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大年夜联大年夜推出基于ON Semiconductor产品的小型工业电源供应器筹划

编辑:[db:作者] 时间:2024-08-25 01:42:51

图示1-大联大世平推出基于ON Semiconductor产品的小型工业电源供应器方案的展示板图

大年夜联大年夜推出基于ON Semiconductor产品的小型工业电源供应器筹划

氮化镓(GaN)是最靠近空想的半导体开关的器件,其能够以非常高的效能和高功率密度来实现电源转换。
虽然GaN器件的效能高于当今的硅基方案,能够轻松超过做事器和云数据中央最严格的80+规范或USB PD外部适配器的欧盟行为准则Tier 2标准。
但GaN器件在某些方面又不如旧的硅技能,为了充分发挥该技能的潜在上风,在电路设计时,外部驱动电路必须与GaN器件相匹配。

图示2-大联大世平推出基于ON Semiconductor产品的小型工业电源供应器方案的方块图

GaN驱动器对性能至关主要,驱动器使驱动电压保持在电压最大限值内并不是唯一的哀求。
对付快速开关,虽然GaN也有闸极电容的特性,但在闸极的有效串联电阻和驱动器中功率被耗散。
因此,使电压摆幅保持最小很主要,理论上,GaN器件在VGS=0安全关断,但实际上,纵然是最好的门极驱动器,直接施加到门极的电压也不可能是0V。
以是,优化layout是成功的关键。
采取ON Semiconductor的NCP51820在进行layout布局时,能够匹配门驱动回路,并有助于产品微型化设计。
将GaN器件和驱动器置于PCB同侧,通过适当地利用接地/返回面来避免大电流利孔。

图示3-采取ON Semiconductor NCP51820的示例layout布局图

本方案中采取的NCP51820高速栅极驱动器可用于知足严格的驱动增强模式(e-mode),高电子迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT),氮化镓(GaN)电源开关的哀求。
NCP51820通过前辈的技能供应短而匹配的传播延迟,为高端驱动器供应−3.5V至+650V(范例值)共模电压范围,为低端驱动器供应−3.5V至+3.5V共模电压范围驱动能力。
此外,该器件还为高速开关运用中的两个驱动器输出极供应高达200V/ns的稳定dV/dt操作。

核心技能上风:

NCP51820:供应主要的保护功能,例如独立的欠压锁定(UVLO)、监视VDD偏置电压、VDDH和VDDL驱动器偏置以及基于器件裸片结温的热关断功能。
并且电路可主动调节驱动器的偏置轨,从而在各种事情条件下防止潜在的栅源过电压。

NCP1616:NCP1616是一款高压PFC掌握器,旨在基于创新的电流掌握频率折返(CCFF)方法来驱动PFC升压级。
在这种模式下,当电感器电流超过可程式设计值时,电路将以临界导通模式(CrM)事情。
当电流低于此预设水定时,NCP1616在正弦过零处将频率线性衰减至最低约26KHz。
CCFF使额定负载和轻负载下的效率最大化。
NCP1616封装在SOIC-9封装中,具有坚固、紧凑的PFC级所需的功能。

NCP13992:其是用于半桥谐振转换器的高性能电流模式掌握器。
该掌握器实现600V栅极驱动器,简化了电路布局并减少了外部组件数量。
在须要PFC前级的运用中,NCP13992检测PFC Vbulk电压的脚位,可掌握IC在特定的电压范围内事情。
当电压变革超过设定,会触发Brown−out保护。
在空载运行期间NCP13992具有让PFC和LLC共用电阻分压器的方法,共用大容量电阻分压器,进一步降落空载的功率损耗。
NCP13992供应了一系列保护功能,可在任何运用中安全运。

方案规格:

输入电源:90–265V;

输出电源:19V/18Amax(RMS);

Efficiency:95%Load(230Vac),0%Load<;150mW@230Vrms。

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