不止硅片关于半导体晶圆的最全介绍

来源：内容来自「中信证券徐涛、胡叶倩雯与晏磊」，感激。

晶圆（wafer） 是制造半导体器件的根本性原材料。

极高纯度的半导体经由拉晶、切片等工序制备成为晶圆，晶圆经由一系列半导系统编制造工艺形成极眇小的电路构造，再经切割、封装、测试成为芯片，广泛运用到各种电子设备当中。
晶圆材料经历了 60 余年的技能演进和家当发展，形成了当今以硅为主、 新型半导体材料为补充的家政府势。

半导体晶圆材料的基本框架

20 世纪 50 年代，锗（Ge）是最早采取的半导体材料，最先用于分立器件中。
集成电路的产生是半导体家当向前迈进的主要一步， 1958 年 7 月，在德克萨斯州达拉斯市的德州仪器公司，杰克基尔比制造的第一块集成电路是采取一片锗半导体材料作为衬底制造的。

半导体家当链流程

但是锗器件的耐高温和抗辐射性能存在短板，到 60 年代后期逐渐被硅（Si） 器件取代。
硅储量极其丰富，提纯与结晶工艺成熟， 并且氧化形成的二氧化硅（SiO2）薄膜绝缘性能好，使得器件的稳定性与可靠性大为提高， 因而硅已经成为运用最广的一种半导体材料。
半导体器件产值来看，环球 95%以上的半导体器件和 99%以上的集成电路采取硅作为衬底材料。

2017 年环球半导体市场规模约 4122 亿美元，而化合物半导体市场规模约 200亿美元，占比 5%以内。
从晶圆衬底市场规模看， 2017 年硅衬底年发卖额 87 亿美元， GaAs衬底年发卖额约 8 亿美元。
GaN 衬底年发卖额约 1 亿美元， SiC 衬底年发卖额约 3 亿美元。
硅衬底发卖额占比达 85%+。
在 21 世纪，它的主导和核心地位仍不会动摇。
但是 Si 材料的物理性子限定了其在光电子和高频、 高功率器件上的运用。

半导体市场份额（按材料）

20 世纪 90 年代以来，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料开始崭露头脚。
GaAs、 InP 等材料适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优秀材料，广泛运用于卫星通讯、移动通讯、光通

信、 GPS 导航等领域。
但是 GaAs、 InP 材料资源稀缺，价格昂贵，并且还有毒性，能污染环境， InP 乃至被认为是可疑致癌物质，这些缺陷使得第二代半导体材料的运器具有很大的局限性。

第三代半导体材料紧张包括 SiC、 GaN 等，因其禁带宽度（Eg）大于或即是 2.3 电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。
和第一代、第二代半导体材料比较，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以知足当代电子技能对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新哀求，是半导体材料领域最有前景的材料，在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要运用前景，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等浩瀚计策行业可以降落 50%以上的能量丢失，最高可以使装备体积减小 75%以上，对人类科技的发展具有里程碑的意义。

晶圆材料性子比较

化合物半导体是指两种或两种以上元素形成的半导体材料， 第二代、第三代半导体多属于这一类。
按照元素数量可以分为二元化合物、三元化合物、四元化合物等等，二元化合物半导体按照组成元素在化学元素周期表中的位置还可分为 III-V 族、 IV-IV 族、 II-VI 族等。
以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体材料已经成为继

硅之后发展最快、运用最广、产量最大的半导体材料。
化合物半导体材料具有优胜的性能和能带构造：

（1） 高电子迁移率；

（2） 高频率特性；

（3）宽幅频宽；

（4）高线性度；

（5）高功率；

（6）材料选择多元性；

（7）抗辐射。

因而化合物半导体多用于射频器件、光电器件、功率器件等制造，具有很大发展潜力；硅器件则多用于逻辑器件、存储器等， 相互之间具有不可替代性。

化合物半导体材料

晶圆制备： 衬底与外延工艺

晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。
衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片， 衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。
外延（epitaxy）是指在单晶衬底上成长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料。
外延可以生产种类更多的材料，使得器件设计有了更多选择。

衬底制备的基本步骤如下： 半导体多晶材料首先经由提纯、掺杂和拉制等工序制得单晶材料，以硅为例， 硅砂首先提炼还原为纯度约 98%的冶金级粗硅，再经多次提纯，得到电子级高纯度多晶硅（纯度达 99.9999999%以上， 9~11 个 9），经由熔炉拉制得到单晶硅棒。
单晶材料经由机器加工、化学处理、 表面抛光和质量检测，得到符合一定标准（厚度、晶向、平整度、平行度和损伤层）的单晶抛光薄片。
抛光目的是进一步去除加工表面残留的损伤层，抛光片可直接用于制作器件，也可作为外延的衬底材料。

衬底制备的基本步骤

外延成长工艺目前业界紧张包括 MOCVD（化学气相沉淀）技能以及 MBE（分子束外延）技能两种。
例如，全新光电采取 MOCVD，英特磊采取 MBE 技能。

外延晶圆片构造示意图

比较之下， MOCVD技能成长速率更快，更适宜家当化大规模生产，而 MBE 技能在部分情形如 PHEMT 构造、Sb 化合物半导体的生产中更适宜采取。
HVPE（氢化物气相外延）技能紧张运用于 GaN 衬底生产。
LPE（液相沉积）技能紧张用于硅晶圆，目前已基本被气相沉积技能所取代。

MBE 与 MOCVD 技能比拟

晶圆尺寸： 技能发展进程不一

硅晶圆尺寸最大达 12 寸， 化合物半导体晶圆尺寸最大为 6 英寸。
硅晶圆衬底主流尺寸为 12 英寸，约占环球硅晶圆产能 65%， 8 寸也是常用的成熟制程晶圆，环球产能占比 25%。
GaAs 衬底主流尺寸为 4 英寸及 6 英寸； SiC 衬底主流供应尺寸为 2 英寸及 4 英寸； GaN 自支撑衬底以 2 英寸为主。

衬底晶圆材料对应尺寸

SiC 衬底目前尺寸已达 6 英寸， 8 英寸正在研发（II-VI 公司已制造出样品） 。
而实际上主流采取的仍为 4 英寸晶圆。
紧张缘故原由是（1）目前 6 英寸 SiC 晶圆大概是 4 英寸本钱的 2.25倍，到 2020 年大概为 2 倍，在本钱缩减上并没有大的进步，并且改换设备机台须要额外的成本支出， 6 英寸目前上风仅在生产效率上；（2） 6 英寸 SiC 晶圆相较于 4 英寸晶圆在品质上偏低，因而目前 6 英寸紧张用于制造二极管，在较低质量晶圆上制造二极管比制造MOSFET 更为大略。

外延成长对应 wafer 尺寸

GaN 材料在自然界中短缺单晶材料，因而长期在蓝宝石、 SiC、 Si 等异质衬底上进行外延。
现今通过氢化物气相外延(HVPE)、氨热法可以生产 2 英寸、 3 英寸、 4 英寸的 GaN自支撑衬底。
目前商业运用中仍以异质衬底上的 GaN 外延为主， GaN 自支撑衬底在激光器上具有最大运用，可得到更高的发光效率及发光品质。

不同晶圆尺寸发展进程

硅： 主流市场， 细分领域需求兴旺

从硅晶圆供给厂商格局： 日厂把控， 寡头格局稳定。
日本厂商霸占硅晶圆 50%以上市场份额。
前五大厂商霸占环球 90%以上份额。
个中，日本信越化学占比 27%、日本 SUMCO 占比 26%，两家日本厂商份额合计 53%，超过一半，中国台湾环球晶圆于 2016 年 12 月晶圆家当低谷期间收购美国 SunEdison 半导体，由第六晋升第三名，占比 17%，德国 Siltronic 占比 13%，韩国 SK Siltron（原 LG Siltron， 2017年被 SK 集团收购） 占比 9%，与前四大厂商不同， SK Siltron 仅供应韩国客户。

此外还有法国 Soitec、中国台湾台胜科、合晶、嘉晶等企业，份额相对较小。
各大厂商供应晶圆种别与尺寸上有所不同，总体来看前三大厂商产品较为多样。
前三大厂商能够供应 Si 退火片、 SOI 晶片，个中仅日本信越能够供应 12 英寸 SOI 晶片。
德国Siltronic、韩国 SK Siltron 不供应 SOI 晶片， SK Siltron 不供应 Si 退火片。
而 Si 抛光片与Si 外延片各家尺寸基本没有差别。

硅晶圆供应商竞争力

近 15 年来日本厂商始终霸占硅晶圆 50%以上市场份额。
硅晶圆产能未发生明显区域性转移。
根据 Gartner， 2007 年硅晶圆市占率第一日本信越（32.5%）、第二日本 SUMCO（21.7%）、第三德国 Siltronic（14.8%） ； 2002 年硅晶圆市占率第一日本信越（28.9%）、第二日本 SUMCO（23.3%）、第三德国 Siltronic（15.4%） 。
近期市场比较大的变动是 2016年 12 月台湾环球晶圆收购美国 SunEdison，从第六大晋升第三大厂商。
但日本厂商始终霸占 50%+份额。

日本在 fab 环节竞争力衰落而材料环节始终保持领先地位。
20 世纪 80 年代中旬，日本半导体家当的天下份额曾经超过了 50%。
日本在半导体材料领域的上风从上世纪延续而来，而晶圆制造竞争力明显减弱， 半导体 fab 环节涌现了明显的区域转移。
究其缘故原由， fab 环节离需求端较近，市场变动大；但硅晶圆同质化程度高，新进入玩家须要在客户有比较久的韶光验证；且晶圆在晶圆代工中本钱占比 10%以下，晶圆代工厂不愿为较小的价格差别冒险改换不成熟的产品。

硅晶圆供应商近 15 年份额变革

硅晶圆需求厂商格局： 外洋为主， 国产厂商不乏亮点

IC 设计方面， 巨子把控竞争壁垒较高， 2018 年以来 AI 芯片成为新发展动力。
高通、博通、联发科、苹果等厂商实力最强，大陆厂商海思崛起。
随着科技发展引领终端产品升级，AI 芯片等创新运用对 IC 产品需求不断扩大，估量到 2020 年 AI 芯片市场规模将从 2016 年约 6 亿美元升至 26 亿美元， CAGR 达 43.9%，目前国内外 IC 设计厂商正积极布局 AI 芯片家当。
英伟达是 AI 芯片市场领导者， AMD 与特斯拉正联合研发用于自动驾驶的 AI 芯片。

对付海内厂商，华为海思于 2017 年 9 月率先推出麒麟 970 AI 芯片，目前已成功搭载入 P20等机型；比特大陆发布的环球首款张量加速打算芯片 BM1680 已成功利用于比特币矿机；寒武纪的 1A 处理器、地平线的征程和朝阳处理器也已崭露锋芒。
IC 设计面向终端、面向市场成为一定，海内厂商上风明显。
IC 设计业以需求为导向，才能够更好做事于下贱客户。
海思、展锐等移动处理芯片、基带芯片厂商依赖近些年中国智好手机市场爆发迅速崛起，跻出生界 IC 设计十强，海思芯片已全面运用到华为智好手机当中，三星、小米等厂商亦采取了自研芯片， 现今中国为环球最大的终端需求市场，因而海内IC 设计业有巨大发展上风。

环球 IC 设计厂商 2017 年排名

代工制造方面，厂商 Capex 快速增长，三星、台积电等巨子领衔。
从成本支出来看，目前环球前辈制程芯片市场竞争激烈，环球排名前三的芯片制造商三星、英特尔、台积电的Capex 均达到百亿美元级别， 2017 年分别为 440/120/108 亿美元，估量三星未来三年总Capex 靠近 1100 亿美元，英特尔和台积电 2018 年 Capex 则估量分别达到 140 和 120 亿美元，均有较大幅度的增长，利于巨子通过研发前辈制程技能和扩展产线来盘踞市场。

从工艺制程来看，台积电走在行业前列，目前已大规模生产 10nm 制程芯片， 7nm 制程将于 2018年量产；中国大陆最为领先的代工厂商中芯国际目前具备 28nm 制程量产能力，而台积电早于 2011 年已具备 28nm 量产能力，比较之下大陆厂商仍有较大差距。

环球晶圆纯代工（Pure-Play）厂商 2016 年排名

封测方面，未来高端制造+封测领悟趋势初显，大陆厂商与台厂技能差距缩小。
封装测试技能目前已发展四代，在最高端技能上制造与封测已实现领悟，个中台积电已建立起CoWoS 及 InFO 两大高阶封装生态系统，并操持通过从龙潭延伸至中科将 InFO 产能扩增一倍，以知足苹果 A12 芯片的需求。

封测龙头日月光则节制顶尖封装与微电子制造技能，率先量产 TSV/2.5D/3D 干系产品，并于 2018 年 3 月与日厂 TDK 合伙成立日月旸电子扩大 SiP布局。
由于封装技能门槛相对较低，目前大陆厂商正快速追赶，与环球领先厂商的技能差距正逐步缩小，大陆厂商已基本节制 SiP、 WLCSP、 FOWLP 等前辈技能，运用方面 FC、 SiP等封装技能已实现量产。

环球半导体封装厂商 2017 年排名

新一轮区域转移面向中国大陆。
只管目前 IC 设计、制造、封测的顶级厂商紧张位于美国、中国台湾。
总体来看，半导系统编制造家当经历了美国——日本——韩台的发展进程： 1950s，半导体家当起源于美国， 1947 年晶体管出身， 1958 年集成电路出身。
1970s，半导系统编制造由美国向日本转移。
DRAM 这天韩家当发展的主要切入点， 80s 日本已在半导体家当处于领先地位。
1990s，以 DRAM 为契机，家当转向韩国三星、海力士等厂商；晶圆代工环节则转向台湾，台积电、联电等厂商崛起。
2010s，智好手机、移动互联网爆发，物联网、大数据、云打算、人工智能等家当快速发展。
人口红利，需求转移或将带动制造转移，可以预见中国大陆已然成为新一轮区域转移的目的地。

环球半导体家当美-日-韩区域转移历史

硅晶圆下贱运用拆分： 尺寸与制程双轮驱动技能进步

晶圆尺寸与工艺制程并行发展，每一制程阶段与晶圆尺寸相对应。
（1） 制程进步→晶体管缩小→晶体管密度成倍增加→性能提升。
（2） 晶圆尺寸增大→每片晶圆产出芯片数量更多→效率提升→本钱降落。
目前 6 吋、 8 吋硅晶圆生产设备普遍折旧完毕，生产本钱更低，紧张生产 90nm 以上的成熟制程。
部分制程在相邻尺寸的晶圆上都有产出。
5nm 至 0.13m则采取 12 英寸晶圆，个中 28nm 为分界区分了前辈制程与成熟制程，紧张缘故原由是 28nm 往后引入 FinFET 等新设计、新工艺，晶圆制造难度大大提升。

硅晶圆尺寸与制程对应

晶圆需求总量来看， 12 英寸 NAND 及 8 英寸市场为核心驱动力。
存储用 12 寸硅晶圆占比达 35%为最大， 8 寸及 12 英寸逻辑次之。
以产品发卖额来看，环球集成电路产品中，存储器占比约 27.8%，逻辑电路占比 33%，微处理器芯片合仿照电路分别占 21.9%和 17.3%。
根据我们预测，环球 2016 年下半年 12 寸硅晶圆需求约 510 万片/月，个顶用于逻辑芯片的需求 130 万片/月，用于 DRAM 需求 120 万片/月，用于 NAND 需求 160 万片/月，包括 NORFlash、 CIS 等其他需求 100 万片/月； 8 寸硅晶圆需求 480 万片/月，按面积折算至 12 寸晶圆约 213 万片/月， 6 寸以下晶圆需求约当 12 寸 62 万片/月。

12 英寸、 8 英寸、 6 英寸晶圆需求构造

由此估算，包括 NAND、 DRAM在内用于存储市场的 12 寸晶圆需求约占总需求 35%， 8 寸晶圆需求约占总需求 27%，用于逻辑芯片的 12 寸晶圆需求约占 17%。
需求上看，目前存储器贡献晶圆需求最多， 8 寸中低端运用其次。

8 英寸晶圆需求构造

晶圆尺寸对应产品类型

下贱详细运用来看， 12 英寸 20nm 以下前辈制程性能强劲， 紧张用于移动设备、 高性能打算等领域， 包括智好手机主芯片、打算机 CPU、 GPU、高性能 FPGA、 ASIC 等。
14nm-32nm 前辈制程运用于包括 DRAM、 NAND Flash 存储芯片、中低端处理器芯片、影像处理器、数字电视机顶盒等运用。

12 英寸 45-90nm 的成熟制程紧张用于性能需求略低，对本钱和生产效率哀求高的领域，例如手机基带、 WiFi、 GPS、蓝牙、 NFC、 ZigBee、 NOR Flash 芯片、 MCU 等。
12 英寸或 8 英寸 90nm 至 0.15m 紧张运用于 MCU、指纹识别芯片、影像传感器、电源管理芯片、液晶驱动 IC 等。
8 英寸 0.18m-0.25m 紧张有非易失落性存储如银行卡、 sim 卡等， 0.35m 以上紧张为 MOSFET、 IGBT 等功率器件。

制程-尺寸对应下贱运用需求拆分

化合物半导体： 5G、 3D 感测、电动汽车的关键性材料

化合物半导体晶圆供给厂商格局：日美德主导，寡占格局。

衬底市场： 高技能门槛导致化合物半导体衬底市场寡占，日本、美国、德国厂商主导。
GaAs 衬底目前已日本住友电工、德国 Freiberg、美国 AXT、日本住友化学四家霸占，四家份额超 90%。
住友化学于 2011 年收购日立电缆（日立金属）的化合物半导体业务，并于 2016年划至子公司 Sciocs。
GaN 自支撑衬底目前紧张由日本三家企业住友电工、三菱化学、住友化学垄断，占比合计超 85%。
SiC 衬底龙头为美国 Cree（Wolfspeed 部门），市场占比超三分之一，其次为德国 SiCrystal、美国 II-VI、美国 Dow Corning，四家合计份额超 90%。
近几年中国也涌现了具备一定量产能力的 SiC 衬底制造商，如天科合达蓝光。

化合物半导体供应商竞争力

外延成长市场中，英国 IQE 市场占比超 60%为绝对龙头。
英国 IQE 及中国台湾全新光电两家份额合计达 80%。
外延成长紧张包括 MOCVD（化学气相沉淀）技能以及 MBE（分子束外延）技能两种。
例如， IQE、 全新光电均采取 MOCVD，英特磊采取 MBE 技能。
HVPE（氢化物气相外延）技能紧张运用于 GaN 衬底的生产。

化合物半导体晶圆需求厂商格局： IDM 与代工大厂并存

化合物半导体家当链呈现寡头竞争格局。
IDM 类厂商包括 Skyworks、 Broadcom（Avago）、 Qorvo、 Anadigics 等。
2016 年环球化合物半导体 IDM 呈现三寡头格局， 2016年 IDM 厂商 Skyworks、 Qorvo、 Broadcom 在砷化镓领域分别霸占 30.7%、 28%、 7.4%市场份额。
家当链呈现多模式整合态势，设计公司去晶圆化及 IDM 产能外包成为一定趋势。

环球砷化镓元件（含 IDM）产值分布

化合物半导体晶圆代工领域稳懋为第一大厂商，占比 66%，为绝对龙头。
第二、第三为宏捷科技 AWSC、 环宇科技 GCS，占比分别为 12%、 9%。
海内设计推动代工， 大陆化合物半导体代工龙头呼之欲出。
目前海内 PA 设计已经呈现了锐迪科 RDA、 唯捷创芯 vanchip、汉天下、 飞骧科技等公司。

环球砷化镓代工市占率

海内化合物半导体设计厂商目前已经盘踞 2G/3G/4G/WiFi 等消费电子市场中的低端运用。
三安光电目前以 LED 运用为主，有望在化合物半导体代工补充海内空缺，其募投产线培植顺利，有望 2018 年年底实现4000-6000 片/月产能，成为大陆第一家规模量产 GaAs/GaN 化合物晶圆代工企业。

化合物半导体晶圆下贱运用拆分：性能独特，自成体系

化合物半导体下贱详细运用紧张可分为两大类：光学器件和电子设备。
光学器件包括LED 发光二极管、 LD 激光二极管、 PD 光吸收器等。
电子器件包括 PA 功率放大器、 LNA低噪声放大器、射频开关、数模转换、微波单片 IC、功率半导体器件、霍尔元件等。
对付GaAs 材料而言， SC GaAs（单晶砷化镓） 紧张运用于光学器件， SI GaAs（半绝缘砷化镓）

紧张运用于电子器件。

化合物半导体晶圆对应下贱运用

光学器件中， LED 为占比最大一项， LD/PD、 VCSEL 成长空间大。
Cree 大约 70%收入来自 LED，别的来自功率、射频、 SiC 晶圆。
SiC 衬底 80%的市场来自二极管，在所有宽禁带半导体衬底中， SiC 材料是最为成熟的。
不同化合物半导体材料制造的 LED 对应不同波长光芒： GaAs LED 发红光、绿光， GaP 发绿光， SiC 发黄光， GaN 发蓝光，运用 GaN蓝光 LED 引发黄色荧光材料可以制造白光 LED。
此外 GaAs 可制造红外光 LED，常见的运用于遥控器红外发射， GaN 则可以制造紫外光 LED。
GaAs、 GaN 分别制造的红光、蓝光激光发射器可以运用于 CD、 DVD、蓝光光盘的读取。

各种材料工艺对应输出功率及频率

电子器件中，紧张为射频和功率运用。
GaN on SiC、 GaN 自支撑衬底、 GaAs 衬底、GaAs on Si 紧张运用于射频半导体（射频前端 PA 等）； 而 GaN on Si 以及 SiC 衬底紧张运用于功率半导体（汽车电子等）。

GaN 与 SiC 功率器件运用范围比拟

GaN 由于功率密度高，在基站大功率器件领域具有独特上风。
相对付硅衬底来说， SiC衬底具有更好的热传导特性，目前业界超过 95%的 GaN 射频器件采取 SiC 衬底，如 Qorvo采取的正是基于 SiC 衬底的工艺，而硅基 GaN 器件可在 8 英寸晶圆制造，更具本钱上风。
在功率半导体领域， SiC 衬底与 GaN on Silicon 只在很小一部分领域有竞争。
GaN 市场大多是低压领域，而 SiC 在高压领域运用。
它们的边界大约是 600V。

下贱紧张运用剖析：从制程材料看芯片国产化程度

（1）智好手机： IC 设计率先追赶，代工、材料尚待打破。

智好手机核心芯片涉及前辈制程及化合物半导体材料， 国产率低。
以目前国产化芯片已采取较多的华为手机为例可大致看出国产芯片的“上限” 。

CPU 目前华为海思可以独立设计，此外还包括小米松果等 fabless 设计公司， 但由于采取 12 英寸最前辈制程，制造紧张依赖中国台湾企业； DRAM、 NAND 闪存海内尚无干系公司量产；前端 LTE 模块、 WiFi 蓝牙模块采取了 GaAs 材料， 产能集中于 Skyworks、 Qorvo 等美国 IDM 企业以及稳懋等中国台湾代工厂，中国大陆尚无砷化镓代工厂商；射频收发模块、 PMIC、音频 IC 可做到海思设计+foundry 代工，而充电掌握 IC、 NFC 掌握 IC 以及气压、陀螺仪等传感器紧张由欧美 IDM厂商供应。
总体来看智好手机核心芯片国产率仍低，部分芯片如 DRAM、 NAND、射频模块等国产化险些为零。

以主流旗舰手机 iPhone X 为例可以大致看出中国大陆芯片厂商在环球供应链中的地位。
CPU 采取苹果自主设计+台积电前辈制程代工， DRAM、 NAND 来自韩国/日本/美国 IDM厂商；基带来自高通设计+台积电前辈制程代工；射频模块采取砷化镓材料，来自 Skyworks、Qorvo 等 IDM 厂商或博通+稳懋代工；仿照芯片、音频 IC、 NFC 芯片、触控 IC、影像传感器等均来自中国大陆以外企业，中国大陆芯片在苹果供应链中占比为零。
而除芯片、屏幕以外的零部件大多有中国大陆供应商打入，乃至部分由大陆厂商独占。
由此可见中国大陆芯片企业在环球范围内竞争力仍低。

智好手机内部芯片对应工艺- iPhone X

（2）通信基站： 大功率射频芯片对美依赖性极高

通信基站对国外芯片依赖程度极高，且以美国芯片企业为主。
目前基站系统紧张由基带处理单元（BBU）及射频拉远单元（RRU）两部分组成， 常日一台 BBU 对应多台 RRU 设备。
比较之下， RRU 芯片的国产化程度更低，对付国外依赖程度高。

基站 BBU+RRU 系统示意图

这个中紧张难点表示在 RRU 芯片器件涉及大功率射频场景，常日采取砷化镓或氮化镓材料，而中国大陆缺少相应家当链。

RRU 内部芯片门槛最高

美国厂商垄断大功率射频器件。
详细来看， 目前 RRU 设备中的 PA、 LNA、 DSA、 VGA等芯片紧张采取砷化镓或氮化镓工艺，来自 Qorvo、 Skyworks 等公司，个中氮化镓器件常日为碳化硅衬底，即 GaN on SiC。
RF 收发器、数模转换器采取硅基及砷化镓工艺，紧张厂商包括 TI、 ADI、 IDT 等公司。
以上厂商均为美国公司，因而通信基站芯片对美国厂商依赖性极高。

基站通信设备紧张芯片

（3）汽车电子： 家当技能日趋成熟， 部分已实现国产化

汽车电子对付半导体器件需求以 MCU、 NOR Flash、 IGBT 等为主。
传统汽车内部紧张以 MCU 需求较高，包括动力掌握、安全掌握、发动机掌握、底盘掌握、车载电器等多方面。
新能源汽车还包括电子掌握单元 ECU、功率掌握单元 PCU、电动汽车整车掌握单元 VCU、稠浊动力汽车整车掌握器 HCU、电池管理系统 BMS 以及逆变器核心部件 IGBT 元件。

传统汽车内部芯片

此外在以上干系系统以及紧急刹车系统、胎压检测器、安全气囊系统等还需运用 NOR Flash 作为代码存储。
MCU 常日采取 8 英寸或 12 英寸 45nm~0.15m 成熟制程， NOR Flash 常日采取 45nm~0.13m 成熟制程，海内已基本实现量产。

汽车内部芯片

智能驾驶所采取半导体器件包括高性能打算芯片及 ADAS 系统。
高性能打算芯片目前采取 12 英寸前辈制程，而 ADAS 系统中的毫米波雷达则涉及砷化镓材料，目前海内尚无法量产。

（4）AI 与矿机芯片： 发展新动力，海内设计厂商实现打破

AI 芯片与矿机芯片属于高性能打算，对付前辈制程哀求较高。
在 AI 及区块链场景下，传统 CPU 算力不敷，新架构芯片成为发展趋势。
当前紧张有延续传统架构的 GPU、 FPGA、ASIC（TPU、 NPU 等）芯片路径， 以及彻底颠覆传统打算架构，采取仿照人脑神经元构造来提升打算能力的芯片路径。
云端领域 GPU 生态领先，而终端场景专用化是未来趋势。

AI 核心芯片简要梳理

根据 NVIDIA 与 AMD 公布的技能路线图， 2018 年 GPU 将进入 12nm/7nm 制程。
而目前 AI、矿机干系的 FPGA 及 ASIC 芯片也均采取了 10~28nm 的前辈制程。
海内厂商呈现了寒武纪、深鉴科技、地平线、比特大陆等精良的 IC 设计厂商率先实现打破，而制造则紧张依赖台积电等前辈制程代工厂商。

主流矿机芯片比拟

前景展望：部分领域有望率先打破，更多参与环球分工

现阶段国产化程度低， 半导体家当实际依赖环球互助。
只管我国半导体家当目前正处于快速发展阶段，但总体来看存在总体产能较低， 环球市场竞争力弱，核心芯片领域国产化程度低， 对国外依赖程度较高档现状。
我国半导体家当链在材料、设备、制造、设计等多个高端领域对国外高度依赖，实现半导体家当自主替代需经历较漫远程径。

当前中国核心集成电路国产芯片霸占率

根据 IC Insight 数据显示， 2015 年我国集成电路企业在环球市场份额仅有 3%，而美国、韩国、日本分别高达54%/20%/8%。
事实上，即便是美国、 韩国、 日本也无法达到半导体家当链 100%自产。
例如在前辈制程制造的核心设备光刻机方面依然依赖荷兰 ASML 一家企业。
更多参与环球分工，在此过程中逐渐提升国产化占比，是一条切实可行的半导体家当发展道路。

中国大陆芯片下贱需求端终端市场全备，供给端有望向中国大陆倾斜。
（1） 需求端：下贱终端运用市场全备，规模条件逐步成熟。
随着环球终端产品产能向中国转移，中国已经成为环球终端产品制造基地， 2017 年中国汽车、智好手机出货量占环球比重分别达 29.8%、33.6%。
芯片需求全面涵盖硅基、化合物半导体市场，芯片市场空间巨大。
（2）供给端：当前中国大陆产值规模居前的 IC 设计、晶圆代工、存储厂商寥寥数计，技能水平尚未达到领先水平，中高端芯片制造、化合物半导体芯片严重依赖入口。
随着近些年终端需求随智好手机等家当链而逐渐转移至中国大陆，需求转移或拉动制造转移，下贱芯片供给端随之开始转移至大陆。

海内政策加速半导体行业发展。
近年来我国集成电路扶持政策密集颁布， 融资、税收、补贴等政策环境不断优化。
尤其是 2014 年 6 月出台的《国家集成电路家当发展推进纲要》 ，定调“设计为龙头、制造为根本、装备和材料为支撑”，以 2015、 2020、 2030 为发展周期全力推进我国集成电路家当的发展：目标到 2015 年，集成电路家当发卖收入超过 3500 亿元；到 2020 年，集成电路家当发卖收入年均增速超过 20%； 到 2030 年，集成电路家当链紧张环节达到国际前辈水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨加倍展。