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锰铁铝合金弗成取代电子产品中的硅

编辑:[db:作者] 时间:2024-08-25 07:28:44

针对有关预测锰铁铝合金可取代电子产品中硅的问题,莫斯科钢铁合金学院率先在世界上揭橥了研究结果,试验没有证明锰铁铝合金拥有可取代硅的性子。

锰铁铝合金弗成取代电子产品中的硅

研究成果揭橥在国际学术期刊《磁学与磁性材料》上。

锰铁铝合金被认为具有运用在自旋电子学中的前景,是电子产品中硅的现代替代品。
莫斯科钢铁合金学院参与此项研究的事情职员德米特里卡尔片科夫称,探求带有半金属传导类型的材料是极为主要的任务,由于按操持,这种材料将被运用在自旋电子学装置中。
为了运用在自旋电子学构造中,必须使个中的所有电子磁矩对准一个方向。
这有助于增加自旋电子学装置的效果。

外国研究职员曾预测锰铁铝合金拥有所需的传导类型。
莫斯科钢铁合金学院的学者们决定考验他们的理论假设。

“样品极为紊乱,不具有永磁序。
”卡尔片科夫阐明说。
他说,按照运输性能,这种合金与所谓的“不良合金”类似。
对“不良合金”来说,与普通金属比较具有非常高的电阻是其范例特色。

研究职员操持连续探求无论是理论还是经由试验都具有100%的自旋极化率的材料。

来源:科技日报

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