元器件的完整型号说明和各国命名方法

不少公司的采购会创造，拿到工程师供应的BOM中的器件去采购物料时，常常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。

为什么会有这种情形呢？问题就在于，很多履历不足的工程师，没有把器件型号写完全。
下面举例来解释，完全的器件型号是怎么样的。

完全的器件型号，一样平常都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。
一样平常工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，乃至少数工程师连前缀都会忽略。
当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。

器件前缀一样平常是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表前辈的低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。

又比如，2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同，一个是插件的(TO-92)，一个是贴片的(SOT-23)。
如果BOM上只写5551三极管，那肯定不知道是哪个。

忽略前缀的征象一样平常稍少一点，但是忽略后缀的情形就比较多了。
一样平常来说，后缀有以下这些用途：

1、 区分细节性能

比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。

2、区分器件等级和事情温度

比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的事情温度是0度至70度（民用级），TL431I代表器件的事情温度是-40度至85度（工业级），个中后缀“C”和“I”就代表不同的事情温度。

3、 区分器件封装形式

比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431CP代表的是PDIP封装，TL431CD代表的是SOIC封装，个中后缀“P”和“D”代表的便是不同封装（“C”代表温度，在上面已经阐明）。

4、区分订货包装办法

比如，TI公司的基准电压芯片TL431 CD，如果哀求是按盘装（2500PCS/盘）的采购，那么必须按TL431 CDR的型号下单，这里的后缀“R”代表的便是盘装。
否则，按TL431 CD下单，买回来的可能是管装(75PCS/管)的物料。

5、区分有铅和无铅

比如，ON公司的比较器芯片LM393D（“D”表示是SOIC封装），如果要用无铅型号，必须按LM393DG下单，这里的后缀“G”就表示无铅型号，没这个后缀便是有铅型号。

后缀可能还有其他分外的用途，总之，后缀的信息不能省略，否则买回来的可能就不是你想要的物料。

不同的公司的前缀和后缀可能是不同的（也有少数公司的一些前缀后缀同等），这须要参考实际选用厂家的详细情形。

各国半导体元器件型号的命名方法

一、中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体分外器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管。

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、

N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f <3MHz,Pc<1W)、

G-高频小功率管(f >3MHz,Pc<1W)、D-低比年夜功率管(f<3MHz,Pc>1W)、

A-高比年夜功率管(f >3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、

Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃规复管、CS-场效应管、

BT-半导体分外器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

二、日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

常日只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、

1-二极管、

2三极或具有两个pn结的其他器件、

3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、

┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件利用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、

B-PNP型低频管、

C-NPN型高频管、

D-NPN型低频管、

F-P掌握极可控硅、

G-N掌握极可控硅、

H-N基极单结晶体管、

J-P沟道场效应管，如 2SJ—-

K-N沟道场效应管，如 2SK—-

M-双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。

两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；

不同公司的性能相同的器件可以利用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。

A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

三、美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。

美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：用符号表示器件用场的类型。

JAN-军级、

JANTX-特军级、

JANTXV-超特军级、

JANS-宇航级、

无—非军用品。

第二部分：用数字表示pn结数目。
1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。

N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。

多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：

JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管

JAN-军级、

2-三极管、

N-EIA注册标志、

3251-EIA登记顺序号、

A-2N3251A档。

四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采取国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。

这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

第一部分：用字母表示器件利用的材料。

A-器件利用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、

B-器件利用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、

C-器件利用材料的Eg >1.3eV如砷化镓、

D-器件利用材料的Eg <0.6eV如锑化铟、

E-器件利用复合股料及光电池利用的材料。

第二部分：用字母表示器件的类型及紧张特色。

A-检波开关混频二极管、

B-变容二极管、

C-低频小功率三极管、

D-低比年夜功率三极管、

E-隧道二极管、

F-高频小功率三极管、

G-复合器件及其他器件、

H-磁敏二极管、

K-开放磁路中的霍尔元件、

L-高比年夜功率三极管、

M-封闭磁路中的霍尔元件、

P-光敏器件、

Q-发光器件、

R-小功率晶闸管、

S-小功率开关管、

T-大功率晶闸管、

U-大功率开关管、

X-倍增二极管、

Y-整流二极管、

Z-稳压二极管。

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。

三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、 一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。

A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以差异特性或进一步分类。
常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许偏差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许偏差为1%、2%、5%、10%、15%； 其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值； 后缀的第三部分是字母V，代小数点， 字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，

常日标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低比年夜功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

欧洲有些国家，如德国、荷兰采取如下命名方法：

第一部分：O-表示半导体器件。

第二部分：A-二极管、C-三极管、 AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。

第四部分：A、B、C、、、表示同一型号器件的变型产品。