编辑:[db:作者] 时间:2024-08-25 03:39:05
1.MOS管先容:
在各大IT企中我们把场效应管(FET)统称为MOS管,其浸染是把输入电压的变革转化为输出电流的变革。FET的增益即是它的跨导, 定义为输出电流的变革和输入电压变革之比。
2.认识MOS管:
3.MOS管内部构造:
MOS管三个电极:(G:栅极) (D:漏极) ( S:源极)
N-MOS: VGS>+1.2V以上(+4.5V完备) 導通.
4.MOS管与三极管比较:
4.MOS管与三极管比较:
5.讲解之前让大家先认识一下MOS管
6.同样MOS管也有三个极如何去判断呢?
7.如何判断MOS管是N沟道还是P沟道呢?
8.有寄生二极管的MOS管如何剖断?
9.扩充一下知识,MOS管里面的寄生二极管的浸染:
D-S之间的二极管的浸染是防止VDD过压的情形下,烧坏MOS管,由于在过压对MOS管造成毁坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏,其余G/S间的寄生电容较小,常日在几pf到10pf旁边,考虑到U=Q/C故很随意马虎在栅极上形成极高的ESD电压,以是常日会在G-S之间加上TVS,防止G-S击穿.
10.MOS管在条记本主板上,有两大浸染:
11.MOS开关实现的是旗子暗记切换(高低电平切换)
例子1.MOS开关实现电压通断。
12.MOS管用作开关时在电路中的连接方法
13.由于寄生二极管直接导通,NMOS管此S极电压可以无条件到DMOS管就失落去了开关的浸染,同果PMOS管D极电压也可以无条件到S极,同样失落去了开关的浸染.
14.MOS管的开关条件:
掌握极电平为“ ?V ” 时MOS管导通(饱和导通)?
掌握极电平为“ ?V ” 时MOS管截止?
15.饱和导通问题:
UG比US大(或小)多少伏时MOS管才会饱和导通呢?这要看详细的MOS管,
不同MOS管须要的压差不同。
在条记本主板上用到的NMOS可大略分作两大类:
旗子暗记切换用MOS管: UG比US大3V---5V即可,实际上只
要导通即可,不必须饱和导通。
比如常见的:2N7002,2N7002E,2N7002K,2N7002D,FDV301N。
电压通断用MOS管: UG比US应大于10V以上,而且开通
时必须事情在饱和导通状态。
常见的有:AOL1448,AOL1428A,AON7406,AON7702, MDV1660,
AON6428L,AON6718L,AO4496,AO4712,AO6402A,AO3404,
SI3456DDV,MDS1660URH,MDS2662URH,RJK0392DPA,RJK03B9DP。
PMOS管则和NMOS条件刚好相反。
丈量的把稳事变:
以上都是在MOS管没有被接入任何电路的环境下,进行的丈量。 如果MOS管在板时进行丈量,丈量的值会受到所在电路的影响,有可能会误导判读。 建议在板丈量出非常时,最好取下进行一次复判。
丈量前,最好用表笔金属针头部分短接MOS管G极与S极,以开释MOS管G极可能残留的静电电荷。由于G极如果存在静电电压可能会造成D与S极处于导通状态,而引起误判。
我们这里丈量用的是数字万用表。(当调至“二极管档”时,红表笔是正极(+),黑表笔是负极(-))
如果利用指针式万用表,把稳红黑表笔上电压极性刚好相反,请把稳丈量的结果该当颠倒才对。
正常来讲MOS的D-G或G-S之间都是有很高的阻抗(一样平常为107以上的阻抗),D-S之间
有一个正向的阻值约(450~550)旁边的二极值,偏高与过低都是有问题的。
代换原则:
1.N沟道代N沟道。P沟道代P沟道,决不能N沟道代P沟道的,耐压大于原来的MOS管,导通电阻要小于原来的。
2.大功率的MOS不能利用小功率的MOS管来代换,主板中大多数的MOS管都分为上管与下管大多数都是转换电压的,以是碰着个中一颗MOS破坏,末了须要将2颗MOS一起改换,这样避免只换一颗通电后又要烧MOS。
如果对MOS管不熟习末了在网高下载资料确认之后再去改换,避免带来不必要的麻烦。
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