光刻胶黏度若何测量？光刻胶需要稀释吗？

光刻胶是一种对光敏感的稠浊液体，是微电子技能中微细图形加工的关键材料，属于半导体八大核心材料之一，是继硅片、电子特气和光掩模之后的第四大半导体材料。

光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体，不同种类的光刻胶具有不同的黏度。

光刻胶的黏度如何表示？

须要把稳的是cP和cSt并非国际单位，换算时，先换算为国际单位制，再将运动粘度乘以介质所在温度下的密度kg/m即可得到对应的动力粘度。

动力粘度单位：1cP（厘泊）=0.01P(泊)=1mPas=0.001Pas=1kg/（ms）。

运动粘度单位：1cSt（厘斯）=0.01St(斯)=1m㎡/s=0.000001㎡/s=0.0036㎡/h。

以甘油为例，20℃时粘度1500cp旁边，密度为1261kg/m，换算为St（斯）。

15000.001Pas/1261=1.189510(-3次方)㎡/s。
由于1St(斯)=0.0001㎡/s，打算得11.895St=1189.5cSt。

粘度影响成分

对付气液相，温度升高，粘度会低落；对付气体，压力升高，分子间力增大，粘度也会升高。
溶液浓度越高，粘度越大！

以是部分高粘度液体运送时须要加热，降落粘度和管道阻力，便于运送。

光刻胶黏度的主要性？

光刻胶的黏度会影响到涂层的厚度和均匀性。
不同的产品运用须要不同厚度的光刻胶涂层。

半导系统编制造中，当特色尺寸进入亚微米或纳米级别时，须要利用低粘度的光刻胶。
低黏度光刻胶在晶圆上流动性强，旋涂时，低黏度光刻胶能够迅速铺展，形成较薄且均匀的涂层。
薄胶能够减少光学衍射效应，有利于高分辨率的图案制作。
在微机电系统（MEMS）、微流体器件等中，须要利用高黏度的光刻胶，一样平常可以达到几微米到几十微米厚。
在干湿法刻蚀中，厚的光刻胶层可以作为掩膜，保护下方的材料不被蚀刻剂侵蚀。
但是，随之而来的问题是，旋涂韶光，曝光韶光，显影韶光都在相应增加，掌握难度变大，而膜层的均匀性却不才降。

光刻胶黏度如何丈量？

光刻胶供应商一样平常会哀求晶圆厂在生产过程中多次丈量流体粘度，以确保产品质量。
我们会利用在线的黏度计持续地对光刻胶的黏度进行丈量。
为什么不是将样品采集出来离线丈量？为了进行离线丈量，须要从生产过程中提取样品，这导致生产的暂时中断。
且由于处理和剖析韶光的延迟，离线丈量无法供应即时的反馈。

光刻胶在用的时候须要稀释吗？

光刻胶是否须要稀释取决于它的初始黏度、所需的厚度、旋涂设备能力等。
一些光刻胶是供应商预先配制好的，其黏度已经调度适宜特定的运用，这类光刻胶常日不须要晶圆厂自行稀释。
但是，如果光刻胶的初始黏度太高，超过了工艺需求，那么可能须要稀释。

有时候，通过调度旋涂设备的参数无法得到所需的涂层，但是又不想改换光刻胶时，可以考虑调度光刻胶的黏度。
一样平常在线黏度掌握系统中包括黏度计，稀释系统等。
当黏度计测得的黏度大于设定黏度时，稀释系统会自动补加相应溶剂，直至达到设定值才会停滞。
不过，补加的溶剂与补加方法要按照光刻胶供应商推举的来，不要自行决定，否则会有很多新问题涌现。

一样平常的光刻胶在多少cp？

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