车核心器件自主化问题。
公告表露,本项目履行后将形成面向新能源汽车、轨道交通方向的SiC芯片量产生产线,并进一步研发高性能的新产品,可以进一步推进中车时期半导体工艺技能进步,提升家当化水平,实现国家第三代半导体关键芯片自主化,提升国际竞争力,保障第三代半导体家当的可持续发展具有主要意义。
下贱需求高景气市场空间广阔
赛迪顾问高等剖析师杨俊刚剖析认为,SiC市场的增长紧张来源于市场需求的增加,由于其带隙较宽、击穿场强、热导率强,目前紧张运用于电源、新能源汽车、电机驱动、光伏和储能等领域。随着双碳经济、新基建等国家计策的履行,SiC的利用量将进一步提升,一些产品将从硅基变成SiC。
2019年中国SiC、GaN电力电子器件运用市场中,消费电源是第一大运用,占比28%,工业及商业电源次之,占比 26%,新能源汽车排第三,占比11%。
未来随着SiC、GaN产品的本钱低落,性价比上风开始凸显,将会有更多的运用处景。特殊是新能源汽车快速发展,SiC 迎来发展良机。SiC 运用于新能源车,可以降落 损耗、减小模块体积重量、提升续航能力。
干系数据预测,到2025 年环球新能源汽车有望达到1100万辆,中国占50%。新能源汽车须要新增大量的功率半导体,48V 轻混须要增加90美元以上,电动或者混动须要增加330美元以上,如果采取 SiC 器件,则单车代价量增加更多。因此,随着本钱低落和技能的逐步成熟,SiC 在新能源车中具有较大的运用空间。
原有产线的良好根本将奠定项目成功达产
事实上,时期电气早在“十三五”期间,就建成了碳化硅芯片线,从目前来看,这不仅仅办理了公司在碳化硅技能领域从无到有的打破,更为这次升级改造奠定了良好的根基。
比如,公司由此拥有了良好的技能根本,公司在碳化硅器件领域已申请多项发明专利及揭橥多篇论文,完成了第一代技能产品的开拓和技能积累,已形成成熟的SiC芯片产品“设计-制造-测试-模块”完全能力,公司SiC产品在地铁、新能源汽车、光伏等市场领域均已实现运用示范。
公司已全面节制平面栅(DMOS+)技能、沟槽栅 (TMOS) 技能和风雅沟槽(RTMOS)技能。公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的家当化基地,拥有芯片、模块、组件及运用的全套自主技能,除双极器件和IGBT器件在输配电、轨道交通、新能源等领域得到广泛运用外,公司的“高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与运用验证”项目已通过科技成果鉴定,实现了高性能SiC SBD五个代表品种和SiC MOSFET三个代表品种,部分产品已得到运用。
可以说,公司拥有的完善项目培植体系是项目成功的主要保障。公司有过多条家当化半导体生产线的培植履历,技能团队具备丰富的项目组织履历与能力,拥有健全的项目履行机构,完备的项目管理制度,完善的资金掌握体系,可完备胜任本项目的培植。
整体来看,伴随6英寸SiC晶片制造技能的成熟,其干系产品质量和稳定性逐渐提高,带动国外下贱器件制造厂商对SiC晶片的采购需求逐渐由4英寸向6英寸转化, 6英寸碳化硅的主流趋势明显。
这次时期电气提升碳化硅芯片生产线技能能力较好的顺应了行业发展大势,既可以较好的知足下贱新能源、光伏以及储能的爆发式需求,极大的增厚公司古迹,又可以提升国家第三代半导体关键芯片自主化,加速推动国产替代。
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