国博电子取得一种 3D 异构集成多功能收发芯片专利实现微波旗子暗记的接收、发射和幅相控制

专利择要显示，本发明公开了一种 3D 异构集成多功能收发芯片，包括由上至下的微波旗子暗记幅度与相位掌握层、高密度 Bump 互连层、微波旗子暗记收发放大层和背面输入/输出端口层。
本发明采取 3D 异构集成中道工艺，将 Si CMOS 幅相多功能芯片和 GaAs 高功率收发芯片垂直互连在一起，重点在于 Si CMOS 和 GaAs 芯片分别采取了 TSV 工艺和 Hot Via 工艺，同时两者的互连界面利用了 Bump 构造。
本发明可实现微波旗子暗记的吸收、发射和幅相掌握，具有高集成、小型化和发射功率高档特点。

本文源自金融界