中科院：从无到有国内首片300mm SOI晶圆问世

来源：中国科学院上海微系统所

官微文章称，该300mm SOI晶圆制造技能打破性成果由魏星研究员团队取得。

根据文章先容，团队依次办理了300mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶系统编制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非打仗式平坦化等诸多核心技能难题，实现了海内300mm SOI制造技能从无到有的重大打破。

这次实现的300mm 射频SOI晶圆的自主制备，将有力推动海内RF-SOI芯片设计、代工以及封装等百口当链的协同快速发展，并为海内SOI晶圆的供应安全供应坚实的保障。

图：法国Soitec是SOI晶圆大厂

目前，国际上节制SOI硅片制造的领导厂商为法国Soitec，也是环球第六的硅片供应商；而领先的代工厂为美国格罗方德（FD-SOI），师承SOI技能的鼻祖IBM，同时也是美国最大晶圆代工厂，也是美国军方大多数射频器件的指定代工厂。

SOI是Silicon On Insulator的简称，也便是硅晶体管构造在绝缘体之上的意思。
SOI构造的优点是比较随意马虎提升时钟频率并减少电流泄电，适用于低功率、功耗敏感的器件，例如射频、功率和硅光。
同时比拟主流前辈制程的FinFET，由于SOI技能非常靠近平面体硅技能，对Fab的投资大大降落。

与此同时，SOI技能的紧张限定芯片本钱高于平面体硅芯片，由于非常难以掌握整片晶圆上的锡硅膜，工艺的困难也造成SOI晶圆供应商有限，成为SOI推广的另一个绊脚石。
例如成立于1992年的法国Soitec通过其积累的Smart-Cut技能、外延技能和智能堆叠技能领先于浩瀚硅片大厂。

图：SOI晶圆

经由三十多年的发展，行业内已经延伸出了丰富的SOI产品组合，包括FD-SOI、RF-SOI、Power-SOI、Photonics-SOI、Imager-SOI等。

目前，RF-SOI晶圆是射频运用的主流衬底材料，霸占开关、低噪放和调谐器等射频前端芯片90%以上的市场份额。

随着5G网络的全面铺开，移动终端对射频模块的需求持续增加，射频前端芯片制造工艺正在从200mm到300mm RF-SOI过渡，借此机会，海内主流集成电路制造企业也在积极拓展300mm RF-SOI工艺代工能力。