电阻电感电容MOSFET主要特点参数

电阻的紧张参数有电阻阻值，许可偏差，额定功率，温度系数等

1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。

2、许可偏差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。

3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期事情所许可耗散的最大功率。

4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。

5、温度系数：温度每变革1℃所引起的电阻值的相对变革。
温度系数越小，电阻的稳定性越好。
阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。

6、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变革的百分数，它是表示电阻器寿命是非的参数。

7、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变革1伏，电阻器的相对变革量。

电感器的紧张参数

电感器的紧张参数有电感量、许可偏差、品质因数、分布电容和额定电流等。

1、电感量:电感量也称自感系数，是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。

电感器电感量的大小，紧张取决于线圈的圈数（匝数）、绕制办法、有无磁心及磁心的材料等等。
常日，线圈圈数越多、绕制的线圈越密集，电感量就越大。
有磁心的线圈比无磁心的线圈电感量大；磁心导磁率越大的线圈，电感量也越大。

2、许可偏差:许可偏差是指电感器上标称的电感量与实际电感的许可偏差值。

一样平常用于振荡或滤波等电路中的电感器哀求精度较高，许可偏差为0.2%~0.5%；而用于耦合、高频阻流等线圈的精度哀求不高；许可偏差为10%~15%。

3、品质因数:品质因数也称Q值或优值，是衡量电感器质量的紧张参数。
它是指电感器在某一频率的互换电压下事情时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。
电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。
电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。

4、分布电容:分布电容是指线圈的匝与匝之间、线圈与磁心之间存在的电容。
电感器的分布电容越小，其稳定性越好。

5、额定电流:额定电流是指电感器有正常事情时反许可通过的最大电流值。
若事情电流超过额定电流，则电感器就会因发热而使性能参数发生改变，乃至还会因过流而烧毁。

电容的紧张特性参数

电容的紧张参数有电容容值，许可偏差，额定事情电压，温度系数等

1、容量与偏差：实际电容量和标称电容量许可的最大偏差范围，一样平常分为5%，10%，20%。
精密电容器的许可偏差较小，而电解电容器的偏差较大，它们采取不同的偏差等级。

2、额定事情电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠事情，所承受的最大直流电压，又称耐压。
对付构造、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。

3、温度系数：在一定温度范围内，温度每变革1℃，电容量的相对变革值。
温度系数越小越好。

4、绝缘电阻：用来表明泄电大小的。
一样平常小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。
电解电容的绝缘电阻一样平常较小。
相对而言，绝缘电阻越大越好，泄电也小。

5、损耗：在电场的浸染下，电容器在单位韶光内发热而花费的能量。
这些损耗紧张来自介质损耗和金属损耗。
常日用损耗角正切值来表示。

MOSFET的紧张特性参数

“MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。
它是由金属、氧化物(SiO2 或 SiN)及半导体三种材料制成的器件

MOSFET的紧张参数有ID,IDM，VGS,V(BR)DSS,RDS(on),VGS(th)等

1、ID：最大漏源电流。
是指场效应管正常事情时，漏源间所许可通过的最大电流。
场效应管的事情电流不应超过ID。
此参数会随结温度的上升而有所减额。

2、IDM：最大脉冲漏源电流。
此参数会随结温度的上升而有所减额。

3、VGS：最大栅源电压。

4、V(BR)DSS：漏源击穿电压。
是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常事情所能承受的最大漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的事情电压必须小于V(BR)DSS。
它具有正温度特性。
故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

5、RDS(on)：在特定的VGS（一样平常为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。
它是一个非常主要的参数，决定了MOSFET导通时的花费功率。
此参数一样平常会随结温度的上升而有所增大。
故应以此参数在最高事情结温条件下的值作为损耗及压降打算。

6、VGS(th)：开启电压（阀值电压）。
当外加栅极掌握电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。
运用中，常将漏极短接条件下ID即是1毫安时的栅极电压称为开启电压。
此参数一样平常会随结温度的上升而有所降落。

7、PD：最大耗散功率。
是指场效应管性能不变坏时所许可的最大漏源耗散功率。
利用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
此参数一样平常会随结温度的上升而有所减额。

8、Tj：最大事情结温。
常日为150℃或175℃，器件设计的事情条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。

功率 MOSFET 与双极型功率比较具有如下特点：

1、MOSFET 是电压掌握型器件(双极型是电流掌握型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较大略；

2、输入阻抗高；

3、事情频率范围宽，开关速率高(开关韶光为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；

4、有较优秀的线性区，并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多，以是它的互换输入阻抗极高；噪声也小，最得当制作 Hi-Fi 音响；

5、功率 MOSFET 可以多个并联利用，增加输出电流而无需均流电阻。

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