干货 | 一文看懂IGBT相关常识

IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

IGBT是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU” 。
采取IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是办理能源短缺问题和降落碳排放的关键支撑技能。

IGBT因此GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿构造的复合器件。
其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。

在IGBT利用过程中，可以通过掌握其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的掌握。

1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消逝，IGBT呈关断状态。

2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。

3）当集-射极电压UCE＞0时，分两种情形：

②若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。

②若栅-射极电压UGE＞Uth ，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常事情）。
此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降落。

IGBT各世代的技能差异

回顾功率器件过去几十年的发展，1950-60年代双极型器件SCR,GTR,GTO，该时段的产品通态电阻很小；电流掌握，掌握电路繁芜且功耗大；1970年代单极型器件VD-MOSFET。
但随着终端运用的需求，须要一种新功率器件能同时知足：驱动电路大略,以降落本钱与开关功耗、通态压降较低，以减鄙吝件自身的功耗。
1980年代初,试图把MOS与BJT技能集成起来的研究，导致了IGBT的发明。

1985年前后美国GE成功试制工业样品（可惜后来放弃）。
自此往后， IGBT紧张经历了6代技能及工艺改进。

从构造上讲，IGBT紧张有三个发展方向：

1）IGBT纵向构造：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型；

2）IGBT栅极构造：平面栅机构、Trench沟槽型构造；

3）硅片加工工艺：外延成长技能、区熔硅单晶；

其发展趋势是：①降落损耗 ②降落生产本钱

总功耗＝ 通态损耗 (与饱和电压 VCEsat有关)+开关损耗 (Eoff Eon)。
同一代技能中通态损耗与开关损耗两者相互抵牾,互为消长。

IGBT模块按封装工艺来重视要可分为焊接式与压接式两类。
高压IGBT模块一样平常以标准焊接式封装为主，中低压IGBT模块则涌现了很多新技能，如烧结取代焊接，压力打仗取代引线键合的压接式封装工艺。

随着IGBT芯片技能的不断发展，芯片的最高事情结温与功率密度不断提高， IGBT模块技能也要与之相适应。
未来IGBT模块技能将环绕 芯片背面焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进。
模块技能发展趋势：

无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技能；内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件，不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。

IGBT的紧张运用领域

作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛运用于工业、 4C(通信、打算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统家当领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等计策性新兴家当领域。

1）新能源汽车

IGBT模块在电动汽车中发挥着至关主要的浸染，是电动汽车及充电桩等设备的核心技能部件。
IGBT模块占电动汽车本钱将近10%，占充电桩本钱约20%。
IGBT紧张运用于电动汽车领域中以下几个方面：

A）电动掌握系统 大功率直流/互换(DC/AC)逆变后驱动汽车电机；

B）车载空调掌握系统 小功率直流/互换(DC/AC)逆变，利用电流较小的IGBT和FRD；

C）充电桩 智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件利用；

2）智能电网

IGBT广泛运用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端：

从发电端来看，风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都须要利用IGBT模块。
从输电端来看，特高压直流输电中FACTS柔性输电技能须要大量利用IGBT等功率器件。
从变电端来看，IGBT是电力电子变压器（PET）的关键器件。
从用电端来看，家用白电、 微波炉、 LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。

3）轨道交通

IGBT器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种赞助变流器的主流电力电子器件。
互换传动技能是当代轨道交通的核心技能之一，在互换传动系统中牵引变流器是关键部件，而IGBT又是牵引变流器最核心的器件之一。

IGBT国内外市场规模

2015年国际IGBT市场规模约为48亿美元，估量到2020年市场规模可以达到80亿美元，年复合增长率约10%。
2014年海内IGBT发卖额是88.7亿元，约占环球市场的1∕3。
估量2020年中国IGBT市场规模将超200亿元，年复合增长率约为15%。

从公司来看，国外研发IGBT器件的公司紧张有英飞凌、 ABB、三菱、西门康、东芝、富士等。
中国功率半导体市场占天下市场的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，90％紧张依赖入口，基本被国外欧美、日本企业垄断。

国外企业如英飞凌、 ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500V，电流2A-3600A，已形成完善的IGBT产品系列。

英飞凌、 三菱、 ABB在1700V以上电压等级的工业IGBT领域占绝对上风；在3300V以上电压等级的高压IGBT技能领域险些处于垄断地位。
在大功率沟槽技能方面，英飞凌与三菱公司处于国际领先水平。

西门康、仙童等在1700V及以下电压等级的消费IGBT领域处于上风地位。

只管我国拥有最大的功率半导体市场，但是目前海内功率半导体产品的研发与国际大公司比较还存在很大差距，特殊是IGBT等高端器件差距更加明显。
核心技能均节制在发达国家企业手中，IGBT技能集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。
跟海内厂商比较，英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商霸占绝对的市场上风。
形成这种局势的缘故原由紧张是：

国际厂商起步早，研发投入大，形成了较高的专利壁垒。
国外高端制造业水平比海内要高很多，一定程度上支撑了国际厂商的技能上风。

中国功率半导体家当的发展必须改变目前技能处于劣势的局势，特殊是要在家当链上游层面取得打破，改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。

总的来说，在技能差距方面有：高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采取的IGBT模块规格在6500V以上，技能壁垒较强；IGBT芯片设计制造、模块封装、失落效剖析、测试等IGBT家当核心技能仍节制在发达国家企业手中。

近几年中国IGBT家当在国家政策推动及市场牵引下得到迅速发展，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完百口当链，IGBT国产化的进程加快，有望摆脱入口依赖。

受益于新能源汽车、轨道交通、智能电网等各种利好方法，IGBT市场将引来爆发点。
希望国产IGBT企业能从中崛起。

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