鼎龙股份申请化学机械抛光后清洗相关专利改进铜的 CMP 过程后清洗效果

专利择要显示，本发明涉及化学机器抛光后洗濯组合物，包含：pH 调节剂、季铵碱、润湿剂、有机氮氧螯合剂、有机溶剂；所述有机氮氧螯合剂选自由半胱氨酸和其它氨基酸脱水缩合得到的化合物或含酰胺键的共聚物中的至少一种；所述含酰胺键的共聚物选自下述式（1）或式（2）中的至少一种：式（1）中，R1、R2 和 R3 各自独立地为氢或碳数为 1‑3 的烷基；式（2）中，R4、R5 和 R6 各自独立地为氢、含有或不含有杂原子的碳数为 1‑20 的烃基。
本发明所供应的洗濯组合物，紧张用于铜的 CMP 过程后洗濯，通过季铵碱与有机氮氧螯合剂的共同浸染，与晶圆表面残留污染物络合，改进其水溶性，从而更易于被去除。

本文源自金融界