NCT成长出6英寸氧化镓晶体

垂直布里奇曼法为尺寸更大的高品质晶圆铺平道路

Novel Crystal Technology（NCT）是一家Ga2O3技能专业公司，其首次利用垂直布里奇曼（VB）法成功成长出6英寸Ga2O3单晶。

用于Ga2O3单晶的垂直布里奇曼成长法（如上图所示）由信州大学开拓，成功实现了2英寸及4英寸晶体的成长。
NCT收购并扩展了他们的技能，以开拓更大直径的晶体。

与NCT现有的导模（EFG）法比较，垂直布里奇曼法具有多项上风。
垂直布里奇曼法以圆柱形成长晶体，进而大大降落了衬底切割的干系本钱。
此外，垂直布里奇曼法还可以生产各种晶体取向的衬底，而不受晶体各向异性的限定。

此外，与导模法比较，垂直布里奇曼法成长的受控热心况可使晶体品质更优，毛病最少。
末了，衬底内的掺杂均匀性有望得到改进，从而与硅等其他半导体的行业标准保持同等。

NCT与日同族当技能综合研究所（AIST）对垂直布里奇曼法晶体和导模法晶体进行了比较评估，结果显示晶体品质有显著提高。
同步辐射X射线描述剖析证明，在导模法成长的晶体中不雅观测到了高密度毛病，比较之下，垂直布里奇曼法成长的晶体中毛病极少。
这清楚地证明了垂直布里奇曼法在生产高品质Ga2O3衬底方面的优胜性。

NCT成立于2015年，制造用于功率器件的2英寸及100毫米Ga2O3衬底和外延片。
这些产品已投入市场，并被天下各地的大学、研究所、功率器件公司所采取。

NCT正在积极开拓尺寸更大的衬底，如6英寸衬底。
除衬底外，NCT还着眼于生产更广泛的Ga2O3器件。
该公司已经开始供应首个Ga2O3肖特基势垒二极管的样品，鉴定试验估量于2024年9月完成。

这项研发操持的部分资金来自日本科学技能振兴机构（JST）的“通过目标驱动研发实现适应性和无缝性技能转让操持”（A-STEP）。

来源： 雅时化合物半导体

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